宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究

介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs) 的研制方法和应用。制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀。分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较。

选择性无电解镀铜在PET膜表面上构筑微铜图案

采用波长为172nm的紫外光使PET膜表面官能化,然后自组装APTES单分子膜(SAMs),再在真空条件下通过紫外光刻蚀对PET膜表面的SAMs进行微加工,最后进行选择性无电解镀铜处理。通过测量水接触角和XPS分析,表征了PET膜经各步处理后的表面状态,并观察了镀铜后的微铜图案。结果表明:紫外光照使PET基材表面改性,通过紫外光刻蚀技术,对SAMs的微加工可以控制铜在PET表面选择性沉积,从而一次性制备出保真性较好的微米级镀铜图案。

MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器

用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射 ,测出单个微碟激光器的阈值光功率为 15 0μW,激射波长约为 1.6μm,品质因数 Q=80 0 ,激射光谱线宽为 2 nm,同时指出微碟激光器激射线宽比 F-

石墨烯/硅异质结光电探测器的制备工艺与其伏安特性的关系

通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种制备异质结光电探测器的常见方法。在湿法转移制备异质结的过程中,不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有显著影响。本文以典型的二维材料石墨烯(Gr)为例,采用湿法转移制备了一系列相同的Gr/Si异质结光电探测器,对其制备工艺与伏安特性的关系进行了详细研究。实验结果显示,梯度式烘干工艺可以显著降低Gr/Si异质结器件的暗电流,最佳的烘干温度峰值为170°C,170°C以上漏电流基本不再有变化。Gr/Si范德华异质结表面杂质与夹层中的残留水分对异质结的漏电流有显著影响。Gr/Si范德华异质结的选择性刻蚀和退火工艺也能够大幅降低漏电流。因此,合适的烘干工艺、选择性刻蚀工艺、退火工艺在Gr/Si异质结器件的制备过程中非常必要。这些结果对于使用湿法转移方法制备二维材料异质结器件具有一定的参考价值。