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A review on polishing technology of large area free-standing CVD diamond films 被引量:1
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作者 ZHANG Pingwei TONG Tingting LI Yifeng 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2019年第6期53-61,共9页
Recently,with the rapid development of chemical vapor deposition(CVD)technology,large area free-standing CVD diamond films have been produced successfully.However,the coarse grain size on the surface and the non-unifo... Recently,with the rapid development of chemical vapor deposition(CVD)technology,large area free-standing CVD diamond films have been produced successfully.However,the coarse grain size on the surface and the non-uniform thickness of unprocessed CVD diamond films make it difficult to meet the application requirement.The current study evaluates several existing polishing methods for CVD diamond films,including mechanical polishing,chemical mechanical polishing and tribochemical polishing technology. 展开更多
关键词 large area free-standing CVD diamond FILMS MECHANICAL POLISHING chemical MECHANICAL POLISHING tribochemical POLISHING technology
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Preparation of ZnO Thin Films on Free-Standing Diamond Substrates
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作者 唐可 王林军 +6 位作者 黄健 徐闰 赖建明 王俊 闵嘉华 史伟民 夏义本 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期587-591,共5页
Highly c-axis-oriented ZnO films were deposited successfully on the nucleation sides of free-standing diamond (FD) films by the direct current (DC) magnetron sputtering method. The effect of the sputtering paramet... Highly c-axis-oriented ZnO films were deposited successfully on the nucleation sides of free-standing diamond (FD) films by the direct current (DC) magnetron sputtering method. The effect of the sputtering parameters, such as power, gas pressure and sputtering plasma composition of Ar-to-O2, on the properties of ZnO thin films was investigated in detail. X-ray diffraction (XRD) measurements showed that, at a sputtering power of 200 W, gas pressure of 0.5 Pa and an Ar-to- O2 composition of 1:1, a higher intensity of the (002) diffraction peak and a narrower full width at half maximum (FWHM) were detected which meant high c-axis orientation and high quality of the ZnO films. To improve the quality of the ZnO film, a thin ZnO layer was pre-grown as a homo-buffer layer. XRD measurements showed that this buffer layer had a beneficial effect on the structural and morphological properties of the post-grown ZnO film. 展开更多
关键词 ZnO free-standing diamond films homo-buffer layer direct current (DC)magnetron sputtering
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Growth of Free-Standing Diamond Films on Stainless Steel
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作者 满卫东 汪建华 +1 位作者 张宝华 白宇明 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第4期2950-2952,共3页
Free-standing diamond films have been successfully deposited on stainless steel substrates using microwave plasma-assisted chemical vapor deposition. Although iron, which is the main element of stainless steel, is kno... Free-standing diamond films have been successfully deposited on stainless steel substrates using microwave plasma-assisted chemical vapor deposition. Although iron, which is the main element of stainless steel, is known to inhibit the nucleation of diamond and enhance the formation of graphite, we were able to grow relatively thick films (-1.2 mm). The films were easily detachable from the substrates. The poor adhesion made it possible to obtain free-standing diamond films without chemical etching. Raman spectroscopy showed the 1332 cm^-1 characteristic Raman peak of diamond and the 1580 cm^-1, 1350 cm^-1 bands of graphite on the growth surface and backside of the films, respectively. By energy dispersive X-ray spectroscopy it was only possible to detect iron on the back of the films, but not on the surface. The role of iron in the film growth is discussed. 展开更多
关键词 microwave plasma chemical vapor deposition free-standing diamond film stainless steel
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A Diamond Electrochemical Cleaning Technique for Organic Contaminants on Silicon Wafer Surfaces 被引量:2
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作者 张建新 刘玉岭 +4 位作者 檀柏梅 牛新环 边永超 高宝红 黄妍妍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期473-477,共5页
Peroxodiphosphate anion (a powerful oxidant) can be formed in a special water-based cleaning agent through an electrochemical reaction on boron-doped diamond electrodes. This electrochemical reaction was applied dur... Peroxodiphosphate anion (a powerful oxidant) can be formed in a special water-based cleaning agent through an electrochemical reaction on boron-doped diamond electrodes. This electrochemical reaction was applied during the oxidation,decomposition, and removal of organic contaminations on a silicon wafer surface, and it was used as the first step in the diamond electrochemical cleaning technique (DECT). The cleaning effects of DECT were compared with the RCA cleaning technique, including the silicon surface chemical composition that was observed with X-ray photoelectron spectroscopy and the morphology observed with atomic force microscopy. The measurement results show that the silicon surface cleaned by DECT has slightly less organic residue and lower micro-roughness,so the new technique is more effective than the RCA cleaning technique. 展开更多
关键词 organic contaminations silicon wafer surface cleaning boron-doped diamond electrodes powerful oxidant micro-roughness electrochemical cleaning
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Challenges in Processing Diamond Wire Cut and Black Silicon Wafers in Large-Scale Manufacturing of High Efficiency Solar Cells 被引量:2
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作者 Kishan Shetty Yudhbir Kaushal +2 位作者 Nagesh Chikkan D. S. Murthy Chandra Mauli Kumar 《Journal of Power and Energy Engineering》 2020年第2期65-77,共13页
Texturing of diamond wire cut wafers using a standard wafer etch process chemistry has always been a challenge in solar cell manufacturing industry. This is due to the change in surface morphology of diamond wire cut ... Texturing of diamond wire cut wafers using a standard wafer etch process chemistry has always been a challenge in solar cell manufacturing industry. This is due to the change in surface morphology of diamond wire cut wafers and the abundant presence of amorphous silicon content, which are introduced from wafer manufacturing industry during sawing of multi-crystalline wafers using ultra-thin diamond wires. The industry standard texturing process for multi-crystalline wafers cannot deliver a homogeneous etched silicon surface, thereby requiring an additive compound, which acts like a surfactant in the acidic etch bath to enhance the texturing quality on diamond wire cut wafers. Black silicon wafers on the other hand require completely a different process chemistry and are normally textured using a metal catalyst assisted etching technique or by plasma reactive ion etching technique. In this paper, various challenges associated with cell processing steps using diamond wire cut and black silicon wafers along with cell electrical results using each of these wafer types are discussed. 展开更多
关键词 diamond WIRE CUT BLACK SILICON Slurry wafers Amorphous SILICON Additives Etching and TEXTURIZATION
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Preparation and Characterization of High Quality Diamond Films by DC ArcPlasma Jet CVD Method 被引量:1
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作者 Guofang Zhong Fazheng Shen +1 位作者 Fanxiu Lu Weizhong Tang(Material Science and Engineering School, University of Science and Technology’ Beijing, Beijing 100083, China) 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 1999年第4期281-284,共4页
Under optimal conditions free-standing high quality diamond films were prepared by DC arc plasma jet CVD method at a growth rate of 7-10 Pm/h. Surface and cross section morphologies of the diamond films were observed ... Under optimal conditions free-standing high quality diamond films were prepared by DC arc plasma jet CVD method at a growth rate of 7-10 Pm/h. Surface and cross section morphologies of the diamond films were observed by SEM. Raman spectrometer wasused to characterize the quality of diamond films. The IR transmittivity measured by IR spectrometer is close to the theoretical value ofabout 71% in the far infrared band. The thermal conductivity measured by photothermal deflection exceeds 18 W/cm' K. <l 10> is thepreferential growth orientation of the films detected by X-ray diffractometer. As s result, the extremely high temperature of DC arc plasma jet can produce supersaturated atomic hydrogen, which played an important role in the process for the deposition of high quality diamond films. 展开更多
关键词 D.C. plasma jet CVD diamond films free-standing CHARACTERIZATION
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The Fabrication of 2.5 GHz SAW Filter Using ZnO/Diamond Structure
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作者 Xubo Wang Jingjing Chen Dongmei Li Fei Zeng Feng Pan 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A03期538-539,共2页
Great interest in surface acoustic wave device based on diamond is attracted because diamond has the highest surface acoustic wave velocity of all substrates.In this paper,400 nm ZnO film was deposited on polycrystall... Great interest in surface acoustic wave device based on diamond is attracted because diamond has the highest surface acoustic wave velocity of all substrates.In this paper,400 nm ZnO film was deposited on polycrystalline diamond wafer by magnetron sputtering.The experimental results indicate that highly c-axis oriented and fine-grain polycrystalline ZnO films have been obtained.100 nm Al thin film was deposited on ZnO/diamond by electron evaporation.Standard interdigital-transducers with the electrodes of 1.0μm width were fabricated on the Al film using photolithography and reactive ion etching (RIE) processes.A 2.48 GHz longitudinally-coupled double-mode surface acoustic wave filter has been successfully fabricated using the Al/ZnO/diamond structure. 展开更多
关键词 surface acoustic wave filter ZnO film diamond wafer
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Fabrication of Diamond Microstructures by Using Dry and Wet Etching Methods
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作者 张继成 周民杰 +1 位作者 吴卫东 唐永建 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第6期552-554,共3页
Diamond films have great potential for micro-electro-mechanical system(MEMS) application.For device realization,precise patterning of diamond films at micrometer scale is indispensable.In this paper,simple and facil... Diamond films have great potential for micro-electro-mechanical system(MEMS) application.For device realization,precise patterning of diamond films at micrometer scale is indispensable.In this paper,simple and facile methods will be demonstrated for smart patterning of diamond films,in which two etching techniques,i.e.,plasma dry etching and chemical wet etching(including isotropic-etching and anisotropic-etching) have been developed for obtaining diamond microstructures with different morphology demands.Free-standing diamond micro-gears and micro-combs were achieved as examples by using the experimental procedures.It is confirmed that as-designed diamond structures with a straight side wall and a distinct boundary can be fabricated effectively and efficiently by using such methods. 展开更多
关键词 MEMS diamond film free-standing reactive ion etching anisotropic and isotropic wet etching
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热管理用3英寸硅衬底金刚石薄膜的制备 被引量:1
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作者 杨志亮 杨鏊 +6 位作者 刘鹏 陈良贤 安康 魏俊俊 刘金龙 吴立枢 李成明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期283-290,共8页
金刚石膜材料用作GaN电子器件散热器具有巨大潜力,低应力、大尺寸、高质量、原子级光滑表面的金刚石膜层是GaN器件的整体传热能力提升的关键。本研究提出了一种用于3英寸(1英寸=2.54 cm)硅衬底多晶金刚石薄膜的生长和晶圆级抛光技术,用... 金刚石膜材料用作GaN电子器件散热器具有巨大潜力,低应力、大尺寸、高质量、原子级光滑表面的金刚石膜层是GaN器件的整体传热能力提升的关键。本研究提出了一种用于3英寸(1英寸=2.54 cm)硅衬底多晶金刚石薄膜的生长和晶圆级抛光技术,用以实现大尺寸金刚石膜材料在散热器方向上的应用。首先对微波谐振腔内的等离子体进行多物理场自洽建模,通过仿真模拟技术分析2.45 GHz多模椭球谐振腔微波等离子体化学气相沉积(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)装置沉积大尺寸金刚石薄膜的可行性,并优化生长工艺参数。然后对金刚石薄膜进行研磨抛光处理,以满足GaN器件的键合需求。模拟结果表明,输入相同的微波功率,腔室压强增大导致等离子核心电子和原子H数密度增加,但径向分布均匀性变差。在优化的工艺条件下沉积了金刚薄膜。实验结果表明,金刚石薄膜厚度不均匀性为17%。较高的甲烷浓度导致金刚石晶粒呈现以(111)晶面为主的金字塔形貌特征,并伴有孪晶的生成。Raman光谱中金刚石一阶特征峰半峰全宽(Full width at half maximum,FWHM)为7.4 cm^(−1)。抛光后表面粗糙度达到0.27 nm,硅衬底金刚石薄膜平均弯曲度为13.84μm,平均内应力为−40.7 MPa。采用上述方法,成功制备了大尺寸、较高晶体质量、低内应力、原子级光滑表面的硅衬底金刚石晶圆。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 MPCVD 晶圆级抛光
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基于超声毛细效应的电镀金刚石线切割工作液供给基础研究
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作者 申鲁齐 王秀枝 +2 位作者 贾建宇 李赞 王燕青 《电加工与模具》 北大核心 2024年第2期60-66,共7页
薄片化、细线化是太阳能硅片切割的重要发展趋势,有利于光伏行业降本增效、降低发电的度电成本。细线化切割导致硅片间距小于100μm,薄片化则降低硅片抗弯能力,因此硅片间极易发生硅片吸附贴合现象,从而增加了硅片破裂风险。为此,提出... 薄片化、细线化是太阳能硅片切割的重要发展趋势,有利于光伏行业降本增效、降低发电的度电成本。细线化切割导致硅片间距小于100μm,薄片化则降低硅片抗弯能力,因此硅片间极易发生硅片吸附贴合现象,从而增加了硅片破裂风险。为此,提出将超声波毛细效应用于电镀金刚石线硅片切割,以减少和抑制晶圆吸附。为探究平板间超声波毛细作用规律进而指导工业应用,分别研究了平行板间距、平板与超声水槽底面间距、平板间不平行、表面活性剂、工作液温度和超声作用时间对超声波毛细现象的影响规律。研究结论为工业应用提供了指导,有助于抑制晶圆吸附,减小晶圆弯曲度,降低细线切割硅片的表面裂纹损伤,提高其断裂强度。 展开更多
关键词 电镀金刚石线切割 光伏硅片 超声波 毛细效应
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硅片切割线痕对太阳电池电性能影响的研究
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作者 张志敏 王松 +2 位作者 刘苗 王贵梅 翟超 《太阳能》 2024年第2期29-37,共9页
金刚线切割是目前光伏行业主要的单晶硅片切割方式,但硅片被切割后其表面会留有线痕。首先对切割线痕在硅片表面的分布状态及线痕形貌在硅片碱制绒前后的变化进行了量化分析,然后针对硅片表面不同线痕深度对太阳电池电性能及良率的影响... 金刚线切割是目前光伏行业主要的单晶硅片切割方式,但硅片被切割后其表面会留有线痕。首先对切割线痕在硅片表面的分布状态及线痕形貌在硅片碱制绒前后的变化进行了量化分析,然后针对硅片表面不同线痕深度对太阳电池电性能及良率的影响进行了研究,最后在硅片线痕深度小于等于15μm的基础上,分析了硅片线痕对细栅的影响机理。得到以下结论:1)金刚线切割的硅片存在多种状态的线痕,碱制绒只是在微观层面形成了金字塔结构,但并不能改变线痕宏观层面的轮廓曲线。2)切割线痕会造成硅片表面形成V形沟壑,且当细栅与沟壑垂直时,会对丝网印刷时栅线的连续性造成一定影响。3)对于线痕深度为10~15μm的硅片,采用细栅垂直于线痕的丝网印刷方式时,太阳电池出现了严重的EL断栅及发黑现象,并且影响到其电性能;而采用细栅平行于线痕的丝网印刷方式时,降低了EL断栅概率,并且太阳电池电性能基本不受影响,但存在一定概率的局部印刷粗细不均的情况。该研究对提升太阳电池光电转换效率和良率有积极的参考价值。 展开更多
关键词 太阳电池 金刚线切割 线痕 单晶硅片 EL断栅
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金刚线切割硅片废料制备高模数硅酸钾的研究
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作者 张奶玲 《广州化工》 CAS 2024年第8期173-175,193,共4页
近年来,我国光伏能源飞速发展,对晶体硅片的需求量逐年大幅增加。但在生产太阳能硅片过程中,会产生大量的切割废料,有效地回收利用该废料已成为亟待解决的问题。本研究以金刚线切割硅片废料为原料,考察不同反应条件对制备4.8模数硅酸钾... 近年来,我国光伏能源飞速发展,对晶体硅片的需求量逐年大幅增加。但在生产太阳能硅片过程中,会产生大量的切割废料,有效地回收利用该废料已成为亟待解决的问题。本研究以金刚线切割硅片废料为原料,考察不同反应条件对制备4.8模数硅酸钾的影响。试验确定最佳的反应条件为:采用分批缓慢将前处理后的回收硅粉加入到预热好的碱液中反应的加料方式,控制反应温度为50~60℃,反应时间为4~5 h。区别于传统的硅酸钾生产方法,本方法在常压下,即可生产出模数高达4.8、稳定性良好的无色透明硅酸钾,为金刚线切割硅片废料的回收利用,提供了一个新的处理方法。 展开更多
关键词 高模数硅酸钾 硅酸钾 金刚线切割硅片废料 回收硅粉 回收利用技术
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大尺寸金刚石晶圆复制技术研究进展
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作者 刘金龙 刘宇鹏 +7 位作者 赵子辰 王鹏 叶盛 王晟 魏俊俊 陈良贤 张建军 李成明 《真空电子技术》 2024年第5期9-17,共9页
半导体技术的发展离不开大尺寸晶圆的高效制备。在半导体领域,晶圆复制可以通过同质外延生长后进行切割或者基于异质衬底进行异质外延来实现,从而批量生产。金刚石作为新型超宽禁带半导体材料,在电真空器件、高频高功率固态电子器件方... 半导体技术的发展离不开大尺寸晶圆的高效制备。在半导体领域,晶圆复制可以通过同质外延生长后进行切割或者基于异质衬底进行异质外延来实现,从而批量生产。金刚石作为新型超宽禁带半导体材料,在电真空器件、高频高功率固态电子器件方面具有良好的应用前景。而由于金刚石材料具有极高硬度,晶圆复制也面临诸多问题。传统的激光切割方法虽然可以实现对超硬特性金刚石进行加工,但其较高的加工损耗已经无法满足大尺寸晶圆的制备需求,亟需开发损耗小、效率高的金刚石晶圆复制技术。文章介绍了目前常见的半导体晶圆复制技术,总结了金刚石复制技术的研究进展及现阶段发展水平,并对未来大尺寸金刚石晶圆复制技术的发展方向进行了分析与展望。 展开更多
关键词 晶圆复制 大尺寸金刚石 激光隐形切割 离子注入
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工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤分布 被引量:9
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作者 高尚 康仁科 +1 位作者 董志刚 郭东明 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期88-94,共7页
集成电路制造过程中,基于工件旋转磨削原理的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方法,但磨削加工不可避免会在硅片的表面/亚表面产生损伤,研究磨削硅片的亚表面损伤分布对于分析硅片发生弯曲或翘曲变形的原因... 集成电路制造过程中,基于工件旋转磨削原理的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方法,但磨削加工不可避免会在硅片的表面/亚表面产生损伤,研究磨削硅片的亚表面损伤分布对于分析硅片发生弯曲或翘曲变形的原因,确定后续工艺的材料去除厚度都具有重要的指导意义。采用角度截面显微观测法研究工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度沿晶向和径向的变化规律及光磨对磨削硅片的亚表面损伤分布的影响。结果表明,无光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面分布不均匀,亚表面损伤深度沿周向在<110>晶向处大于<100>晶向,沿径向从中心到边缘逐渐增大;光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面几乎是均匀的,且光磨后的硅片亚表面损伤深度明显小于无光磨条件下硅片亚表面损伤深度。 展开更多
关键词 硅片 磨削 亚表面损伤 金刚石砂轮
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往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片特性研究 被引量:20
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作者 高玉飞 葛培琪 李绍杰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期372-377,共6页
通过往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片实验,分析了切片表面的微观形貌特点,研究了锯丝速度与进给速度对硅片的表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、翘曲度与亚表面损伤层厚度(SSD)的影响规律。结果表明:线锯锯切时材料以脆性模式去除,锯切表... 通过往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片实验,分析了切片表面的微观形貌特点,研究了锯丝速度与进给速度对硅片的表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、翘曲度与亚表面损伤层厚度(SSD)的影响规律。结果表明:线锯锯切时材料以脆性模式去除,锯切表面的微观形貌呈现部分沟槽与断续划痕,并存在大量凹坑;锯丝速度增大,进给速度减小,表面粗糙度与SSD减小;锯丝速度增大,进给速度增大,硅片的翘曲度也随之增大;硅片TTV值与锯丝速度和进给速度的匹配关系相关。 展开更多
关键词 金刚石线锯 单晶硅 晶片 加工质量
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切削液对金刚石线锯切割单晶硅片质量的影响 被引量:10
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作者 高玉飞 葛培琪 +1 位作者 李绍杰 侯志坚 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期86-88,共3页
选择4种切削液进行了电镀金刚石线锯切割单晶硅片的试验,研究了不同种类切削液对硅片的表面形貌、表面粗糙度、翘曲度和总厚度偏差的影响,分析了切削液对线锯切片过程的作用机理。研究结果表明,合成液对提高硅片的表面形貌质量,降低硅... 选择4种切削液进行了电镀金刚石线锯切割单晶硅片的试验,研究了不同种类切削液对硅片的表面形貌、表面粗糙度、翘曲度和总厚度偏差的影响,分析了切削液对线锯切片过程的作用机理。研究结果表明,合成液对提高硅片的表面形貌质量,降低硅片的表面粗糙度、翘曲度和总厚度偏差的综合效果最好。 展开更多
关键词 金刚石线锯 单晶硅片 切片 切削液
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半导体晶片的金刚石工具切割技术 被引量:13
17
作者 解振华 魏昕 +1 位作者 黄蕊慰 熊伟 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2004年第1期10-14,共5页
晶片切割是半导体加工的重要工序,它直接影响到晶片的成本、质量以及各种性能。目前,晶片切割主要的方法有金刚石内圆切割和线切割。本文详细介绍了内圆切割和线切割系统的特点、存在的主要问题及其改进方法。内圆切割具有切片精度高、... 晶片切割是半导体加工的重要工序,它直接影响到晶片的成本、质量以及各种性能。目前,晶片切割主要的方法有金刚石内圆切割和线切割。本文详细介绍了内圆切割和线切割系统的特点、存在的主要问题及其改进方法。内圆切割具有切片精度高、径向和晶片厚度方向调整方便、加工成本低等优点,改进装刀方法,提高刀片的安装精度,可刀片受力均匀,有效减小锯切损伤程度。线切割是最新发展的一种晶片加工方法,具有多片切割效率高、损伤层厚度小等优点,在大直径(Φ≥200mm)薄(厚度≤0.3mm)晶片的加工中有着广泛的应用前景。提高切割线的刚度,减小线的横向振动,可提高线切割精度和切割线的利用率。 展开更多
关键词 半导体晶片 内圆切割 ID切割 线切割 金刚石工具
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金刚石线锯切割多晶硅片表面特性与酸刻蚀制绒问题 被引量:8
18
作者 刘小梅 李妙 +1 位作者 陈文浩 周浪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期138-143,共6页
为解决金刚石切割多晶硅片与常规HF-HNO3-H2O混合酸湿法制绒技术不兼容的问题,对金刚石切割多晶硅片的表面特性和大幅度提高混合酸溶液中HF的比例进行了刻蚀制绒实验.结果表明,金刚石线切割多晶硅片表面存在约33%的光滑条带区域,... 为解决金刚石切割多晶硅片与常规HF-HNO3-H2O混合酸湿法制绒技术不兼容的问题,对金刚石切割多晶硅片的表面特性和大幅度提高混合酸溶液中HF的比例进行了刻蚀制绒实验.结果表明,金刚石线切割多晶硅片表面存在约33%的光滑条带区域,其余为与砂浆切割硅片表面相近的粗糙崩坑区域;这些光滑区域使得金刚石切割多晶硅片表面光反射率比砂浆切割多晶硅片高3%~4%;而且光滑区域在富HN0。和富HF的HF—HNO3-H2O混合酸溶液中均较难于腐蚀,使其刻蚀制绒后反射率比砂浆切割多晶硅片低1%~2%,制绒后的金刚石切割多晶硅片反射率比制绒后的砂浆切割多晶硅片高4%~6%,不能满足太阳电池生产要求.富HNO3和富HF两种酸刻蚀体系,均不能解决金刚石切割多晶硅片的制绒问题. 展开更多
关键词 多晶硅 金刚石线锯 酸刻蚀 制绒 反射率
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大尺寸硅片自旋转磨削的试验研究 被引量:11
19
作者 田业冰 郭东明 +1 位作者 康仁科 金洙吉 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2004年第4期1-4,共4页
利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床 ,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系。研究结果表明 ,增大砂轮轴向进给速度和减小工件... 利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床 ,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系。研究结果表明 ,增大砂轮轴向进给速度和减小工件转速 ,采用粗粒度砂轮有利于提高磨削硅片的材料去除率 ,砂轮轴向进给速度对材料去除率的影响最为显著 ;适当增大砂轮转速 ,减小砂轮轴向进给速度 ,采用细粒度砂轮可以减小磨削表面粗糙度 ;在其它条件一定的情况下 ,砂轮速度超过一定值会导致材料去除率减小 ,主轴电机电流急剧增大 ,表面粗糙度变差 ;采用比 #2 0 0 0粒度更细的砂轮磨削时 ,材料去除率减小 ,硅片表面粗糙度没有明显改善。 展开更多
关键词 硅片 金刚石砂轮 超精密磨削 集成电路
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硅片自旋转磨削损伤深度的试验研究 被引量:7
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作者 张银霞 李延民 +1 位作者 郜伟 康仁科 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第4期47-51,共5页
基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床,采用角度抛光法和分步蚀刻法检测了树脂结合剂金刚石砂轮磨削硅片的损伤深度,利用方差分析法研究了砂轮粒度、工作台转速、砂轮进给率和砂轮转速等磨削参数对硅片损伤深度的影响规律。结果表明:磨... 基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床,采用角度抛光法和分步蚀刻法检测了树脂结合剂金刚石砂轮磨削硅片的损伤深度,利用方差分析法研究了砂轮粒度、工作台转速、砂轮进给率和砂轮转速等磨削参数对硅片损伤深度的影响规律。结果表明:磨削参数对硅片损伤深度的影响程度由大到小依次为砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速。当砂轮的磨粒尺寸从40μm减小到4μm时,硅片的损伤深度从16.4μm逐渐减小至0.8μm。在一定的范围内,当其它磨削参数不变时,硅片的损伤深度随着砂轮进给率的增大而增大,随着砂轮转速的增大而减小,随着工作台转速的增大而减小。 展开更多
关键词 硅片 金刚石砂轮 磨削 损伤深度
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