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改善沉积氮化硅薄膜对FFS-TFT透明电极ITO影响的研究 被引量:10
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作者 刘翔 薛建设 +6 位作者 周伟峰 戴天明 郝照慧 杨静 宁策 张学辉 孙冰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期36-38,共3页
研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生。通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上... 研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生。通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上面使用低流量硅烷沉积一薄层氮化硅作为缓冲层,然后使用高流量的硅烷在其上再沉积氮化硅薄膜,这样不仅解决了薄雾状姆拉,同时还以提高氮化硅的沉积速率,满足生产需求。 展开更多
关键词 ffs-TFT 铟锡氧化物 氮化硅 透过率 薄雾
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一种高可靠消除FFS模式TFT-LCD静电引起残像的方法 被引量:3
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作者 陈孝仙 吴添德 +8 位作者 杨尚松 杜玙璠 杨斌 郑赛 姚建芳 季春玲 樊卫华 陈建军 洪乙又 《光电子技术》 北大核心 2013年第4期270-273,共4页
主要研究了FFS模式TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)于不同条件和环境下影像残留现象,简述了残像产生的原因,探讨了其产生的机理和对策方向,为改善相应的显示残像问题提供一种高可靠性的处理方案。
关键词 残像 高可靠性 边缘场开关 液晶显示器
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负性液晶在FFS模式下的残像研究 被引量:4
3
作者 童芬 郭小军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期393-398,共6页
图像残像是评价画面质量的最重要因素之一,大部分工程师研究了组合物的材料和液晶面板的制造工艺,以改善影像残留,但之前的研究主要是以正性液晶材料为基础进行探讨的,本文主要以负性液晶材料为基础研究了用边缘场驱动的面板残像。首先... 图像残像是评价画面质量的最重要因素之一,大部分工程师研究了组合物的材料和液晶面板的制造工艺,以改善影像残留,但之前的研究主要是以正性液晶材料为基础进行探讨的,本文主要以负性液晶材料为基础研究了用边缘场驱动的面板残像。首先为了比较正性液晶与负性液晶,测量了离子密度及电压保持率(VHR),其次为了比较两种配向材料(PI)与液晶材料的搭配特性并选择合适的组合,量测了样品的直流残留(RDC)电压和Vcom电压随时间的变化。从量测结果可知,紫外(UV)光照前负性液晶离子密度是正性液晶的39倍,经过紫外光照,后负性液晶的离子密度为560Pc/cm,且其紫外光照后电压保持率变化量为2.7%;使用负性液晶搭配PI1的样品A-1的直流残留电压和Vcom(等效为交流驱动电压的中心值)随时间变化量都是最大的,分别为0.5V和250mV,负性液晶搭配PI2材料的面板和正性液晶的面板的直流残留电压均小于0.2V,其Vcom随时间变化量均在50mV以内。负性液晶材料的离子浓度含量高,且其稳定性比正性液晶材料差,负性液晶材料比正性液晶材料更容易发生残像;对于使用负性液晶材料,边缘场驱动模式的面板,搭配PI2配向膜材料能够保持低的直流残留电压及低的Vcom电压变化量,从而对改善残像现象有帮助。 展开更多
关键词 边缘场切换广视角技术 负性液晶 残像 配向膜
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基于FFS架构实现宽窄视角切换 被引量:6
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作者 朱梦青 陆建钢 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期182-187,共6页
基于公共场合隐私保护的需求,宽窄视角可切换的液晶显示技术有着迫切的市场需求。现有宽窄视角切换技术不但增加了显示装置的厚度与成本,而且降低了原本宽视角模式下的显示效果。本文研究了一种基于负性液晶FFS模式的宽窄视角切换技术,... 基于公共场合隐私保护的需求,宽窄视角可切换的液晶显示技术有着迫切的市场需求。现有宽窄视角切换技术不但增加了显示装置的厚度与成本,而且降低了原本宽视角模式下的显示效果。本文研究了一种基于负性液晶FFS模式的宽窄视角切换技术,它通过在彩色滤光片一侧形成高预倾角配向(40°~60°),在同侧第三电极施加弱电场时,液晶分子离轴方向具有较大相位延迟,形成大视角观看时的暗态漏光与对比度下降,实现窄视角显示模式。而同侧第三电极施加强垂直电场时,大的预倾角液晶分子因负介电各项异性使得倾角降低,可减少暗态漏光和提升对比度,实现宽视角显示模式。验证结果表明:宽视角模式时,其上下左右视角均可达到85°以上;而窄视角模式时,左右视角仅为40°,且具有较好的对称性。本技术结构简单,驱动灵活,在防窥显示领域具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 ffs模式 对比度 视角可控
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FFS宽视角技术的发展 被引量:5
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作者 马新利 黄子强 《光电子技术与信息》 2006年第1期8-13,共6页
主要介绍了宽视角模式IPS和FFS的发展过程,并简要介绍了针对其自身存在的不足所进行的各种改进方法的原理、结构和改进效果,对各种方法的优缺点作出了评述。
关键词 LCD 宽视角 边缘场开关模式 共面转换模式
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FFS宽视角技术的发展
6
作者 马新利 贾鹤群 +1 位作者 曾勃 黄子强 《现代显示》 2005年第9期15-19,51,共6页
重点介绍宽视角模式IPS和FFS的发展过程,讨论各种改进方法的原理、结构和改进效果,并对各种方法的优缺点作出了评述。
关键词 宽视角 边缘场开关模式 共面转换模式
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FFS液晶显示模式下残像的非对称电压补偿研究
7
作者 时成瑛 蔡敏 +3 位作者 傅炯樑 王一明 秦丹丹 夏志强 《光电子技术》 CAS 北大核心 2019年第4期285-288,共4页
通过非对称电压补偿方法研究了FFS模式下的残像现象。实验结果表明在不更换盒内材料的情况下,非对称电压补偿可以快速有效地改善残像问题。同时研究了不同的材料、不同的像素结构对应的实际补偿电压。结果显示随着配向膜电阻的增加,补... 通过非对称电压补偿方法研究了FFS模式下的残像现象。实验结果表明在不更换盒内材料的情况下,非对称电压补偿可以快速有效地改善残像问题。同时研究了不同的材料、不同的像素结构对应的实际补偿电压。结果显示随着配向膜电阻的增加,补偿电压有增大趋势(0.1 V到0.3 V),正负性液晶以及不同像素结构(公共电极层分别位于最上层和中间层,Top/Mid com)呈相反趋势(+0.3 V和-0.3 V),且不同于以往的研究,最终的残像结果负性液晶好于正性液晶。不同的彩膜平坦化层材料对应的补偿电压也有较明显差异。研究为FFS液晶显示模式残像的快速改善提供了参考。 展开更多
关键词 残像 边缘场切换技术 挠曲电效应
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莨菪烷基添加剂对FFS模式中残像的影响
8
作者 胡叶廷 周雷勇 +2 位作者 李晓娜 远藤浩史 森崇德 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期504-508,共5页
残像的存在严重影响液晶显示器的画面品质。但由于其发生的机理较复杂,目前还没有较好的解决方案。本文以负性液晶材料为基础,在其中加入新型莨菪烷基添加剂,研究其在FFS模式中对残像的影响。通过闪烁漂移、DC残留电压释放以及棋盘格残... 残像的存在严重影响液晶显示器的画面品质。但由于其发生的机理较复杂,目前还没有较好的解决方案。本文以负性液晶材料为基础,在其中加入新型莨菪烷基添加剂,研究其在FFS模式中对残像的影响。通过闪烁漂移、DC残留电压释放以及棋盘格残像测试,系统分析并讨论了添加剂的使用对负性液晶残像的影响。研究结果表明,加入添加剂后,样品的闪烁漂移得到改善;残留DC偏置积聚量减小30%且释放速度提升了95%;V_(com)漂移由0.7 V改善至0.02 V,V_(com)亮度变化由8 cd/m^(2)降低至2 cd/m^(2);线残像由L3改善至L1。本研究对从液晶材料方面改善残像具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 边缘场切换广角技术 残像 负性液晶 莨菪烷基添加剂
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一种用于增加制程范围的新型FFS液晶显示器件结构
9
作者 毛联波 乔艳冰 +4 位作者 戴文君 李佑俊 廖家德 钟德镇 简廷宪 《现代显示》 2008年第4期40-43,共4页
FFS(fringing field switching)技术作为三大主流广视角液晶显示技术之一,与IPS/VA相比有高开口率的优势。然而由于其存储电容易受制程偏移的影响而较容易产生显示不均,因此在制造过程中对设备精度要求十分严格。本文介绍一种新的FFS器... FFS(fringing field switching)技术作为三大主流广视角液晶显示技术之一,与IPS/VA相比有高开口率的优势。然而由于其存储电容易受制程偏移的影响而较容易产生显示不均,因此在制造过程中对设备精度要求十分严格。本文介绍一种新的FFS器件结构,能很大程度上降低由于制程偏移造成的显示不均。 展开更多
关键词 边缘切换 回踢电压 制程偏移
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电容式RF MEMS开关膜片上边缘电场的表征(英文) 被引量:4
10
作者 李君儒 高杨 +1 位作者 何婉婧 蔡洵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期198-203,共6页
为了获得高保真的电容式RF MEMS开关自驱动失效阈值功率模型,必须弄清开关膜片上电场分布的边缘场效应。由于受到边缘场效应的影响,在计算开关自驱动失效阈值功率时,不能使用开关与中心导体的正对面积(A)取代受到射频信号频率的开关膜... 为了获得高保真的电容式RF MEMS开关自驱动失效阈值功率模型,必须弄清开关膜片上电场分布的边缘场效应。由于受到边缘场效应的影响,在计算开关自驱动失效阈值功率时,不能使用开关与中心导体的正对面积(A)取代受到射频信号频率的开关膜片面积(ARF)。否则,会出现射频信号功率等效电压(Veq)的计算偏差。因此,使用Veq的计算值与开关膜片上的均方根电压值(VRMS)来表征ARF。从而构建一个优值(ARF/A)来表征开关膜片上电场分布的边缘场效应强度。采用HFSS软件构建开关自驱动失效3D电磁模型,针对同一种开关构型,通过仿真得到不同射频信号功率下和不同开关气隙高度下膜片上边缘电场的分布。并与优值计算结果进行比较,初步验证了使用该优值表征开关膜片上电场分布的边缘场效应强度的合理性。 展开更多
关键词 电容式开关 功率容量 自驱动 边缘场
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三氟丙炔基类液晶的合成及性能 被引量:2
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作者 宋宽广 李建 +2 位作者 高潮 胡明刚 安忠维 《应用化学》 CSCD 北大核心 2017年第6期676-684,共9页
合成了16个三氟丙炔为端基的液晶化合物,以苯甲醛衍生物与1,1,1-三氯三氟乙烷的有机锌试剂进行加成脱水成烯,再通过Suzuki偶联反应后脱去HCl制得目标产物,总产率>67%,气相色谱(GC)纯度>99.5%,通过红外光谱(IR)、核磁共振谱(NMR)... 合成了16个三氟丙炔为端基的液晶化合物,以苯甲醛衍生物与1,1,1-三氯三氟乙烷的有机锌试剂进行加成脱水成烯,再通过Suzuki偶联反应后脱去HCl制得目标产物,总产率>67%,气相色谱(GC)纯度>99.5%,通过红外光谱(IR)、核磁共振谱(NMR)和质谱(MS)确定其结构。利用DSC和POM对该类化合物的热性能进行了测试,结果表明,联苯类的化合物不具有液晶相,而三联苯类的化合物具有近晶A相,且熔点随烷基链碳原子的增加呈下降趋势。物理性能测试结果表明,该类化合物的Δε值为12.61~21.94,末端三氟甲基基团和侧氟的引入可以有效的增加Δε值;Δn值0.19~0.29,随分子内苯环数目的增加而变大;γ1值为49.9~468.0 m Pa·s,随分子内苯环数量的增加而增加。化合物4n具有高Δε(>19.2)、高ε_⊥(>10.3)及低Δε/ε_⊥(<1.9)。通过模拟计算讨论了炔键位置对此类液晶材料性质的影响。该类化合物在调节混合液晶介电各向异性和双折射率方面有很好的应用价值,同时通过分子结构的改进也可以很好地应用于FFS(fringe-field switching)显示模式。 展开更多
关键词 液晶 边缘场开关显示模式 三氟丙炔基 介电各向异性 双折射率 旋转粘度
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有限尺寸平行电极的边缘电场效应 被引量:1
12
作者 任海霞 刘立人 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期102-106,共5页
电场分布是影响集成电光器件特性的主要因素。本文研究了有限尺寸平行电极的电场分布,得到了其电荷分布密度、电容、电场强度的数学解析式,并分析了边缘电场效应,在此基础上得到了在集成电光器件中相邻光通道互不干扰所需的平行电极对... 电场分布是影响集成电光器件特性的主要因素。本文研究了有限尺寸平行电极的电场分布,得到了其电荷分布密度、电容、电场强度的数学解析式,并分析了边缘电场效应,在此基础上得到了在集成电光器件中相邻光通道互不干扰所需的平行电极对的间隔距离。最后以单晶1×4光开关为例给出了当电极板长度为5mm、宽度为2mm、电极板间距为2mm时,离开电极板边缘3mm处的电场强度就已经降到电极板中心处的5%左右,引起的信道串扰约为0.25%,可忽略不计。 展开更多
关键词 信息光学 1×N电光开关 边缘电场效应 有限尺寸平行电极 电场分布
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电容式RFMEMS开关膜片边缘场效应的表征
13
作者 李君儒 高杨 +2 位作者 何婉婧 蔡洵 黄振华 《太赫兹科学与电子信息学报》 2015年第2期342-346,共5页
计及电容式RF MEMS开关膜片上电场分布的边缘场效应后,很难建立高保真的开关自驱动失效阈值功率解析模型。因此,采用膜片承受射频信号功率的面积(ARF)和膜片与传输线的正对面积(A)的比值构建优值(Fo M),以表征膜片上电场分布的边缘场效... 计及电容式RF MEMS开关膜片上电场分布的边缘场效应后,很难建立高保真的开关自驱动失效阈值功率解析模型。因此,采用膜片承受射频信号功率的面积(ARF)和膜片与传输线的正对面积(A)的比值构建优值(Fo M),以表征膜片上电场分布的边缘场效应强弱。利用HFSS软件建立了开关自驱动失效的三维电磁模型;以一种常见的开关构型为案例,仿真得到了多种射频信号功率(Pin)和开关气隙高度(g0)条件下膜片边缘电场分布,并与优值计算结果进行了对比验证,初步证明了采用优值ARF/A表征膜片上电场分布的边缘场效应强度的可行性。 展开更多
关键词 射频微电子机械系统 电容式开关 射频功率容量 自驱动 边缘场效应
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负性液晶边缘场切换模式的亮线不良分析 被引量:1
14
作者 李裕蓉 杨磊 陈明阳 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1044-1050,共7页
对于高分辨率小尺寸的边缘场切换模式(FFS)产品,负性液晶可以有效提升穿透率与对比度,从而改善画质。在使用负性液晶过程中出现了暗态显示区边缘发亮,即亮线不良(Line Mura)的现象。通过光学和电性仿真以及解析实验对亮线不良问题进行... 对于高分辨率小尺寸的边缘场切换模式(FFS)产品,负性液晶可以有效提升穿透率与对比度,从而改善画质。在使用负性液晶过程中出现了暗态显示区边缘发亮,即亮线不良(Line Mura)的现象。通过光学和电性仿真以及解析实验对亮线不良问题进行了分析。发现显示器周边的虚拟像素(Dummy pixel)是产生亮线不良最直接的原因,因为这种设计在蟹角(Crab)区域产生了异常高电场,导致暗态时液晶旋转从而产生亮线。本文通过软件模拟分析了亮线产生的因素,并进行了实验验证,最后提出了改善方案。为以后负性液晶FFS模式的显示屏设计提供了很好的指导。 展开更多
关键词 亮线 负性液晶 虚拟像素 蟹角 边缘场切换
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一种全新的LCD宽视角技术 被引量:2
15
作者 马新利 黄子强 《现代显示》 2005年第6期24-29,共6页
在边缘场开关模式向列液晶盒内,不论是在电极之间的液晶分子还是电极之上的液晶分子都可以在边缘场的驱动下转动,所以它具有比共面转换模式更好的透光率和宽视角特性。本文对这两种模式的结构和原理进行了比较,并介绍了针对其自身存在... 在边缘场开关模式向列液晶盒内,不论是在电极之间的液晶分子还是电极之上的液晶分子都可以在边缘场的驱动下转动,所以它具有比共面转换模式更好的透光率和宽视角特性。本文对这两种模式的结构和原理进行了比较,并介绍了针对其自身存在的不足所进行的各种改进方法的原理、结构和改进效果,对各种方法的优缺点做出了评述。 展开更多
关键词 宽视角 LCD 技术 液晶分子 开关模式 视角特性 转换模式 改进方法 改进效果 边缘场 液晶盒 透光率 优缺点 电极 原理 结构 向列 驱动
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负性液晶边缘场切换模式的性能分析及优化
16
作者 李裕蓉 杨磊 +2 位作者 陈明阳 陈钢 王志军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第9期914-920,共7页
为了实现性能优良的广视角液晶显示,对基于负性液晶的边缘场切换模式(FFS)的穿透率、响应时间等性能参数进行了分析与优化。为了实现FFS模式高穿透率的显示,对于影响穿透率的参数进行了仿真分析及优化选取。通过实验验证了仿真结果并且... 为了实现性能优良的广视角液晶显示,对基于负性液晶的边缘场切换模式(FFS)的穿透率、响应时间等性能参数进行了分析与优化。为了实现FFS模式高穿透率的显示,对于影响穿透率的参数进行了仿真分析及优化选取。通过实验验证了仿真结果并且兼顾了相关参数对响应时间和穿透率的影响。相比于正性液晶的FFS模式,参数优化使得穿透率提高了18%,并且响应时间为26 ms,和正性液晶相当。当其他条件相同,像素区域的穿透率曲线面积最大时,穿透率也是最大,通过这种方法确定了负性液晶FFS模式的电极间距。此外,响应时间取决于像素倾斜角与盒厚,而与像素间距和电极的宽度距离比无关。 展开更多
关键词 负性液晶 边缘场切换 穿透率 响应时间
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广视角液晶显示器设计 被引量:2
17
作者 王欢 徐向阳 +5 位作者 辛武根 王伟 涂志中 尹傛俊 徐宇博 李乘揆 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期559-563,共5页
为了实现液晶显示器的广视角显示,论文详细阐述了一款54.6cm(21.5in)液晶显示器的广对比度视角液晶面板及广亮度视角背光源的设计原理和方法。介绍了边缘场开关模式液晶面板的设计方法及结构,从原理上阐释了此液晶面板具有广对比度视角... 为了实现液晶显示器的广视角显示,论文详细阐述了一款54.6cm(21.5in)液晶显示器的广对比度视角液晶面板及广亮度视角背光源的设计原理和方法。介绍了边缘场开关模式液晶面板的设计方法及结构,从原理上阐释了此液晶面板具有广对比度视角的原因;介绍了背光源亮度视角的设计方法,通过对背光源中多组光学膜层架构的测试和数据对比,得到了具有最广亮度视角的膜层架构。根据上述原理进行实际模组样品的制作并进行实测,数据结果显示此款液晶显示器的对比度视角可达90°/90°/90°/90°,且在水平方向的1/2亮度视角可达60°,相应的亮度视角均一性为1.20。通过对比其他同类产品的实测数据,表明此款液晶显示器无论在对比度视角还是亮度视角方面都远优于同类产品。 展开更多
关键词 广视角 边缘场开关 光学膜层 背光源
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