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Preparation of fine copper powders and their application in BME-MLCC 被引量:6
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作者 Songping Wu Haoli Qin Pu Li 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 CSCD 2006年第3期250-255,共6页
The preparation of fine copper powders by chemical reduction method was investigated. The reaction of [Cu(NH3)4]2^+ complex with hydrazine hydrate gives spherical monodispersed fine copper powders. The spherical co... The preparation of fine copper powders by chemical reduction method was investigated. The reaction of [Cu(NH3)4]2^+ complex with hydrazine hydrate gives spherical monodispersed fine copper powders. The spherical copper powder with a uniform size of 3.5 ± 0.5 μtm was processed to obtain flake copper powder having a uniform size of 8-10 μm, excellent dispersibility and uniform shape. The spherical copper powder of 2.5 ±0.3 μm in size, flake copper, glass frit and vehicle were mixed to prepare copper paste, which was fired in 910-920℃ to obtain BME-MLCC (base metal multilayer ceramic capacitor) with a dense surface of end termination, high adhesion and qualified electrical behavior. Polarized light photo and SEM were employed to observe the copper end termination of BME-MLCC. The rough interface from the interracial reaction between glass and chip gives high adhesion. 展开更多
关键词 spherical copper powder flake copper powder chemical reduction BME-MLCC
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化学还原法制备导电涂料用片状超细铜粉的研究 被引量:16
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作者 曹晓国 吴伯麟 《涂料工业》 CAS CSCD 2004年第6期10-13,共4页
以CuSO4·5H2 O为原料 ,抗坏血酸为还原剂 ,NH3 ·H2 O为络合剂 ,将络合剂在反应温度加到CuSO4·5H2 O溶液中 ,再加入还原剂 ,制备了粒径分布为 1~ 10 μm的片状铜粉。探索与分析NH3 ·H2 O的用量、反应温度和CuSO4浓... 以CuSO4·5H2 O为原料 ,抗坏血酸为还原剂 ,NH3 ·H2 O为络合剂 ,将络合剂在反应温度加到CuSO4·5H2 O溶液中 ,再加入还原剂 ,制备了粒径分布为 1~ 10 μm的片状铜粉。探索与分析NH3 ·H2 O的用量、反应温度和CuSO4浓度对铜粉形貌及产率的影响。结果表明 :络合剂的使用是制备片状超细铜粉的关键 ,其与Cu2 + 形成络合物 ,减少溶液中游离Cu2 + 的浓度 ,控制铜的生成速度 ,并影响铜的成核和生长 ,最终形成片状铜粉。 展开更多
关键词 化学还原法 制备方法 导电涂料 铜粉 络合剂 导电性 抗坏血酸 还原剂
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直接还原法制备片状超细铜粉 被引量:3
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作者 曹晓国 吴伯麟 钟莲云 《涂料工业》 CAS CSCD 2004年第2期17-19,共3页
采用化学还原法 ,以抗坏血酸为还原剂 ,氨水为络合剂 ,制备了片状超细铜粉 (粒径 1~ 10 μm)。通过正交试验确定了制备片状超细铜粉的最佳反应温度、氨水的用量和五水硫酸铜的浓度 。
关键词 片状超细铜粉 导电填料 制备 化学还原法 抗坏血酸 氨水 正交试验
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化学法合成防辐射导电涂料用超细铜粉 被引量:15
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作者 钟莲云 吴伯麟 贺立勇 《桂林工学院学报》 2004年第1期76-79,共4页
采用化学合成法可低成本制备超细铜粉.以金属锌和五水硫酸铜为原料,用氨水调节pH值,研究了硫酸铜浓度、氨水加入量、反应温度等对超细铜粉粒径大小的影响,获得了制备亚微米级超细铜粉的最佳反应条件:在温度为50~55℃,浓度为0 6mol/L的4... 采用化学合成法可低成本制备超细铜粉.以金属锌和五水硫酸铜为原料,用氨水调节pH值,研究了硫酸铜浓度、氨水加入量、反应温度等对超细铜粉粒径大小的影响,获得了制备亚微米级超细铜粉的最佳反应条件:在温度为50~55℃,浓度为0 6mol/L的400mL硫酸铜溶液中,加入8mL氨水(φ=25%)可制得视密度(自然堆积时单位体积的质量)较小的0 1μm超细铜粉.通过球磨改性使其呈片状、鳞片状,减少了用作导电涂料时铜粉的用量,降低了导电涂料的电阻率. 展开更多
关键词 锌粒 化学合成 亚微米 超细铜粉 球磨 片状铜粉
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高导电片状银包铜粉的制备技术研究 被引量:6
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作者 伍继君 朱晓云 +2 位作者 郭忠诚 黄峰 李国明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期39-42,共4页
采用[Ag(NH3)]^+溶液对片状铜粉进行包覆,研究了铜粉粒径、[Ag(NH3)]^+溶液浓度、包覆温度、分散剂含量等因素对银包铜粉银含量和电阻率等的影响。结果表明:通过控制包覆温度(60℃)、银氨络离子浓度(0.8mol·L^-1)以... 采用[Ag(NH3)]^+溶液对片状铜粉进行包覆,研究了铜粉粒径、[Ag(NH3)]^+溶液浓度、包覆温度、分散剂含量等因素对银包铜粉银含量和电阻率等的影响。结果表明:通过控制包覆温度(60℃)、银氨络离子浓度(0.8mol·L^-1)以及分散剂含量(1.0g·L^-1),得到了电阻率为0.8×10^-3Ω·cm的银包铜粉。XRD分析表明,该银包铜粉只有Ag和Cu相,不含中间产物。银包铜粉松装密度为0.50g·cm^-3左右,比表面积为3.1~3.3m^2·g^-1。 展开更多
关键词 复合材料 导电性 片状银包铜粉 包覆温度 分散剂
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真空蒸发—冷凝法制备片状Cu粉 被引量:3
6
作者 时圣店 杨斌 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期110-114,119,共6页
采用蒸发—冷凝法在真空条件下制备了片状Cu粉,并用激光粒度分析仪(SL)、扫描电镜(SEM)、辉光放电质谱仪(GDMS)和X射线衍射仪(XRD)对片状Cu粉进行表征。结果表明,制备的Cu粉为面心立方结构,表面平整,分散性好,粒径为10~30μm,厚... 采用蒸发—冷凝法在真空条件下制备了片状Cu粉,并用激光粒度分析仪(SL)、扫描电镜(SEM)、辉光放电质谱仪(GDMS)和X射线衍射仪(XRD)对片状Cu粉进行表征。结果表明,制备的Cu粉为面心立方结构,表面平整,分散性好,粒径为10~30μm,厚1~2μm。试验考察了蒸发温度、真空度、保温时间和冷凝高度4个因素对片状Cu粉粒径和形貌的影响,发现蒸发温度和真空度对蒸发速率有较大影响;探讨了Cu粉颗粒的形成机制。 展开更多
关键词 片状Cu粉 真空 蒸发—冷凝法 形貌表征
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片状镀银铜粉的制备及性能研究 被引量:8
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作者 朱晓云 杨勇 《昆明理工大学学报(理工版)》 2001年第6期118-120,共3页
采用三种制备方法制备片状镀银铜粉,并对其性能进行比较,结果表明:(1)不同制备方法银在片状铜粉上的表面形貌不同,采用化学镀银后再球磨,能得到导电性好的片状镀银铜粉;(2)无水乙醇洗涤、室温真空干燥的片状镀银铜粉,其比... 采用三种制备方法制备片状镀银铜粉,并对其性能进行比较,结果表明:(1)不同制备方法银在片状铜粉上的表面形貌不同,采用化学镀银后再球磨,能得到导电性好的片状镀银铜粉;(2)无水乙醇洗涤、室温真空干燥的片状镀银铜粉,其比重、松比及导电性能较好;(3)离子水洗涤,真空干燥温度为40℃时,得到导电性较好的片状镀银铜粉. 展开更多
关键词 片状镀银铜粉 制备方法 化学镀银 导电性 表面形貌 比重 松比
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天然鳞片石墨粉的化学镀铜工艺 被引量:2
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作者 姜魁光 高荣杰 +1 位作者 翟继伟 孙明志 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期46-49,共4页
为提高天然鳞片石墨镀铜效果,首先对天然鳞片石墨粉进行预处理,然后在其表面进行化学镀铜;研究了镀液温度、主盐浓度、还原剂加入量及装载量等因素对化学镀铜的影响,在此基础上获得了最佳工艺参数,最后对镀铜石墨粉进行钝化;对镀铜石墨... 为提高天然鳞片石墨镀铜效果,首先对天然鳞片石墨粉进行预处理,然后在其表面进行化学镀铜;研究了镀液温度、主盐浓度、还原剂加入量及装载量等因素对化学镀铜的影响,在此基础上获得了最佳工艺参数,最后对镀铜石墨粉进行钝化;对镀铜石墨粉进行了表征。结果表明:最佳化学镀铜工艺参数为镀液温度50.0℃,镀液中硫酸铜质量浓度20.0 g·L^(-1),甲醛加入量25.0mL·L^(-1),装载量为5.0~6.0 g·L^(-1);在此条件下,镀液稳定性好,且镀速较快,能够在石墨表面较为完整地镀覆一层金属铜,得到的镀铜石墨粉色泽光亮;苯并三氮唑(BTA)酒精溶液的钝化效果良好,可以有效防止新生铜的氧化。 展开更多
关键词 天然鳞片石墨 预处理 化学镀铜 钝化
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石墨纳米片对铜电子浆料导电性的影响 被引量:4
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作者 时晶晶 屈银虎 +3 位作者 成小乐 周宗团 符寒光 祁志旭 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期66-71,共6页
为改善铜浆导电性,以表面改性的金属铜粉为主要导电相,通过添加少量导电性优异的石墨纳米片作为导电增强相制备复合电子浆料,并采用四探针测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试方法研究了石墨纳米片的参数、添加量对铜电子浆料导电性... 为改善铜浆导电性,以表面改性的金属铜粉为主要导电相,通过添加少量导电性优异的石墨纳米片作为导电增强相制备复合电子浆料,并采用四探针测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试方法研究了石墨纳米片的参数、添加量对铜电子浆料导电性能的影响.结果表明:选用厚度为3~5 nm,片径为5μm的石墨纳米片作为导电增强相,制得石墨纳米片—铜电子浆料,在460℃烧结后导电膜层的电阻率较小;石墨纳米片与铜粉质量比为2∶98时,测得浆料电阻率为17.14 mΩ·cm,相比纯铜浆料电阻率34.43 mΩ·cm降低了50.22%.分析电子浆料导电机理并建立导电相连接几何模型,在导电膜层中,部分折断的石墨纳米片会填充到铜颗粒之间的空隙中,较长石墨纳米片则会形成"搭桥"现象,增加导电相之间的连接,形成较紧密的微观组织和良好的导电网络,从而改善复合浆料的导电性. 展开更多
关键词 石墨纳米片 电子浆料 铜粉 电阻率 导电机理
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液相化学还原法制备片状铜粉的研究 被引量:2
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作者 黄丹萍 符小艺 凌志远 《中国材料科技与设备》 2006年第6期30-32,共3页
在氨基乙酸和分散剂CTAB存在的情况下,以柠檬酸-水合肼溶液还原前驱体氧化亚铜制备片状结晶铜粉。本文着重考察了还原溶液pH值、CTAB/Cu、氨基乙酸/Cu以及反应温度对片状铜粉的影响。结果表明,分散剂CTAB的加入以及合适的pH值是形... 在氨基乙酸和分散剂CTAB存在的情况下,以柠檬酸-水合肼溶液还原前驱体氧化亚铜制备片状结晶铜粉。本文着重考察了还原溶液pH值、CTAB/Cu、氨基乙酸/Cu以及反应温度对片状铜粉的影响。结果表明,分散剂CTAB的加入以及合适的pH值是形成片状铜粉的关键因素;当pH在6、5—9.0,所获得的铜粉中片状颗粒含量随pH升高而降低;获得高含量的片状铜粉的条件为:pH值为6.5,nCTAB/Ca=0.05,n氨基乙酸/Ca=0.1,反应温度控制在55℃~65℃时,所制得的铜粉为发育良好的结晶粉体,表面平整,呈三角、六边形薄片状,其最大投射面的长度为1.0—6.31μm、厚度为0.1~0.3μm。 展开更多
关键词 片状铜粉 制备 PH值 CTAB
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用萃取-置换镀-球磨法一次性制备片状银包铜粉 被引量:1
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作者 刘成 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期25-28,共4页
将自制的球形超细铜粉,通过球磨改性成为片状铜粉,同时进行化学还原和铜离子萃取,在银氨溶液中置换镀银,使银均匀地沉积在铜的表面,并借助球磨的机械作用使镀层更紧密,包覆更完全。该工艺过程简单,可兼顾成本和性能两方面要求,可一次性... 将自制的球形超细铜粉,通过球磨改性成为片状铜粉,同时进行化学还原和铜离子萃取,在银氨溶液中置换镀银,使银均匀地沉积在铜的表面,并借助球磨的机械作用使镀层更紧密,包覆更完全。该工艺过程简单,可兼顾成本和性能两方面要求,可一次性制备高性能、低成本的片状镀银铜粉。 展开更多
关键词 金属材料 镀银铜粉 片状 萃取 抗氧化性 导电性
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