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Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展 被引量:9
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作者 闫发旺 梁春广 《半导体情报》 2001年第6期2-7,共6页
Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。
关键词 稀磁半导体 半导体异质结 自旋电子器件 Ⅲ-V族磁半导体 半导体材料
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铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
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作者 彭长涛 陈诺夫 +1 位作者 张富强 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期494-498,共5页
采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射... 采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 . 展开更多
关键词 铁磁/半导体异质结 MnSb/Si 物理气相沉积 MnSb相 X射线衍射分析
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The structural and magnetic properties of Fe/(Ga,Mn)As heterostructures
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作者 邓加军 陈培 +5 位作者 王文杰 胡冰 车剑韬 陈林 王海龙 赵建华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第8期29-32,共4页
Fe/(Ga,Mn)As heterostructures were fabricated by all molecular-beam epitaxy.Double-crystal X-ray diffraction and high-resolution cross-sectional transmission electron micrographs show that the Fe layer has a well or... Fe/(Ga,Mn)As heterostructures were fabricated by all molecular-beam epitaxy.Double-crystal X-ray diffraction and high-resolution cross-sectional transmission electron micrographs show that the Fe layer has a well ordered crystal orientation and an abrupt interface.The different magnetic behavior between the Fe layer and(Ga, Mn)As layer is observed by superconducting quantum interference device magnetometry.X-ray photoelectron spectroscopy measurements indicate no Fe_2As and Fe-Ga-As compounds,i.e.,no dead magnetic layer at the interface, which strongly affects the magnetic proximity and the polarization of the Mn ion in a thin(Ga,Mn)As region near the interface of the Fe/(Ga,Mn)As heterostructure. 展开更多
关键词 heterostructures magnetic semiconductor ferromagnetic metal molecular-beam epitaxy
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