金属有机物热分解工艺制备PLZT铁电薄膜的晶化过程及其电性能研究

采用MOD法制备了PLZT铁电薄膜.通过DTA研究了PLZT粉末和薄膜的晶化动力学.MOD法制备的PLZT材料,在420~570℃的温度范围内由非晶结构向钙钛矿结构转化,其粉体和薄膜的晶化活化能E_a分别为55kJ/mo1和70kJ/mo1,频率因子γ分别为450s^(-1)和1.4×10~4s^(-1).薄膜从非晶态向钙钦矿相的转化过程中要经过亚稳的焦绿石相的过渡,其E和γ分别为143 kJ/mo1和7.9×10~9s^(-1).经过550℃热处理得到的PlZT(8/65/35)铁电薄膜,相对介电常数为900,介电损耗为0.02(1kH2),饱和极化强度和矫顽场强分别为35.5μC/cm^2和124kV/cm.

Co和Nb掺杂PZT铁电薄膜的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3／Si衬底上制备了PbCoy（Zrx，Ti1-x）O3（PCZT）与PbCoyNbx（ZrxTi1-x）O3PCNZT）铁电薄膜，实验发现钴掺杂PZT比例为12mol％时，PCZT薄膜具有优良的铁电性和介电性，但是漏电流较大．为了能够很好地弥补PCZT薄膜漏电流太大的缺点，在12mol％Co掺杂的PCZT薄膜中掺入不同比例的Nb（在1mol%～10mol％掺杂范围内），实验结果表明，Nb掺杂比例越大，PCNZT薄膜的漏电流越小，但同时Nb掺杂减小了PCZT薄膜的剩余极化强度和介电常数．

Preparation of PLZT films from metallo-organic precursors

Ferroelectric ceramics lead lanthanum zirconate titanate (PLZT) exhibits excellentdielectric, pyroelectric, piezoelectric, ferroelectric, and electrooptic characteristics because ofits wide composition range. Thus, it has wide application in electronic and