PLT/PbO铁电薄膜的制备及性能研究

采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能。实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8C/cm2.K。

不同形貌BiFeO_(3)微量填充PVDF复合膜的储能性能研究

采用固相法、水热法和静电纺丝法分别制备了块状、花状和纤维状的BiFeO_(3)粉体.采用流延法制备了三种填料的BiFeO_(3)/PVDF复合材料.通过红外光谱(FT-IR)观察到PVDF的三种晶相(α、β、γ).由氮气吸附/脱附实验证明,不同形貌BiFeO_(3)粉体的比表面积存在较大差异.其中,纤维状BiFeO_(3)粉体的比表面积最大.BiFeO_(3)粉体形貌也影响了复合材料的磁介电性能,通过磁介电测试进行研究.对于三种0.5 vol%BiFeO_(3)/PVDF复合材料,纤维状BiFeO_(3)/PVDF复合材料在10^(4)Hz时具有较高的介电常数(~21)和较低的介电损耗(~0.12).在相同电场下,纤维状BiFeO_(3)/PVDF复合材料中纤维的偶极距较大,使其具有较高的极化率和储能密度.