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适用于光导开关触发的V/N气体开关设计与验证
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作者 宋雨辉 王凌云 +8 位作者 周良骥 刘宏伟 张东东 陈林 袁建强 邓明海 谢卫平 高彬 王瑞杰 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期68-74,共7页
为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹... 为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹配。分析计算了V/N气体开关的结构电容、触发回路振荡参数、开关电场分布等,研究了V/N气体开关的结构电容与PCSS、串联电感等构成的振荡回路的匹配关系,通过实验获得了V/N气体开关自击穿电压曲线、导通延迟时间以及不同欠压比下的延迟时间抖动等,初步验证了适用于PCSS触发的V/N气体开关设计。 展开更多
关键词 同步触发 V/n气体开关 PCSS 结构电容 自击穿电压
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SiC(N)/LAS吸波材料吸波性能研究 被引量:14
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作者 罗发 周万城 +1 位作者 焦桓 赵东林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期580-584,共5页
研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究。结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响... 研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究。结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大,吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异,这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异,形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强。 展开更多
关键词 纳米SiC(n) las玻璃陶瓷 介电常数 界面层 吸波材料
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SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料的介电特性 被引量:7
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作者 罗发 周万城 +1 位作者 焦桓 赵东林 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期98-101,共4页
 采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2~12.4GHz频率范围内的微波介电特性。结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此...  采用LAS玻璃粉末和激光诱导法制备的纳米SiC(N)粉体,通过热压烧结法制备了SiC(N)/LAS纳米陶瓷复合材料,研究了该复合材料在8.2~12.4GHz频率范围内的微波介电特性。结果表明,SiC(N)/LAS的介电常数主要受纳米SiC(N)粉体含量的控制,此外还与烧结温度有关。随着烧结温度的提高,复合材料介电常数和介电损耗均随之增大。SiC(N)/LAS对电磁波的损耗作用明显优于同体积分数的纳米SiC(N)与石蜡混合体,这与烧结过程中形成的碳界面有关。 展开更多
关键词 纳米SiC(n) las玻璃陶瓷 SiC(n)/las复合材料 介电常数
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(GaP)_n和(GaP)_n^-(n=10~16)团簇的结构与稳定性研究 被引量:2
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作者 郭彩红 贾建峰 武海顺 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第17期1836-1840,共5页
采用密度泛函理论B3LYP/Lanl2dz方法对(GaP)n和(GaP)-n(n=10~16)团簇的一系列异构体的结构和稳定性进行了研究.讨论了中性团簇得到一个电子之后,几何结构和电子性质的变化.频率分析预测出最强吸收峰位于341~390cm-1区域.从能隙、结合... 采用密度泛函理论B3LYP/Lanl2dz方法对(GaP)n和(GaP)-n(n=10~16)团簇的一系列异构体的结构和稳定性进行了研究.讨论了中性团簇得到一个电子之后,几何结构和电子性质的变化.频率分析预测出最强吸收峰位于341~390cm-1区域.从能隙、结合能和能量二次差分等方面综合考虑,具有Th对称性的(GaP)12和(GaP)1-2分别是中性(GaP)n和阴离子(GaP)-n团簇中最稳定的,而具有Td点群结构的(GaP)16也比较稳定,究竟哪种结构易于合成还有待于实验的进一步证实.在相同理论水平上计算了基态(GaP)n(n=10~16)的绝热电子亲合势(AEAs)及其基态阴离子的垂直电离能(VDEs),这对以后的实验数据分析将有一定的参考价值. 展开更多
关键词 密度泛函理论 (gap)n和(gap)n^-团簇 垂直电离能 绝热电子亲合势
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GaP:N(Te)中碲束缚激子发光的声子翼现象 被引量:1
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作者 钱佑华 丁磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第10期733-737,共5页
在GaP:N(Te)的光致发光谱(PL)上,第一次发现了Te^0束缚激子发光伴生的声子翼,其中参与的声子是Dean曾经提出的D声子。对实验结果尚未有肯定的解释。另外,对掺杂GaP PL谱上熟知的双伴线,提出了有助于澄清问题的见解。
关键词 gap:n(Te) 碲束缚 激子发光 声子翼
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GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%~3.1%)发光复合机制的研究
6
作者 吕毅军 高玉琳 +5 位作者 林顺勇 郑健生 张勇 Mascarenhas A 辛火平 杜武青 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期491-495,共5页
利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量... 利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制. 展开更多
关键词 发光 半导体 带隙弯曲 变温光致发光 gap1-χnχ混晶 激活能
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GaP:N(Te)发光谱上的声子双伴线
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作者 钱佑华 丁磊 郑思定 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期12-17,共6页
根据GaP∶N(Te)的光致发光和喇曼光谱,提出了GaP∶N发光中的光学声子双伴线可能分别由LO<sup>г</sup>和它的束缚态LO<sub>XN</sub><sup>г</sup>对所产生的初步设想.另外,尝试对Te的声学声子翼... 根据GaP∶N(Te)的光致发光和喇曼光谱,提出了GaP∶N发光中的光学声子双伴线可能分别由LO<sup>г</sup>和它的束缚态LO<sub>XN</sub><sup>г</sup>对所产生的初步设想.另外,尝试对Te的声学声子翼中所含的组合声子作出判别. 展开更多
关键词 gap:n 光致发光 光谱 声子双伴线
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GaP:(N)的背景光谱和发光尖峰
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作者 江炳熙 林秀华 方江陵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期277-282,共6页
获得高分辨GaP:(N)光致发光光谱,观察到等电子陷阱束缚激子发光中LO(Γ)和loc多声子发射,其强度分布符合治松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁,并进行了相应讨论.还观察到局域声子效应─—光谱相似定律... 获得高分辨GaP:(N)光致发光光谱,观察到等电子陷阱束缚激子发光中LO(Γ)和loc多声子发射,其强度分布符合治松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁,并进行了相应讨论.还观察到局域声子效应─—光谱相似定律和相当显著的背景光谱. 展开更多
关键词 发光光谱 激子发光 磷化镓
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GaP:N液相外延层中杂质对PL谱的影响
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作者 林秀华 江炳熙 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期51-55,共5页
借助低温光致发光方法测量了GaPN双液相外延材料PL谱,结果表明:辐射复合效率高的材料PL谱基本上由孤立N和NNi等束缚激子尖锐峰组成;发光效率较低的PL谱含有DA对辐射跃迁的钟形谱上迭加NNi峰.分析了谱峰的性质。
关键词 液相外延 光致发光 辐射复合 磷化镓
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离子团簇YSi_(n)^(±)(n=7-16)的几何结构和电子性质的相对论密度泛函研究
10
作者 杨阿平 李东明 +2 位作者 田珊珊 甄艳坤 郭平 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第6期73-84,共12页
运用广义梯度近似的相对论密度泛函理论方法对YSi_(n)^(±)(n=7-16)离子团簇的几何结构、稳定性和电子特性进行了系统地数值模拟研究.与中性YSi_(n)团簇比较可得到以下结论:除YSi 10+和YSi 13+阳离子团簇外,YSi_(n)^(±)团簇基... 运用广义梯度近似的相对论密度泛函理论方法对YSi_(n)^(±)(n=7-16)离子团簇的几何结构、稳定性和电子特性进行了系统地数值模拟研究.与中性YSi_(n)团簇比较可得到以下结论:除YSi 10+和YSi 13+阳离子团簇外,YSi_(n)^(±)团簇基本都保持了中性YSi_(n)团簇的结构框架,这与垂直和绝热电离能的结果本质上是一致的;大多数离子团簇的原子平均束缚能都相对中性团簇有明显增大,表明离子团簇的结构稳定性都有增强,其中阳离子团簇YSi_(n)+(n=8,11和14)和阴离子团簇YSi_(n)-(n=9,12和14)比其相邻团簇的稳定性更强.电荷布居分析表明所有团簇中Y原子的HC电荷都在n=15处由正值变为负值,即当Y原子从Si_(n)框架表面位点落入硅笼中形成内嵌结构团簇时,电荷转移方向发生反转.阴离子团簇中电荷转移量普遍减小,而阳离子团簇中普遍增大.HOMO-LUMO能隙结果表明离子团簇比其中性团簇的化学稳定性更强. 展开更多
关键词 YSi_(n)^(±)(n=7-16)团簇 几何结构 稳定性 电荷布居 HOMO-LUMO能隙
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FT-IR法研究GAP与N100的催化反应动力学 被引量:3
11
作者 申飞飞 Abbas Tanver 罗运军 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期14-18,共5页
采用傅里叶变换红外(FT-IR)研究了聚叠氮缩水甘油醚(GAP)与多异氰酸酯(N100)之间的反应动力学。得到60、70、80、90℃下分别用TPB(三苯基铋)和T12(二月桂酸二丁基锡)作催化剂时体系的反应机理函数和表观活化能。结果表明,GAP/N100体系... 采用傅里叶变换红外(FT-IR)研究了聚叠氮缩水甘油醚(GAP)与多异氰酸酯(N100)之间的反应动力学。得到60、70、80、90℃下分别用TPB(三苯基铋)和T12(二月桂酸二丁基锡)作催化剂时体系的反应机理函数和表观活化能。结果表明,GAP/N100体系的固化反应为一级动力学反应;当两种固化催化剂质量分数均为0.015%,以TPB为催化剂时体系整个固化过程遵循一级动力学规律;以T12为催化剂时,在转化率达80%之前,体系遵循一级反应规律,反应机理函数为g(α)=-ln(1-α),之后反应机理函数转变为三维(球对称)扩散g(α)=[1-(1-α)1/3]2;用T12作催化剂时,GAP/N100固化反应结束时间远低于用TPB作催化剂时所用时间。 展开更多
关键词 物理化学 FT-IR光谱 固化反应动力学 gap n100 TPB T12
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GaP:(Bi,N)的时间分辨光致发光谱
12
作者 叶新民 林秀华 +3 位作者 江炳熙 王乃光 陈俊德 叶丽丽 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期396-399,共4页
在9.3K到83K温度范围内测量了GaP:(Bi)和GaP:(Bi,N)样品的时间分辨光致发光谱。实验结果表明,在GaP:(Bi,N)中,由孤立N中心和NN_i(i≥3)中心到Bi中心的能量转移过程导致Bi发射带的增强。
关键词 时间分辨光谱 能量转移 gap:(Bi.n)
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GaP:N,Zn中等电子陷阱与Zn受主之间的辐射复合
13
作者 余琦 张勇 +1 位作者 郑健生 颜炳章 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第9期717-721,共5页
本文在17-100K的温度范围内对GaP:N,Zn样品进行了变温光致发光的研究.在低温下,观察到NN_3-Zn,Zn-LO的发光峰,其中NN_3-Zn是一个双峰结构.研究NN_1-Zn复合发光强度随温度的变化关系,表明了NN_1中心裸电子态的存在.本工作证实了NN_1和NN_... 本文在17-100K的温度范围内对GaP:N,Zn样品进行了变温光致发光的研究.在低温下,观察到NN_3-Zn,Zn-LO的发光峰,其中NN_3-Zn是一个双峰结构.研究NN_1-Zn复合发光强度随温度的变化关系,表明了NN_1中心裸电子态的存在.本工作证实了NN_1和NN_3中心的HTL模型. 展开更多
关键词 gap:n Zn 光致发光 束缚激子
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GaP:N LPE片的位错对发光亮度的影响
14
作者 李桂英 李永良 +2 位作者 王亚非 杨锡震 孙寅官 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期4-6,共3页
用化学腐蚀配合扫描电镜(SEM)对几种不同来源的国产GaPN液相外延(LPE)材料及各自的衬底的位错密度ND和发光亮度进行了测量.结果表明:样品的发光亮度随LPE层的ND降低而升高,降低衬底的ND可降低LPE层的ND.
关键词 位错密度 发光二极管 LPE 发光性能 磷化镓
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GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布
15
作者 李桂英 刘荣寰 +2 位作者 杨锡震 王亚非 桑丽华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期471-473,共3页
阐述了GaP∶NLPE片纵向载流子浓度分布的测量方法, 探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。
关键词 gap:nLPE 载流子 浓度分布 发光效率
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GaP:N绿色LEDn_2层载流子浓度的优化
16
作者 赵普琴 杨锡震 薛洪涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第2期114-118,共5页
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形,计入了n2区产生的压降。考虑到GaP:NLED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流... 在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形,计入了n2区产生的压降。考虑到GaP:NLED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流。p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程,由边界条件求出空穴扩散电流。将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ。对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论。分析表明:当n2值在1015~1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符。 展开更多
关键词 gap:nLED 结构参数 优化 载流子 浓度 计算 发光二极管
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GaP:N LED p型层厚度的优化
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作者 李桂英 杨锡震 +3 位作者 王亚非 李永良 赵普琴 孙寅官 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-3,共3页
实测数据表明:GaPN发光二极管(LED)p型层厚度d为12~17μm时,管芯光强最高.d增大,一方面可使表面复合的影响减小,提高内量子效率;另一方面又会使内吸收增大,降低抽取效率.综合考虑这两方面的影响,选取有关参数。
关键词 结构优化 发光二极管 磷化镓 厚度 P型层
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GaP:N发光二极管深能级对发光特性的影响
18
作者 苏锡安 高瑛 +1 位作者 赵家龙 刘学彦 《吉林大学自然科学学报》 CSCD 1996年第1期58-60,共3页
测量了GaP:N绿色发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱.从谱中可见,老化后的590um和1260um发光带的发光强度较老化前明显增强,650um有新的发光带.研究了老化产生的深能级的来源及对LED发光特性的影响.
关键词 发光二极管 深能级 电致发光 半导体 磷化镓
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高激发功率对GaP∶N发光谱的影响 被引量:1
19
作者 康秀英 杨锡震 +1 位作者 王亚非 王幼林 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期44-47,共4页
讨论了掺氮磷化镓(GaP∶N)荧光光谱的峰值强度(孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、 最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3)随激发强度的变化规律, 并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的... 讨论了掺氮磷化镓(GaP∶N)荧光光谱的峰值强度(孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、 最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3)随激发强度的变化规律, 并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的样品温度升高, 而导致孤立氮A的能级NA和最邻近N-N对NN1的能级的热激发的增强, 得到了R(即最近邻N-N对(NN1)束缚激子发光峰与孤立N等电子中心束缚激子发光峰的强度比INN1/IA)与掺N浓度和激发光强的变化关系。 利用实验数据进行拟合, 得到了更好的拟合结果, 并讨论了用此法计算GaP∶N样品中氮浓度时应注意的一些问题。 展开更多
关键词 掺氮磷化嫁 荧光光谱 拟合 激发光强 峰值强度
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Preliminary computation of the gap eigenmode of shear Alfvén waves on the LAPD
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作者 苌磊 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第12期381-389,共9页
Characterizing the gap eigenmode of shear Alfv′en waves(SAWs) and its interaction with energetic ions is important to the success of magnetically confined fusion. Previous studies have reported an experimental observ... Characterizing the gap eigenmode of shear Alfv′en waves(SAWs) and its interaction with energetic ions is important to the success of magnetically confined fusion. Previous studies have reported an experimental observation of the spectral gap of SAW on the on Large Plasma Device(LAPD)(Zhang et al. 2008 Phys. Plasmas 15 012103), a linear large plasma device(Gekelman et al. 1991 Rev. Sci. Instrum. 62 2875) possessing easier diagnostic access and lower cost compared with traditional fusion devices, and analytical theory and numerical gap eigenmode using ideal conditions(Chang 2014 Ph.D Thesis at Australian National University). To guide experimental implementation, the present work models the gap eigenmode of SAWs using exact LAPD parameters. A full picture of the wave field for previous experiment reveals that the previously observed spectral gap is not global but an axially local result. To form a global spectral gap, the number of magnetic mirrors has to be increased and stronger static magnetic field makes it clearer. Such a spectral gap is obtained for the magnetic field of B0(z) = 1.2 + 0.6 cos[2π(z-33.68)/3.63] with 7.74-m magnetic beach. By introducing two types of local defects(corresponding to Eθ(z0) = 0 and E’θ(z0) = 0 respectively), odd-parity and even-parity discrete eigenmodes are formed clearly inside the gap. The strength of these gap eigenmodes decreases significantly with collision frequency, which is consistent with previous studies. Parameter scans show that these gap eigenmodes can be even formed successfully for the field strength of B0(z) = 0.2 + 0.1 cos[2π(z-33.68)/3.63] and with only four magnetic mirrors, which are achievable by the LAPD at its present status. This work can serve as a strong motivation and direct reference for the experimental implementation of the gap eigenmode of SAWs on the LAPD and other linear plasma devices. 展开更多
关键词 gap eigenmode shear Alfvén wave LAPD number and depth of magnetic mirror linear plasma
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