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Plasma diagnosis of tetrahedral amorphous carbon films by filtered cathodic vacuum arc deposition
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作者 王明磊 张林 +1 位作者 陆文琪 林国强 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第6期88-94,共7页
Filtered cathodic vacuum arc(FCVA)deposition is regarded as an important technique for the synthesis of tetrahedral amorphous carbon(ta-C)films due to its high ionization rate,high deposition rate and effective filtra... Filtered cathodic vacuum arc(FCVA)deposition is regarded as an important technique for the synthesis of tetrahedral amorphous carbon(ta-C)films due to its high ionization rate,high deposition rate and effective filtration of macroparticles.Probing the plasma characteristics of arc discharge contributes to understanding the deposition mechanism of ta-C films on a microscopic level.This work focuses on the plasma diagnosis of an FCVA discharge using a Langmuir dualprobe system with a discrete Fourier transform smoothing method.During the ta-C film deposition,the arc current of graphite cathodes and deposition pressure vary from 30 to 90 A and from 0.3 to 0.9 Pa,respectively.The plasma density increases with arc current but decreases with pressure.The carbon plasma density generated by the arc discharge is around the order of10^(10)cm^(-3).The electron temperature varies in the range of 2-3.5 eV.As the number of cathodic arc sources and the current of the focused magnetic coil increase,the plasma density increases.The ratio of the intensity of the D-Raman peak and G-Raman peak(I_(D)/I_(G))of the ta-C films increases with increasing plasma density,resulting in a decrease in film hardness.It is indicated that the mechanical properties of ta-C films depend not only on the ion energy but also on the carbon plasma density. 展开更多
关键词 filtered cathodic vacuum arc Langmuir dual probe plasma density electron temperature
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Optical and electrical properties of BaSnO_(3) and In_2O_(3) mixed transparent conductive films deposited by filtered cathodic vacuum arc technique at room temperature
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作者 姚建可 钟文森 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第1期559-562,共4页
For the crystalline temperature of BaSnO_(3)(BTO)was above 650℃,the transparent conductive BTO-based films were always deposited above this temperature on epitaxy substrates by pulsed laser deposition or molecular be... For the crystalline temperature of BaSnO_(3)(BTO)was above 650℃,the transparent conductive BTO-based films were always deposited above this temperature on epitaxy substrates by pulsed laser deposition or molecular beam epitaxy till now which limited there application in low temperature device process.In the article,the microstructure,optical and electrical of BTO and In_(2)O_(3) mixed transparent conductive BaInSnO_(x)(BITO)film deposited by filtered cathodic vacuum arc technique(FCVA)on glass substrate at room temperature were firstly reported.The BITO film with thickness of 300 nm had mainly In_(2)O_(3) polycrystalline phase,and minor polycrystalline BTO phase with(001),(011),(111),(002),(222)crystal faces which were first deposited at room temperature on amorphous glass.The transmittance was 70%–80%in the visible light region with linear refractive index of 1.94 and extinction coefficient of 0.004 at 550-nm wavelength.The basic optical properties included the real and imaginary parts,high frequency dielectric constants,the absorption coefficient,the Urbach energy,the indirect and direct band gaps,the oscillator and dispersion energies,the static refractive index and dielectric constant,the average oscillator wavelength,oscillator length strength,the linear and the third-order nonlinear optical susceptibilities,and the nonlinear refractive index were all calculated.The film was the n-type conductor with sheet resistance of 704.7Ω/□,resistivity of 0.02Ω⋅cm,mobility of 18.9 cm2/V⋅s,and carrier electron concentration of 1.6×10^(19) cm^(−3) at room temperature.The results suggested that the BITO film deposited by FCVA had potential application in transparent conductive films-based low temperature device process. 展开更多
关键词 BaSnO_(3)and In_2O_(3)mixed film filtered cathodic vacuum arc deposition transparent conductive films microstructure optical properties electrical properties
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FCVAD合成Ta-C薄膜的Raman和XPS分析 被引量:2
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作者 王广甫 刘玉龙 +1 位作者 田人和 张荟星 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期608-611,共4页
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80~ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 .
关键词 过滤阴极真空弧沉积 沉积能量 sp^3键所占比例 fcvaD 钽-碳薄膜
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FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析 被引量:3
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作者 王广甫 张荟星 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期535-539,共5页
掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XP... 掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%。但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢。 展开更多
关键词 磁过滤阴极真空弧沉积 掺杂 固体薄膜材料 钽-碳薄膜 氮原子 X射线分析 RAMAN光谱分析
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The Properties of the Rectangular Arc Ion Plating with Magnetic Filtering Shutter
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作者 石中兵 童洪辉 +5 位作者 刘小波 熊涛 李勇 严复秀 赵燕 杨作贵 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第6期2581-2584,共4页
A major obstacle to the broad application of cathodic arc plasma deposition is the presence of macroparticles. In this paper, the properties of the large rectangular arc ion plating with a magnetic filtering shutter s... A major obstacle to the broad application of cathodic arc plasma deposition is the presence of macroparticles. In this paper, the properties of the large rectangular arc ion plating with a magnetic filtering shutter system to filter macroparticles are studied. It is proposed that the macroparticles in the plasma beam are effectively removed with the magnetic filtering shutter system, and the quality of the deposited films is improved. 展开更多
关键词 magnetic filtering shutter cathodic vacuum arc macroparticles removal plasma
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Tribological properties of multilayer tetrahedral amorphous carbon coatings deposited by filtered cathodic vacuum arc deposition
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作者 Young-Jun JANG Jae-Il KIM +1 位作者 WooYoung LEE Jongkuk KIM 《Friction》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第5期1292-1302,共11页
Tetrahedral amorphous carbon(ta‐C)has emerged as an excellent coating material for improving the reliability of application components under high normal loads.Herein,we present the results of our investigations regar... Tetrahedral amorphous carbon(ta‐C)has emerged as an excellent coating material for improving the reliability of application components under high normal loads.Herein,we present the results of our investigations regarding the mechanical and tribological properties of a 2‐μm‐thick multilayer ta‐C coating on high‐speed steel substrates.Multilayers composed of alternating soft and hard layers are fabricated using filtered a cathodic vacuum arc with alternating substrate bias voltages(0 and 100 V or 0 and 150 V).The thickness ratio is discovered to be 1:3 for the sp2‐rich and sp3‐rich layers.The results show that the hardness and elastic modulus of the multilayer ta‐C coatings increase with the sp3 content of the hard layer.The hardness reached approximately 37 GPa,whereas an improved toughness and a higher adhesion strength(>29 N)are obtained.The friction performance(μ=0.07)of the multilayer coating is similar to that of the single layer ta‐C thick coating,but the wear rate(0.13×10^(–6) mm^(3)/(N∙m))improved under a high load of 30 N.We further demonstrate the importance of the multilayer structure in suppressing crack propagation and increasing the resistance to plastic deformation(H3/E2)ratio. 展开更多
关键词 tetrahedral amorphous carbon(ta‐C) filtered cathodic vacuum arc deposition multilayer coatings alternating substrate bias voltage wear resistance plastic deformation resistance
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磁过滤真空弧源沉积技术制备C/C多层类金刚石膜及其摩擦磨损性能研究 被引量:19
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作者 沟引宁 孙鸿 +2 位作者 黄楠 张文英 冷永祥 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期121-124,共4页
采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术在S i基体和GCr15基体表面制备了C/C多层DLC膜,通过X射线光电子能谱仪分析薄膜结构特征;用原子力显微镜观察C/C多层DLC膜的表面形貌;采用台阶仪测试薄膜厚度;利用纳米硬度仪测试薄膜纳米硬度;在销盘... 采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术在S i基体和GCr15基体表面制备了C/C多层DLC膜,通过X射线光电子能谱仪分析薄膜结构特征;用原子力显微镜观察C/C多层DLC膜的表面形貌;采用台阶仪测试薄膜厚度;利用纳米硬度仪测试薄膜纳米硬度;在销盘式摩擦磨损试验机上进行C/C多层DLC膜在大气下的摩擦性能评价,同时比较了单层DLC膜、TiN膜和C/C多层DLC膜的耐磨性能.结果表明:C/C多层DLC膜表面光滑、致密,厚度达0.7μm,硬度高达68 GPa,与S iC球对摩时的摩擦系数为0.10左右,耐磨性明显优于单层DLC膜和TiN膜. 展开更多
关键词 磁过滤阴极真空弧源 C/C多层DLC膜 摩擦磨损性能
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MEVVA离子束技术的发展及应用 被引量:6
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作者 吴先映 廖斌 +4 位作者 张旭 李强 彭建华 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期132-138,共7页
金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注... 金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况. 展开更多
关键词 MEVVA离子注入 磁过滤等离子体沉积 材料表面改性
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磁过滤真空弧源沉积C/C多层复合膜的结构和力学性能研究 被引量:6
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作者 沟引宁 黄楠 +2 位作者 孙鸿 张文英 冷永祥 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期66-69,73,共5页
采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术在不锈钢基体表面制备了C/C多层复合膜,通过X射线光电子能谱、Ra-man光谱对薄膜的结构进行表征;C/C多层膜大气下的摩擦损性能在销盘式摩擦磨损试验机上进行;用洛氏压痕法研究了薄膜与基体的结合强度... 采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术在不锈钢基体表面制备了C/C多层复合膜,通过X射线光电子能谱、Ra-man光谱对薄膜的结构进行表征;C/C多层膜大气下的摩擦损性能在销盘式摩擦磨损试验机上进行;用洛氏压痕法研究了薄膜与基体的结合强度。结果表明:C/C多层复合膜为类金刚石结构。它与SiC球大气下的摩擦系数为0.10左右,其摩损性能由于多层膜的引入而显著提高。Ti过渡层的引入显著提高了膜基结合力。 展开更多
关键词 磁过滤直流阴极真空弧源 C/C多层复合膜 X射线光电子能谱 RAMAN光谱 磨损性能
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类金刚石碳膜的研究进展 被引量:12
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作者 江功武 于翔 王成彪 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1-6,共6页
从类金刚石碳膜作为耐磨薄膜的角度出发 ,综述了近年来类金刚石碳膜 (DLC)结构、沉积技术、沉积机理和性能方面的相关研究进展。介绍了DLC的相结构、过滤阴极真空弧 (FCVA)、类金刚石碳膜的沉积机理及主要工艺影响因素 ,同时指出了存在... 从类金刚石碳膜作为耐磨薄膜的角度出发 ,综述了近年来类金刚石碳膜 (DLC)结构、沉积技术、沉积机理和性能方面的相关研究进展。介绍了DLC的相结构、过滤阴极真空弧 (FCVA)、类金刚石碳膜的沉积机理及主要工艺影响因素 ,同时指出了存在的问题及研究发展趋势。 展开更多
关键词 相结构 过滤阴极真空弧(fcva) sp^3和氢含量 发展趋势
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复合离子束制备氮化物多层膜的抗冲蚀性能 被引量:6
11
作者 金杰 王丽叶 +3 位作者 黄晓林 孟祥宇 陈蕴博 高克玮 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期32-38,共7页
为了在TC4钛合金上获得抗冲蚀性能优良的膜层,利用金属蒸发真空多弧(Metal evaporation vacuum arc,MEVVA)离子源和阴极真空磁过滤弧复合离子束沉积技术在TC4钛合金基材表面制备Cr/Cr-N、Ti/Ti-N、Cr-Ti/Cr-Ti-N、Ti-Al/Ti-Al-N 4种体... 为了在TC4钛合金上获得抗冲蚀性能优良的膜层,利用金属蒸发真空多弧(Metal evaporation vacuum arc,MEVVA)离子源和阴极真空磁过滤弧复合离子束沉积技术在TC4钛合金基材表面制备Cr/Cr-N、Ti/Ti-N、Cr-Ti/Cr-Ti-N、Ti-Al/Ti-Al-N 4种体系的多层膜。采用努普显微硬度计、划痕仪、微粒喷浆冲蚀试验机、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、体式显微镜等仪器对不同体系膜层的力学性能及形貌进行测试表征,对比研究各膜层体系抗冲蚀性能的机理。结果表明:该技术制备的膜层致密、交替层结构明显;不同膜层体系的抗冲蚀性能差异较大,尤以二元金属及其氮化物交替复合多层膜具有较好的抗冲蚀性能,其中CrTi/Cr-Ti-N体系的膜层抗冲蚀性能相比基体提高10.1倍以上,其次为Ti-Al/Ti-Al-N、Ti/Ti-N、Cr/Cr-N,分别提高6.1倍、4.1倍和2.3倍。 展开更多
关键词 MEVVA离子源 阴极真空磁过滤 多元氮化物 抗冲蚀
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不同厚度四面体非晶碳薄膜的拉曼表征和内应力 被引量:4
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作者 朱嘉琦 韩杰才 +1 位作者 高巍 孟松鹤 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期59-63,共5页
为了探讨膜厚对四面体非晶碳薄膜拉曼结构表征和内应力的影响规律,进而确定应力与拉曼光谱之间的关系,采用过滤阴极真空电弧技术以相同的工艺条件在P(100)单晶抛光硅衬底上制备了从3nm^350nm不同厚度的四面体非晶碳薄膜。利用表面轮廓... 为了探讨膜厚对四面体非晶碳薄膜拉曼结构表征和内应力的影响规律,进而确定应力与拉曼光谱之间的关系,采用过滤阴极真空电弧技术以相同的工艺条件在P(100)单晶抛光硅衬底上制备了从3nm^350nm不同厚度的四面体非晶碳薄膜。利用表面轮廓仪和原子力显微镜测试膜厚,表面轮廓仪确定曲率半径并计算薄膜应力,共聚焦拉曼光谱表征薄膜的结构细节。实验发现,随着膜厚的增加,四面体非晶碳薄膜的应力持续下降,当膜厚超过30nm时,应力的下降趋势变得平缓,并保持在小于5GPa的较低水平。随着膜厚的增加,可见光拉曼光谱中衬底硅的一阶和二阶谱峰强度逐渐降低,在50nm^80nm膜厚范围,半高宽最窄,峰强最高,能够最有效地获得拉曼结构信息。随着膜厚的增加和应力的下降,非晶碳一阶谱峰的峰位表现为逐渐向低频偏移。 展开更多
关键词 四面体非晶碳 过滤阴极真空电弧 拉曼光谱 应力
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Cr-Ti-N系多层膜成分及周期对抗冲蚀性能的影响 被引量:3
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作者 金杰 黄晓林 +2 位作者 孟祥宇 陈蕴博 高克玮 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期105-112,共8页
苛刻环境下发动机组件存在严重的固体颗粒(SPE)冲蚀,导致其可靠性降低。为研究多层膜成分及调制周期对膜层冲蚀性能的影响,利用金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)和磁过滤阴极真空弧复合离子束沉积技术在AM355基材表面制备交替周期分别为5、1... 苛刻环境下发动机组件存在严重的固体颗粒(SPE)冲蚀,导致其可靠性降低。为研究多层膜成分及调制周期对膜层冲蚀性能的影响,利用金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)和磁过滤阴极真空弧复合离子束沉积技术在AM355基材表面制备交替周期分别为5、13和26的3组CrNx/TimCr1-mN、TiNy/TimCr1-mN多层膜。采用微粒喷浆冲蚀试验机、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)等对膜层冲蚀性能、形貌及物相结构进行测试表征。结果表明:采用该技术制备的CrNx/TimCr1-mN、TiNy/TimCr1-mN多层膜结构致密、交替层变化明显。随着交替周期的增加,两体系多层膜的晶面间距减小,抗冲蚀性能得到提高,分别提高了8倍和20倍以上。 展开更多
关键词 磁过滤阴极真空弧 多层膜 交替周期 冲蚀性能
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可降解纯铁薄膜的制备和血液相容性 被引量:3
14
作者 朱生发 徐莉 +3 位作者 李贵才 石志峰 孙鸿 黄楠 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期495-499,共5页
用磁过滤阴极真空弧源法在单晶硅基片上制备纯铁薄膜,分析了薄膜表面的组成、元素价态和薄膜的物相结构,研究了薄膜的腐蚀降解行为和抗凝血性能.结果表明:具有纳米晶粒的纯铁薄膜其腐蚀速率低于普通晶粒的纯铁,在纯铁薄膜表面粘附的血... 用磁过滤阴极真空弧源法在单晶硅基片上制备纯铁薄膜,分析了薄膜表面的组成、元素价态和薄膜的物相结构,研究了薄膜的腐蚀降解行为和抗凝血性能.结果表明:具有纳米晶粒的纯铁薄膜其腐蚀速率低于普通晶粒的纯铁,在纯铁薄膜表面粘附的血小板数量少于316L不锈钢,且激活和团聚比较轻微,增生的伪足数量比较少;纯铁薄膜表面对血浆中的凝血因子激活比较轻微,具有较好的抗腐蚀性和血液相容性. 展开更多
关键词 金属材料 纯铁薄膜 磁过滤阴极弧源 血液相容性 可降解
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C/C多层类金刚石薄膜的热稳定性研究 被引量:8
15
作者 沟引宁 黄楠 孙鸿 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期557-560,共4页
采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术,通过改变基体偏压,在单晶Si片和0Cr19Ni9基体表面制备了C/C多层类金刚石薄膜。为了考察多层膜的热稳定性,对薄膜进行了300℃及400℃退火处理,采用X射线光电子能谱、硬度实验及摩擦磨损性能测试分析... 采用磁过滤直流阴极真空弧源沉积技术,通过改变基体偏压,在单晶Si片和0Cr19Ni9基体表面制备了C/C多层类金刚石薄膜。为了考察多层膜的热稳定性,对薄膜进行了300℃及400℃退火处理,采用X射线光电子能谱、硬度实验及摩擦磨损性能测试分析了退火对薄膜结构及性能的影响。结果表明在400℃范围内多层膜具有较高的热稳定性。 展开更多
关键词 磁过滤直流阴极真空弧源 C/C多层类金刚石薄膜 热稳定性
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掺磷四面体非晶碳薄膜电极的电化学伏安特性 被引量:3
16
作者 刘爱萍 朱嘉琦 +2 位作者 韩杰才 韩潇 吴化平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1056-1060,共5页
采用过滤阴极真空电弧技术,以高纯磷烷气体为掺杂源制备掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜.利用X射线光电子能谱和激光拉曼光谱表征薄膜的成分和结构,采用循环伏安和微分脉冲伏安分析薄膜的电化学行为.结果表明,磷的掺入没有引起薄膜非晶结... 采用过滤阴极真空电弧技术,以高纯磷烷气体为掺杂源制备掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜.利用X射线光电子能谱和激光拉曼光谱表征薄膜的成分和结构,采用循环伏安和微分脉冲伏安分析薄膜的电化学行为.结果表明,磷的掺入没有引起薄膜非晶结构的明显变化,只是促进了sp^2杂化碳原子的团簇.经过酸预处理的ta-C:P薄膜在硫酸溶液中有宽的电势窗口和低的背景电流;对Cl^-有催化活性;薄膜表面电子传输速度快;对水溶液中Cu^(2+)和Cd^(2+)有检测活性.因此具有良好导电性的ta-C:P薄膜适于作为电极并有望用于污水中重金属离子的分析检测等领域. 展开更多
关键词 过滤阴极真空电弧 掺磷四面体非晶碳 电极 伏安行为
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聚焦磁场对系统弧放电和传输效率的影响 被引量:7
17
作者 王广甫 张荟星 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期340-343,共4页
在 90°磁过滤管道和阴极之间加一 30~ 6 0V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用 .在此情况下对聚焦磁场对MEVVA源阳极 阴极以及磁过滤管道 阴极 2个回路弧放电和磁过滤管道传输效率的影响进行了实验研究 .研究表... 在 90°磁过滤管道和阴极之间加一 30~ 6 0V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用 .在此情况下对聚焦磁场对MEVVA源阳极 阴极以及磁过滤管道 阴极 2个回路弧放电和磁过滤管道传输效率的影响进行了实验研究 .研究表明 ,随聚焦磁场升高 ,MEVVA源阳极和阴极之间的弧放电规模减小 ,而磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模增大 ,并且系统的等离子体传输效率也随之升高 . 展开更多
关键词 弧放电 磁过滤管道 聚焦磁场 等离子体 传输效率
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纳米金增强掺磷四面体非晶碳膜的电化学活性 被引量:3
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作者 刘爱萍 朱嘉琦 韩杰才 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期363-369,共7页
采用电沉积法在过滤阴极真空电弧技术合成的掺磷四面体非晶碳(ta-C∶P)薄膜表面沉积纳米金团簇,制备纳米金修饰的掺磷非晶碳(Au/ta-C∶P)薄膜电极。利用X射线光电子能谱、拉曼光谱、扫描电子显微镜和电化学伏安法表征ta-C∶P和Au/ta-C∶... 采用电沉积法在过滤阴极真空电弧技术合成的掺磷四面体非晶碳(ta-C∶P)薄膜表面沉积纳米金团簇,制备纳米金修饰的掺磷非晶碳(Au/ta-C∶P)薄膜电极。利用X射线光电子能谱、拉曼光谱、扫描电子显微镜和电化学伏安法表征ta-C∶P和Au/ta-C∶P的微观结构、表面形貌和电化学行为。结果表明,-80V的脉冲偏压更利于磷原子进入碳的网络,并明显增加薄膜的电导率和电化学活性。纳米金团簇可增加ta-C∶P电极的有效面积,提高对铁氰化钾氧化还原反应的活性和电极可逆性,增强对多巴胺的催化活性。研究结果揭示ta-C∶P和Au/ta-C∶P薄膜在电分析及生物传感器方面的潜在应用。 展开更多
关键词 掺磷四面体非晶碳电极 纳米金团簇 过滤阴极真空电弧 电化学活性 巴多胺 生物传感器
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磁过滤阴极真空弧法制备类金刚石膜的场致发射特性研究 被引量:2
19
作者 李建 童洪辉 +2 位作者 王坤 但敏 金凡亚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期8204-8209,共6页
采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类... 采用磁过滤阴极真空弧沉积法,在Cu基底表面上制备了以钛(Ti)和碳化碳(TiC)作为过滤层的类金刚石膜层。利用自制的场致发射特性测试设备,研究了类金刚石膜层的场致发射特性。利用拉曼光谱仪(Raman)和扫描电子显微镜(SEM)等分析方法对类金刚石膜的键合结构和微观形貌进行了表征。研究发现,利用磁过滤阴极真空弧沉积法可以在沉积温度100℃下制备膜基结合力较好的类金刚石膜。沉积速率为15 nm/min。类金刚石膜具有较好的场致发射特性,开启电压约为40 V/μm。Raman分析得到不同基底偏压下的类金刚石膜的ID/IG为1.19~1.57;SEM分析显示薄膜的微观结构上具有微米级突起结构。实验表明,应用磁过滤阴极真空弧方法可以制备出高sp3含量、表面具有微米级突起的类金刚石膜,这种类金刚石膜具有有利于场致发射的特性。 展开更多
关键词 类金刚石膜 场致发射 磁过滤阴极真空弧沉积 脉冲偏压 过渡层
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真空电弧离子镀对纯钛表面粗糙度影响的研究 被引量:2
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作者 肖惠军 郭天文 +2 位作者 王宝成 王晓洁 张惠 《口腔颌面修复学杂志》 2005年第2期129-131,共3页
目的:评价电弧离子镀膜对纯钛表面粗糙度的影响,为临床应用提供实验依据。方法:铸造12mm×12mm×1.4mm的纯钛试样共8个,常规喷砂和抛光处理后,分别测试真空电弧离子镀膜处理前和处理后的钛试件表面粗糙度(Ra),并进行配对T检验... 目的:评价电弧离子镀膜对纯钛表面粗糙度的影响,为临床应用提供实验依据。方法:铸造12mm×12mm×1.4mm的纯钛试样共8个,常规喷砂和抛光处理后,分别测试真空电弧离子镀膜处理前和处理后的钛试件表面粗糙度(Ra),并进行配对T检验统计处理。结果:真空电弧离子镀膜表面处理前后表面粗糙度无统计学差异(P>0.5)。结论:电弧离子镀膜技术对铸钛件表面的粗糙度无不良影响,用于钛支架的表面着色改性,能保持原义齿表面的加工质量。 展开更多
关键词 表面粗糙度 真空电弧离子镀 铸钛技术 口腔 义齿
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