基于混合算法近远场变换中的探头补偿

针对目前平面近远场变换中,探头H面方向图对天线远区副瓣引入误差较大的情况,研究了一种基于E面电场-边缘电流逼近混合算法的探头补偿。通过在微波暗室对某频段阵列天线测量,并分别用E面电场法、边缘电流逼近法以及混合算法进行近远场变换。结果表明,此方法集合了前两种方法的优点,从而使副瓣精度有明显的提高,证明了该方法的有效性和工程实用性。

基于边缘电流逼近法近远场变换中的探头补偿

对探头H面方向图,国内使用的E面电场积分法,在天线的远区副瓣引入较大误差。针对这种情况,提出一种新的基于边缘电流逼近法的探头方向图应用。通过在微波暗室对某频段天线进行实验测试,分别用国内传统的E面电场法与新方法进行计算比较。结果表明,此方法大大的改善了副瓣精度,基本达到了国际先进水平,为国内高精度测试打下了坚实的基础。

基于边缘电流法近远场变换中的探头补偿

针对目前平面近远场变换中,探头H面方向图对天线远区副瓣引入误差较大的情况,研究了一种基于边缘电流法近远场变换的探头补偿。通过在微波暗室对某频段阵列天线测量,并分别用传统使用的stratton-chu积分法、E面电场法与边缘电流法进行近远场变换并进行比较。结果表明,此方法相比传统方法,副瓣精度基本接近国际先进水平,远远高于国内现有水平,证明了该方法的有效性和工程实用性,并填补了国内空白。

基于边缘电流逼近法近远场变换中的探头补偿

对探头H面方向图,国内使用的E面电场积分法,在天线的远区副瓣引入较大误差。针对这种情况,提出一种新的基于边缘电流逼近法的探头方向图应用。通过在微波暗室对某频段天线进行实验测试,分别用国内传统的E面电场法与新方法进行计算比较。结果表明,此方法大大的改善了副瓣精度,基本达到了国际先进水平,为国内高精度测试打下了坚实的基础。

平面近场测量中探头补偿方法的研究

为进一步提高国内平面近场测量中的副瓣精度,比较了两种新的探头方向图在近远场变换中的应用。结果表明,新的探头方向图应用使副瓣测试精度基本接近国际先进水平,远远优于国内现有水平,具有很强的工程实用性。

近远场变换中探头方向图的改进与比较

基于进一步提高国内平面近场测量中的副瓣精度,将两种新的探头H面方向图应用到近远场变换中,并与国内目前搭建近场测试系统所使用的两种探头方向图进行结果分析与比较。通过在微波暗室对某频段阵列天线测量,并分别用传统的Stratton-chu积分法、E面电场法以及边缘电流法与边缘电流逼近法进行近远场变换。结果表明,新的探头方向图应用使副瓣测试精度基本接近国际先进水平,远远优于国内现有水平,具有很强的工程实用性。

超低副瓣天线测试中探头方向图的研究

针对目前带探头补偿的平面近远场变换中,探头H面方向图对远区副瓣引入较大误差的情况,结合国内传统的E面电场法和K.T.Selvan提出的边缘电流逼近法各自的优点,利用混合算法研究了一种新的探头方向图逼近公式,并将其应用于平面近场测试中。通过在某大型微波暗室对一频段阵列天线进行实际测量,分别用E面电场法、边缘电流逼近法以及新的方法进行带探头补偿的近远场变换。最后,将各种方法与实际测试结果进行比较,求得其误差曲线,并在全域的角度分析各种方法的-50 d B超低副瓣精度。结果表明,此方法集合了前两种方法的优点,相比E面电场法,远区副瓣精度提高了8.2 d B,整个角域内副瓣精度提高了1.13 d B;相比边缘电流逼近法,近区副瓣精度提高了0.89d B,整个角域内副瓣精度提高了0.87d B。