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Three-dimensional vertical ZnO transistors with suspended top electrodes fabricated by focused ion beam technology
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作者 Chi Sun Linyuan Zhao +4 位作者 Tingting Hao Renrong Liang Haitao Ye Junjie Li Changzhi Gu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第1期492-496,共5页
Three-dimensional(3D)vertical architecture transistors represent an important technological pursuit,which have distinct advantages in device integration density,operation speed,and power consumption.However,the fabric... Three-dimensional(3D)vertical architecture transistors represent an important technological pursuit,which have distinct advantages in device integration density,operation speed,and power consumption.However,the fabrication processes of such 3D devices are complex,especially in the interconnection of electrodes.In this paper,we present a novel method which combines suspended electrodes and focused ion beam(FIB)technology to greatly simplify the electrodes interconnection in 3D devices.Based on this method,we fabricate 3D vertical core-double shell structure transistors with ZnO channel and Al_(2)O_(3) gate-oxide both grown by atomic layer deposition.Suspended top electrodes of vertical architecture could be directly connected to planar electrodes by FIB deposited Pt nanowires,which avoid cumbersome steps in the traditional 3D structure fabrication technology.Both single pillar and arrays devices show well behaved transfer characteristics with an Ion/Ioff current ratio greater than 106 and a low threshold voltage around 0 V.The ON-current of the 2×2 pillars vertical channel transistor was 1.2μA at the gate voltage of 3 V and drain voltage of 2 V,which can be also improved by increasing the number of pillars.Our method for fabricating vertical architecture transistors can be promising for device applications with high integration density and low power consumption. 展开更多
关键词 three-dimensional(3D)vertical ZnO transistor focused ion beam(fib) suspended electrodes the electrical inter-connection in 3D devices
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基于MD模拟的低能FIB辐照金刚石靶材亚表层损伤形成机理研究
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作者 李啸 王全龙 +2 位作者 杨宇 邱蓬勃 武美萍 《轻工机械》 CAS 2024年第4期25-35,共11页
聚焦离子束(focused Ion beam,FIB)作为一种用于金刚石微铣刀的特种加工方式,其引发的损伤程度直接关联到刀具的加工性能和寿命。课题组采用LAMMPS软件进行分子动力学(Molecular Dynamics,MD)模拟,结合SRIM软件的分析结果,探究单晶金刚... 聚焦离子束(focused Ion beam,FIB)作为一种用于金刚石微铣刀的特种加工方式,其引发的损伤程度直接关联到刀具的加工性能和寿命。课题组采用LAMMPS软件进行分子动力学(Molecular Dynamics,MD)模拟,结合SRIM软件的分析结果,探究单晶金刚石亚表层损伤的形成机理和入射离子能量对损伤深度和范围的影响。模拟结果表明:随着入射离子能量的提升,离子束在材料内的渗透深度及引起的非晶层和点缺陷损伤均有所增加;进一步的研究发现损伤形成过程中材料局部温度的上升可能诱发自退火现象,且与离子入射能量成正比,该现象对于理解聚焦离子束加工引起的损伤有着至关重要的意义;而势能的变化与损伤形成之间的显著对应关系揭示了第一邻近原子的势能明显高于第二邻近原子,进而高于Other类型原子,这一发现有助于深入理解损伤形成的微观过程。因此,精确控制入射能量是实现金刚石材料高精度聚焦离子束加工的关键,且对自退火效应和势能变化的研究对损伤监控与控制同样重要。 展开更多
关键词 金刚石微铣刀 聚焦离子束 分子动力学 亚表层损伤 SRIM软件
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聚集离子束扫描电镜(FIB-SEM)在页岩纳米级孔隙结构研究中的应用 被引量:41
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作者 马勇 钟宁宁 +2 位作者 黄小艳 郭州平 姚立鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 2014年第3期251-256,共6页
页岩中大量发育的纳米级孔隙组成了页岩气储集的主要空间。聚集离子束扫描电镜(FIB-SEM)通过对页岩样品的连续切割和成像,能够在纳米尺度上三维重建页岩的空间分布。依据不同岩石组分灰度值的差异,可以将页岩内的孔隙、有机质、黄铁矿... 页岩中大量发育的纳米级孔隙组成了页岩气储集的主要空间。聚集离子束扫描电镜(FIB-SEM)通过对页岩样品的连续切割和成像,能够在纳米尺度上三维重建页岩的空间分布。依据不同岩石组分灰度值的差异,可以将页岩内的孔隙、有机质、黄铁矿等分割提取出来,不仅可以三维展示其空间分布形态,还可以对孔隙的分布特征和孔隙度等参数进行定量计算。聚集离子束扫描电镜在页岩纳米孔隙中的应用,将给页岩微观结构的深入研究提供新的研究手段。 展开更多
关键词 页岩气 聚焦离子束扫描电镜 fib-SEM 页岩纳米孔隙 三维重构
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高性能聚焦离子束(FIB)系统及其在材料科学领域的应用 被引量:8
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作者 周伟敏 吴国英 《实验室研究与探索》 CAS 2004年第9期19-20,52,共3页
采用液态镓作为离子源的FIB系统在材料科学研究领域可以起非常重要的作用。离子束聚焦于样品表面,在不同大小、束流及通入不同辅助气体的情况下,可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的沉淀,扫描离子成像等功能。该系统有三大用途:形貌观察... 采用液态镓作为离子源的FIB系统在材料科学研究领域可以起非常重要的作用。离子束聚焦于样品表面,在不同大小、束流及通入不同辅助气体的情况下,可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的沉淀,扫描离子成像等功能。该系统有三大用途:形貌观察,分辨率高达5nm;微刻蚀以及微沉淀。本文介绍了FIB技术的应用。 展开更多
关键词 聚焦离子束显微镜(fib) 透射电子显微分析(TEM) 材料科学
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聚焦离子束(FIB)刻蚀在光电子器件方面的应用 被引量:3
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作者 毕建华 陆家和 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第4期299-306,共8页
聚焦离子束无掩模微细加工技术逐渐引起人们的兴趣,它包括聚焦离子束无掩模刻蚀、注入、往积、光刻等。聚焦离子束刻蚀能在半导体激光器材料上加工得到具有光学精度的表面。首先论述聚焦离子束刻蚀的特点,然后概括说明目前它在光电子... 聚焦离子束无掩模微细加工技术逐渐引起人们的兴趣,它包括聚焦离子束无掩模刻蚀、注入、往积、光刻等。聚焦离子束刻蚀能在半导体激光器材料上加工得到具有光学精度的表面。首先论述聚焦离子束刻蚀的特点,然后概括说明目前它在光电子器件方面的若干应用。 展开更多
关键词 聚焦离子束 无掩模刻蚀 光电子器件
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FIB/SEM双束系统在微纳加工与表征中的应用 被引量:2
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作者 彭开武 《中国材料进展》 CAS CSCD 2013年第12期728-734,751,共8页
简要回顾了聚焦离子束/扫描电子显微镜双束系统在国家纳米科学中心的应用。围绕透射电镜样品制备、扫描电子显微镜与扫描离子显微镜、纳米材料的二维与三维表征等材料表征,以及离子束直接刻蚀加工如光子晶体阵列器件原型加工、材料沉积... 简要回顾了聚焦离子束/扫描电子显微镜双束系统在国家纳米科学中心的应用。围绕透射电镜样品制备、扫描电子显微镜与扫描离子显微镜、纳米材料的二维与三维表征等材料表征,以及离子束直接刻蚀加工如光子晶体阵列器件原型加工、材料沉积加工如用于电学性能测试的四电极制作、指定点加工如原子力显微镜针尖修饰、三维加工、电子束曝光及其与聚焦离子束联合加工等纳米结构加工两方面,以些具体实例分类进行了介绍。针对限制其应用的些不利因素,如加工效率低、面积小、精度不足、加工损伤等问题,些新技术如新型离子源Plasma、He+/Ne+离子等与现有Ga+聚焦离子束系统配合将成为未来发展方向。 展开更多
关键词 聚焦离子束 双束系统 纳米材料表征 纳米结构加工 电子束曝光 透射电镜样品制备
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FIB加工的三维单晶硅纳米螺旋的机械特性 被引量:1
7
作者 赖西湖 徐军 +2 位作者 吴文刚 经光银 郝一龙 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2007年第4期351-354,共4页
利用聚焦离子束(focused-ion-beam,FIB)刻蚀在纳米厚的单晶硅悬臂梁表面来制备三维纳米螺旋.单端固支的悬臂梁在FIB刻蚀引入的应力下卷曲,通过控制FIB应力引入的角度和间距,可制备出螺径在540~840nm、螺距在1780~2160nm间的系... 利用聚焦离子束(focused-ion-beam,FIB)刻蚀在纳米厚的单晶硅悬臂梁表面来制备三维纳米螺旋.单端固支的悬臂梁在FIB刻蚀引入的应力下卷曲,通过控制FIB应力引入的角度和间距,可制备出螺径在540~840nm、螺距在1780~2160nm间的系列三维纳米螺旋.利用原子力显微镜对纳米螺旋的机械特性进行了测量与研究.实验测得退火前与退火后的螺旋的横向弯曲弹性系数分别为40.74N/m和16.45N/m,而与之比较的单端悬臂梁的横向弯曲弹性系数在退火前后没有明显的变化.此外,在环境扫描显微镜中进行了螺旋的机构稳定性研究,实验发现FIB刻蚀制备的螺旋结构的稳定性很好. 展开更多
关键词 聚焦离子束 纳米螺旋 纳机电系统
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FIB-TOF-SIMS联用技术在矿物学研究中的应用 被引量:4
8
作者 王涛 葛祥坤 +1 位作者 范光 郭冬发 《铀矿地质》 CAS CSCD 2019年第4期247-252,共6页
基于聚焦离子束扫描电子显微镜的飞行时间二次离子质谱联用技术同时具备了聚焦离子束高空间分辨率以及飞行时间二次离子质谱轻元素、同位素分析以及较低的元素检出限的优势。可以实现:扫描电镜下原位分析H、Li、Be、B等轻元素;元素分布... 基于聚焦离子束扫描电子显微镜的飞行时间二次离子质谱联用技术同时具备了聚焦离子束高空间分辨率以及飞行时间二次离子质谱轻元素、同位素分析以及较低的元素检出限的优势。可以实现:扫描电镜下原位分析H、Li、Be、B等轻元素;元素分布的纳米级横向空间分辨率;元素三维空间分布。能够同时得到纳米级矿物的形貌、元素组成以及元素空间分布信息,该技术在地学领域有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 飞行时间二次离子质谱 聚焦离子束扫描电镜 元素三维空间分布 轻元素分析 纳米级空间分辨率
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基于卷积神经网络的岩心FIB-SEM图像分割算法 被引量:7
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作者 王润涵 李兵 滕奇志 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期264-274,共11页
岩心聚焦离子束扫描电镜(FIB-SEM)图像存在灰度分布不均及孔隙内局部高亮等现象,采用传统图像分割算法所得孔隙分割精度较低,而基于轮廓的分割算法需对孔隙进行人工标记,操作繁琐且无法精确提取孔隙。提出一种利用卷积神经网络的端到端... 岩心聚焦离子束扫描电镜(FIB-SEM)图像存在灰度分布不均及孔隙内局部高亮等现象,采用传统图像分割算法所得孔隙分割精度较低,而基于轮廓的分割算法需对孔隙进行人工标记,操作繁琐且无法精确提取孔隙。提出一种利用卷积神经网络的端到端岩心FIB-SEM图像分割算法。结合光流法与分水岭分割图像标注法构建岩心FIB-SEM数据集,联合ResNet50残差网络、通道和空间注意力机制提取特征信息,采用改进的特征金字塔注意力模块提取多尺度特征,利用亚像素卷积模块经上采样获取更精细的孔隙边缘并恢复为原始分辨率。实验结果表明,与阈值分割算法和基于主动轮廓的岩心FIB-SEM分割算法相比,该算法分割精度更高且无需人工操作,其平均像素精度和平均交并比分别达到90.00%和85.81%。 展开更多
关键词 深度学习 注意力机制 聚焦离子束扫描电镜 岩心图像 图像分割 特征金字塔
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FIB刻蚀对电化学制备多孔硅的影响
10
作者 王婧洁 徐甲强 焦继伟 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期355-361,共7页
通过聚焦离子束(focused ion beam,FIB)轰击处理制备得到一种新的微纳级多孔硅结构,并通过实验实现可控化.在图形化过程中,FIB轰击处的周围区域内多孔硅的电化学腐蚀被抑制,出现了抑制区,称为屏蔽区域.屏蔽区域的形成主要是由FIB轰击过... 通过聚焦离子束(focused ion beam,FIB)轰击处理制备得到一种新的微纳级多孔硅结构,并通过实验实现可控化.在图形化过程中,FIB轰击处的周围区域内多孔硅的电化学腐蚀被抑制,出现了抑制区,称为屏蔽区域.屏蔽区域的形成主要是由FIB轰击过程中硅粒子的二次碰撞所引起的.屏蔽区域的宽度在一定范围内与FIB的轰击电压、硅衬底的阻值成正相关.报道了一种圆形多孔硅结构:圆环上多孔硅密集分布,而环内完全没有孔结构,圆外围的屏蔽区域依然存在,使得该圆形结构得以从周围环境中独立出来.这种内部完全屏蔽的圆结构的直径最大可达10μm. 展开更多
关键词 多孔硅 聚焦离子束 屏蔽区域 二次碰撞效应
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基于FIB/HPCVD的MgB;超导微桥制备
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作者 张新月 李艳丽 +1 位作者 孔祥东 韩立 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第12期1100-1107,共8页
超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)Si... 超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)SiC衬底上制备出尺寸约1μm×1μm的微桥结构,然后采用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法,在带有微桥结构的SiC衬底上生长厚度约20 nm的MgB;薄膜,从而得到MgB;超导微桥。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,微桥处的薄膜致密,晶粒沿垂直于衬底表面的c轴方向生长;原子力显微镜(AFM)分析薄膜的粗糙度约为0.8 nm;电阻-温度(R-T)测试结果表明,MgB;微桥的上超导转变温度约为40.43 K;由电流-电压(I-V)测试结果计算得到MgB;超导微桥的临界电流密度约为1.2×10^(7)A/cm^(2)。该工作对基于超导微桥结构的超导热电子混频器等超导电子学器件的制备具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 聚焦离子束(fib) 混合物理化学气相沉积(HPCVD) MGB 薄膜 超导微桥 超导热电子混频器
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Equilibrium State of Anatase to Rutile Transformation for Titanium Dioxide Film Prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis Technique 被引量:1
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作者 Ghassem Kavei Auppatham Nakaruk Charles Chris Sorrell 《Materials Sciences and Applications》 2011年第6期700-705,共6页
Titanium dioxide thin films were deposited on (0001) α-quartz substrate by spray pyrolysis method. The method which an aerosol of Titanium Butoxide, generated ultrasonically, was sprayed on the substrate at temperatu... Titanium dioxide thin films were deposited on (0001) α-quartz substrate by spray pyrolysis method. The method which an aerosol of Titanium Butoxide, generated ultrasonically, was sprayed on the substrate at temperature of 400°C, kept at this temperature for periods of 3, 13, 19 and 39 hours. The developed films at a crystal phase correspond to the TiO2 anatase and rutile phases. Their surface roughness increased by annealing the samples at 600, 800 and 1000°C. Deposited film annealed at 1000°C showed preferable orientation in (110) direction. The crystal evolution and crystallographic properties of this material was studied by Lotgering method, X-ray Diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). The study revealed that the deposition process was nearly close to the classical Chemical Vapour Deposition (CVD) technique that is generally employed to produce films with smooth surface and good crystalline properties with a thickness of about 1 μm, as measured by Focused Ion Beam. 展开更多
关键词 Titanium Dioxide Ultrasonic Spray PYROLYSIS Annealing Treatment Phase TRANSFORMATion focused ion beam (fib)
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Nanoparticles Production and Inclusion in <i>S. aureus</i>Incubated with Polyurethane: An Electron Microscopy Analysis
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作者 Lyubov V. Didenko George A. Avtandilov +7 位作者 Natalia V. Shevlyagina N. M. Shustrova Tatiana A. Smirnova I. Y. Lebedenko Roberta Curia Claudio Savoia Francesco Tatti Marziale Milani 《Open Journal of Medical Imaging》 2013年第2期69-73,共5页
This study shows that submicron/nanoparticles found in bacterial cells (S. aureus) incubated with polyurethane (a material commonly used for prostheses in odontostomatology) are a consequence of biodestruction. The pr... This study shows that submicron/nanoparticles found in bacterial cells (S. aureus) incubated with polyurethane (a material commonly used for prostheses in odontostomatology) are a consequence of biodestruction. The presence of polyurethane nanoparticles into bacterial vesicles suggests that the internalization process occurs through endocytosis. TEM and FIB/SEM are a suitable set of correlated instruments and techniques for this multi facet investigation: polyurethane particles influence the properties of S. aureus from the morpho-functional standpoint that may have undesirable effects on the human body. S. aureus and C. albicans are symbiotic microorganisms;it was observed that C. albicans has a similar interaction with polyurethane and an increment of the biodestruction capacity is expected by its mutual work with S. aureus. 展开更多
关键词 POLYURETHANE S. AUREUS Biodestruction Endocytosis fib/SEM (focused ion beam/Scanning ELECTRON Microscope) TEM (Transmission ELECTRON Microscope) STEM (Scanning Transmission ELECTRON Microscope)
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光子晶体Micro LED微显示阵列加工及光学特性分析 被引量:1
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作者 孟媛 肖秧 +4 位作者 冯晓雨 何龙振 张鹏喆 宁平凡 刘宏伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期719-725,共7页
Micro LED器件具有高亮度、低功耗和高可靠性等优点,但Micro LED显示像素巨量转移和光提取效率低的问题为其应用带来挑战。开发了具有高转移效率和出光效率的单片64×64 Micro LED微显示阵列,提出了倒装型GaN基单片Micro LED微显示... Micro LED器件具有高亮度、低功耗和高可靠性等优点,但Micro LED显示像素巨量转移和光提取效率低的问题为其应用带来挑战。开发了具有高转移效率和出光效率的单片64×64 Micro LED微显示阵列,提出了倒装型GaN基单片Micro LED微显示阵列芯片和Si基驱动电路的设计方法及集成工艺。通过时域有限差分(FDTD)方法对Micro LED微显示阵列光学特性进行了建模分析,设计了一种提高Micro LED微显示阵列出光效率的光提取结构。结合仿真结果,开发了一种在Micro LED蓝宝石衬底表面制备光子晶体结构的聚焦离子束(FIB)微纳加工工艺,并进行了器件加工。测试结果表明,蓝宝石衬底上加工的光子晶体结构可以提高Micro LED器件的表面出光效率,光功率平均值提升了16.36%,对Micro LED微显示阵列加工及微显示像素光提取问题具有借鉴意义。 展开更多
关键词 Micro LED 微显示阵列 光子晶体结构 聚焦离子束(fib) 出光效率
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高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率 被引量:1
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作者 瞿敏妮 刘思琦 +4 位作者 刘民 李进喜 陈舒静 付学成 程秀兰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期131-136,共6页
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之... 利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之和,且刻蚀过程中产生的开口效应仅存在于α-Si层。通过氢氧化钾(KOH)溶液选择性地去除α-Si层,留下的LN表面结构侧壁陡直且无开口展宽效应。制备了刻蚀深度108 nm的超浅光栅耦合器,在924 nm波长处,其耦合效率为23.3%。制备了刻蚀深度70 nm的超浅光栅耦合器,在935 nm波长处,其耦合效率为14.4%。该研究为LN光栅耦合器的发展与应用提供了有益指导。 展开更多
关键词 超浅光栅耦合器 高侧壁垂直度 聚焦离子束(fib) 铌酸锂(LN) 非晶硅(α-Si)
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聚焦离子束工艺参数对单像素线刻蚀的影响
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作者 李美霞 施展 +2 位作者 陆熠磊 王英 杨明来 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期818-824,共7页
单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离... 单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离子束加工中,离子剂量与刻蚀线条宽度和深度之间呈正相关,与宽深比之间呈负相关;离子束流大小的变化对刻蚀深度影响不明显,但刻蚀宽度和宽深比随离子束流的增大而增大。此外,随着离子束流驻留时间增加,刻蚀宽度增大而深度减小;随着扫描步长百分比的增大,刻蚀深度增大,刻蚀宽度减小,分析结果表明这些变化与加工过程中再沉积作用有关。本研究成果为后续复杂图形的精密加工提供了重要参考依据。 展开更多
关键词 聚焦离子束(fib)刻蚀 加工参数 刻蚀形貌 单像素线 再沉积 宽深比
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Fabrication technique of micro/nano-scale speckle patterns with focused ion beam 被引量:7
17
作者 LI YanJie XIE HuiMin +4 位作者 LUO Qiang GU ChangZhi HU ZhenXing CHEN PengWan ZHANG QingMing 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第6期1037-1044,共8页
The fabrication technique of micro/nano-scale speckle patterns with focused ion beam (FIB) system is studied for digital image correlation (DIC) measurement under a scanning electron microscope (SEM).The speckle patte... The fabrication technique of micro/nano-scale speckle patterns with focused ion beam (FIB) system is studied for digital image correlation (DIC) measurement under a scanning electron microscope (SEM).The speckle patterns are fabricated by directly etching the counterpart of the specimen to the black part of a template.Mean intensity gradient is used to evaluate the quality of these SEM images of speckle patterns fabricated based on different templates to select an optimum template.The pattern size depending on the displacement measurement sensitivity is adjusted by altering the magnification of FIB according to the relation curve of the etching size versus magnification.The influencing factors including etching time and ion beam current are discussed.Rigid body translation tests and rotation tests are carried out under SEM to verify the reliability of the fabricated speckle patterns.The calculated values are in good agreement with the imposed ones. 展开更多
关键词 speckle pattern digital image correlation (DIC) micro/nano-scale focused ion beam fib scanning electron microscope (SEM)
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Three-dimensional analysis of micro defect morphologies in cement-based materials using focused ion beam tomography 被引量:1
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作者 WAN KeShu SUN Wei +1 位作者 TANG ChunKai RONG ZhiDan 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2012年第6期1539-1544,共6页
Although there has been much research of cracks of the cement-based materials using optical and electron microscopy two-dimensional (2D) imaging methods, the real three-dimensional (3D) crack shapes have not previousl... Although there has been much research of cracks of the cement-based materials using optical and electron microscopy two-dimensional (2D) imaging methods, the real three-dimensional (3D) crack shapes have not previously been revealed. Thanks to the focused ion beam (FIB) tomography and the follow-up image processing, two 3D subsurface cracks and a cluster of inner cracks were picked out and discussed in this research. It was found that the subsurface crack (its length is about 15 part, width about 1-5 prn, and opening about 1 ~tm) was much larger than the inner crack (its length and width are about 1-5 pro, opening is from 200 nm to 1 pan), which arose from the sample preparation process. Besides, it was revealed that most of the inner cracks were in the form of clusters. 展开更多
关键词 focused ion beam (fib) MICROSTRUCTURE CRACK cement-based materials TOMOGRAPHY
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聚焦离子束刻蚀性能的研究 被引量:7
19
作者 谢进 江素华 +2 位作者 王家楫 唐雷钧 宗祥福 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期151-155,共5页
对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因... 对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响 ,从而影响着离子束的刻蚀速率 ;随着离子束流的增大 ,刻蚀速率并非线性增加 ,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀 。 展开更多
关键词 聚焦离子束 集成电路 刻蚀 溅射 扫描电镜 fib
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基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究 被引量:8
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作者 徐宗伟 房丰洲 +1 位作者 张少婧 陈耘辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期62-67,共6页
提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量... 提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量大于1.4×1017ion/cm2时,聚焦离子束注入层中观察到均匀分布、直径10~15nm的纳米颗粒层。以此作为XeF2气体反应的掩膜,利用聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(FIB-GAE)技术实现了多种微纳米级结构和器件加工,如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等。结果表明该方法灵活高效,很有发展前途。 展开更多
关键词 聚焦离子束(fib) 离子注入 气体辅助刻蚀(GAE) 微结构
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