薄膜型纳秒壁流探测器的研制及应用

国家同步辐射实验室和安徽光学精密机械研究所共同研制的薄膜型纳秒壁流探测器以其占有空间小、电阻膜特性连续、均匀等优点在HLS(HefeiLightSource)中得到实际应用 。

PET载体薄膜电阻的断裂原理分析及改进方案

介绍了薄膜型ns壁流探测器中使用的薄膜电阻片受强辐照后的各项测试结果及简要分析。并提出了防止载体薄膜断裂的改进方案。

一种四象限14位乘法型D/A转换器设计

设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构,规避了高分辨率二进制电流模R-2R电阻网络开关尺寸大、版图匹配难度大的缺点。基于混合信号CMOS工艺进行了流片,实测DNL在±0.5 LSB以内,INL在±0.8 LSB以内。该D/A转换器适用于工业控制、仪器仪表等领域。

片式厚膜电阻器长期可靠性及失效模式研究

通过采用不同程度的高温高湿试验对片式厚膜电阻器长期可靠性及失效模式展开试验验证及研究分析。结果表明:片式厚膜电阻器在85℃,85%RH,10%RV,2000 h的试验条件下,水汽容易入侵片式厚膜电阻激光调阻切割槽处,在电阻内部形成并联电路,导致电阻的阻值下降,而在121℃,100%RH,0.21 MPa,10%RV的试验条件下,片式厚膜电阻器不仅会出现水汽入侵的情况,其G 1玻璃上还可能会发生Bi元素的析出或者迁移,导致电阻内部G 1玻璃的绝缘间隙变短甚至直接导通,电阻的阻值下降。此外,正确的三防涂覆工艺能够有效提高电阻在高温高湿的可靠性水平。但是,如果在三防涂覆工艺之前,器件及PCB已经受潮,那么三防涂覆工艺会降低片式厚膜电阻器的长期可靠性。

片式膜电阻器的典型失效模式、机理及原因分析

首先,对片式膜电阻器的结构和工艺流程进行了简单的介绍;然后,对片式膜电阻器典型的失效模式和失效机理进行了总结;最后,通过案例,对片式膜电阻器两种典型的失效现象的原因进行了分析,对于相关工作人员了解片式膜电阻器的失效原因和机理,从而改善其工艺过程具有一定的参考价值。

高温高湿环境下镍铬合金薄膜电阻器失效分析

在85℃和85%相对湿度的环境下,对镍铬(Ni-Cr)合金薄膜电阻器进行带载老化试验(“双85”老化试验),测试其老化试验3 000 h后的可靠性。测试结果显示,在“双85”老化试验环境下,薄膜电阻器进行老化试验后,表现出两种失效模式:阻值漂移和开路。该文进一步对两种失效模式的失效机理进行分析,阐明了失效的原因。针对失效的薄膜电阻,采用3D共聚焦激光显微镜、扫描电子显微镜、X射线能谱仪和聚焦离子束等分析手段进行检测,检测结果显示,薄膜电阻器的端电极处出现开裂。进一步对失效部位进行分析发现,电极层除开裂等明显问题外,还出现了银电极被硫化腐蚀的情况。