以SiO_2/Si为衬底的Ba_(1-x)La_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜的敏感特性(英文)

通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻在 30 3～ 6 73K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性 ,同时MIS电容对相对湿度有很高的灵敏度 .我们测试了此薄膜的光吸收特性 ,并得到了它的禁带宽度 .最后 ,我们研究了薄膜电阻的阻抗温度频率特性和频率对MIS电容湿敏特性的影响 .

Sn—SnO_x薄膜的组织结构及湿敏性

报道了一种制备Ｓｎ—ＳｎＯｘ湿敏薄膜的新工艺（ＶＥＴＯ）．首先在１ｍＰａ的真空下蒸发纯金属Ｓｎ质量分数９９９ｍｇ·ｇ－１，衬底（Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片）温度控制在１５０～２５０℃；蒸发的Ｓｎ膜在空气中缓慢氧化，即可获得湿度敏感的Ｓｎ—ＳｎＯｘ薄膜．利用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析了膜的晶体结构和表面形貌环境湿度ＲＨ从１１％变到９７％肘，膜阻抗变化约三个量级，膜电导是电子电导和离子电导的混合．在低温区电子电导是主要的，在高温区离子电导占优势．