半导体碳化硅衬底的湿法氧化

半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了目前单晶4H-SiC湿法氧化的研究现状,讨论了4H-SiC湿法氧化工艺所选用的氧化剂,如KMnO_(4)、H_(2)O_(2)、K_(2)S_(2)O_(8)等。在此基础上,进一步总结了常用的氧化增效方法,如光催化辅助氧化、电化学氧化、芬顿反应等,并从理论计算的角度分析了单晶4H-SiC湿法氧化的机理,最后展望了4H-SiC湿法氧化未来的研究方向。

湿化学过程中锆英石生成机制的探讨

利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、透时电镜（ＴＥＭ）等手段研究了湿化学法合成钻英石粉末过程中锆英石相的生成机制。对于该过程中影响锗英石合成的几个因素，如反应温度、晶种含量等进行了分析讨论，并在此基础上提出了锗英石相的生成机制。结果表明：晶种引入对于铅英石的生成是至关重要的，其反应机理是品种存在条件下的非均相成核反应，固相反应中的扩散速率决定了整个反应的速率。

湿法磷酸化学法脱氟的研究进展

介绍了湿法磷酸化学法脱氟的脱氟机理和影响脱氟率的多种因素。

食品加工过程中多环芳烃生成机理的研究进展

多环芳烃是一类对环境和食品极具危害的污染物。早期对环境中多环芳烃的检测、安全评价、食品加工过程中的污染及产生的机理和控制方法开展了大量的工作,本文重点对多环芳烃形成的化学机制及食品加工过程中多环芳烃的产生机制进行综述,并对研究现状进行简要总结,以期为食品中多环芳烃控制提供新思路。

V205纳米棒的软化学法合成

采用一种简单的软化学法制备出直径大约为50nm的V2O5纳米棒。此方法无需添加表面活性剂或催化剂，只使用原料和水。合成的产物经XRD、SEM、TEM、FT-IR等分析手段进行表征。另外基于实验结果，进一步提出了可能的形成机理。