电子束加热与电阻加热蒸发锆膜的结构分析

采用XRD与SEM分析了在钼衬底上电子束加热蒸发与电阻加热蒸发制备的锆膜的结构。结果表明,电子束加热蒸发与电阻加热蒸发在钼衬底上制备的锆膜为hcp结构;电子束加热蒸发的锆膜以(002)晶面生长为主,而电阻加热蒸发的则以(101)与(002)晶面生长为主;电阻加热蒸发的锆膜晶粒呈不规则堆积,大部分尺寸约为1μm,少部分约为500nm;电子束加热蒸发的锆膜织构强烈,晶粒规则,呈六棱柱型,尺寸约为300nm。

电子束反应蒸发氧化物薄膜的应力特性

研究了反应电子束蒸发氧化物光学薄膜在空气中的应力。为了找到能减小多层膜结构内应力的淀积工艺参数 ,测试了氧化物膜层 Ti O2 ,Ta2 O5 ,Si O2 ,Al2 O3,Hf O2 的应力 ,发现有些膜层为压应力 ,一些高折射率膜为张应力。实验表明 ,热处理可以有效地降低氧化物膜层光学吸收 ,并改变应力。

电子束蒸发方法研究Mg2Si的薄膜及其光学带隙

Mg_2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料,其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上沉积Mg膜,在氩气环境下进行热处理以制备Mg_2Si半导体薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计对制备的Mg_2Si薄膜进行表征.在氩气环境、温度500℃、压强200 Pa下,研究热处理时间(时间3-7 h)对Mg_2Si薄膜形成的影响.XRD和SEM结果表明:通过电子束蒸发沉积方法在500℃、热处理时间为3~7 h能够得到Mg_2Si薄膜.热处理温度是500时,最佳热处理时间是4 h,得到致密度好的薄膜.通过对薄膜的红外透射谱测试,得到了Mg_2Si薄膜的光学带隙,其间接光学带隙值为0.9433 eV,直接光学带隙值为1.1580 eV.实验数据为Mg_2Si薄膜的研发在制备工艺和光学性质方面提供参考.

热处理对ZnO∶Zn荧光薄膜结晶性能的影响

用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO∶Zn荧光薄膜分别进行400,600℃退火处理。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法,表征了ZnO∶Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。在ZnO∶Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密。在ZnO∶Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490 nm处发光峰,认为一价氧空位(VO)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大。实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高。

电子束蒸镀金膜表面黑色颗粒形成的机理研究

采用电子束蒸镀金膜时,会有微小的黑色颗粒出现在金膜的表面,这些黑色的颗粒形状大多不规则,尺寸集中在100 nm^-1μm之间,传统的蒸镀理论较难解释这些黑色颗粒的成因。本文尝试提出液态金属表面热发射电子引起液面上杂质颗粒“尖端放电”的理论来解释这一现象。这类电晕放电造成颗粒附近温度极高,瞬间将颗粒蒸发沉积在衬底。通过改变蒸镀功率,或保持功率不变,改变电子束斑点形状、落点位置等一系列实验,验证了理论的合理性。

热处理对MIM薄膜二极管中Ta_2O_5膜表面形貌的影响

采用了一种较为新颖的真空热处理和大气气氛下热处理相结合的热处理工艺 ,并应用到两种以反应溅射工艺为基础制备出的多层 Ta2 O5膜样品的后处理上。 AFM结果显示 ,经过真空和大气热处理之后 ,两种 Ta2 O5膜样品的表面平整度均得到了较大改善 ,反映出膜内部结构的致密性也得到了较大提高 ,这将一定程度改善以该膜为绝缘层的 MIM- TFD的漏电流和耐击穿电压等电性能。此外 ,其中的大气热处理工艺所需要的设备和操作程序非常简单 ,成本较低 ,这也为 MIM-

镀厚膜工艺技术研究

通过分析现有镀膜工艺设备的电子束加热原理、结构和热量损耗,并针对实际应用过程中镀膜存在的问题,提出了对现有设备的改进措施,开发出一种新的镀厚膜工艺,较好解决了芯片镀厚膜的工艺技术难题和存在的镀厚膜工艺质量问题,大大提高了镀厚膜工艺的工作效率,极大地改善了特高压超大功率电力电子器件的电性能参数,收到了良好的效果。

An integral heat flux sensor with high spatial and temporal resolutions

To measure heat flux on the sharp leading edge and other surface with very small curvature radius in the wind tunnel, Hong-Ru Yu proposed a novel design of integral type heat flux sensor. Compared with the traditional heat flux sensor, the integral type heat flux sensor improved spatial resolution up to an order of magnitude, and the size of the sensing elements has been minimized to 0.1 mm successfully, which satisfied the heat flux measurement requirements at R0.5 mm pointed cone stagnation point. A constantan film was used as the contact layer of the integral heat flux sensor, which was prepared by electron beam coevaporation method. The influence of sensor structure on the accuracy of measurement was analyzed using numerical calculation. The measurement results in shock wave wind tunnel indicated that the response frequency was about100 kHz and the repeatability error was less than 10 %.