低温CMOS－器件物理和互连特性

本文概述低温ＣＭＯＳ的器件物理及其中的互连特性。详细分析了ＭＯＳ结构中载流的冻析效应，低温迁移率和漂移速度，并讨论了ＭＯＳ器件的低温阈值特性。对低温下多晶硅和ＴｉＳｉ２等互连以及金一半欧姆接触特性，也作了扼要讨论。本文的结果和结论对于优化低温ＣＭＯＳ结构和器件参数具有一定的参考价值。

低温双极晶体管的低温1／f噪声

对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大．根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ～ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件１／ｆ噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因．

关于话音插空系统中冻结剪音分析

本文应用马氏过程的方法对带延迟传送措施的话音插空系统的冻结剪音(Freezeout)进行了分析,得到系统的冻结剪音概率与延迟时长的关系.分析结果优于应用排队论方法的情况.从而证明采用一定时长的延迟措施后,即可使这一系统指标达到令人满意的程度.