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10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现
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作者 冯旺 刘新宇 +3 位作者 田晓丽 杨雨 郑昌伟 杨成樾 《电源学报》 CSCD 北大核心 2023年第1期202-207,共6页
提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,... 提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环ES-FLRs(equally spaced field limiting rings)终端和五区多重场限环终端对器件击穿特性的影响。仿真结果表明,五区多重场限环终端具有更均衡的近表面电场分布,减缓电场集中,优化空间电荷区横向扩展,且击穿电压可达到14.5 kV,而等间距场限环终端击穿电压仅为7.5 kV。同时,分别对五区多重场限环终端,以及采用此终端结构的P沟道SiC IGBT进行流片验证。测试结果表明,五区多重场限环终端可以实现12.2 kV的击穿电压;P沟道SiC IGBT的击穿电压达到10 kV时,漏电流小于300 nA,并且栅源电压为-20 V,集电极正向电流为-10 A时,器件的正向导通压降为-8 V。 展开更多
关键词 碳化硅 绝缘栅双极晶体管 五区多重场限环 击穿电压
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Reset noise reduction through column-level feedback reset in CMOS image sensors
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作者 李斌桥 徐江涛 +1 位作者 谢爽 孙忠岩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期137-141,共5页
A low reset noise CMOS image sensor (CIS) based on column-level feedback reset is proposed. A feedback loop was formed through an amplifier and a switch. A prototype CMOS image sensor was developed with a 0.18μm CI... A low reset noise CMOS image sensor (CIS) based on column-level feedback reset is proposed. A feedback loop was formed through an amplifier and a switch. A prototype CMOS image sensor was developed with a 0.18μm CIS process. Through matching the noise bandwidth and the bandwidth of the amplifier, with the falling time period of the reset impulse 6μs, experimental results show the reset noise level can experience up to 25 dB reduction. The proposed CMOS image sensor meets the demand of applications in high speed security surveillance systems, especially in low illumination. 展开更多
关键词 CMOS image sensor reset noise feedback reset five-transistor pixel global shutter
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Wide dynamic range CMOS image sensor with in-pixel double-exposure and synthesis
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作者 李斌桥 孙忠岩 徐江涛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期73-77,共5页
A wide-dynamic-range CMOS image sensor(CIS) based on synthesis of a long-time and a short-time exposure signal in the floating diffusion(FD) of a five-transistor active pixel is proposed.With optimized pixel opera... A wide-dynamic-range CMOS image sensor(CIS) based on synthesis of a long-time and a short-time exposure signal in the floating diffusion(FD) of a five-transistor active pixel is proposed.With optimized pixel operation,the response curve is compressed and a wide dynamic range image is obtained.A prototype wide-dynamic-range CMOS image sensor was developed with a 0.18μm CIS process.With the double exposure time 2.4 ms and 70 ns,the dynamic range of the proposed sensor is 80 dB with 30 frames per second(fps).The proposed CMOS image sensor meets the demands of applications in security surveillance systems. 展开更多
关键词 CMOS image sensor double exposure dynamic range five-transistor active pixel
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含有酰亚胺结构单元的氮杂和硫杂稠五环分子的合成与性能研究 被引量:2
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作者 杨宁 乔小兰 +3 位作者 房忍忍 陶竞炜 郝健 李洪祥 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第4期335-339,共5页
设计合成了含有酰亚胺结构单元的氮杂和硫杂稠五环共轭分子1和2,并对它们的物理化学性质进行了研究.实验结果显示酰亚胺基团的引入不仅使得分子具有良好的溶解性,而且有效地降低分子的HOMO和LUMO能级.化合物1的单晶结构显示其共轭核具... 设计合成了含有酰亚胺结构单元的氮杂和硫杂稠五环共轭分子1和2,并对它们的物理化学性质进行了研究.实验结果显示酰亚胺基团的引入不仅使得分子具有良好的溶解性,而且有效地降低分子的HOMO和LUMO能级.化合物1的单晶结构显示其共轭核具有良好的平面性.单晶中,化合物1通过强的π-π相互作用形成二聚体,二聚体之间存在强的氢键相互作用.基于化合物2的薄膜场效应晶体管表现出p-型场效应晶体管行为,其最高迁移率为2.75×10^(-3)cm^2·V^(-1)·s^(-1). 展开更多
关键词 有机半导体 并五稠环共轭分子 有机场效应晶体管
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