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硅基完全集成DC/DC转换器中多层平面电感设计与建模
被引量:
1
1
作者
李清华
邵志标
耿莉
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期463-466,共4页
为提高完全集成低压低功率DC/DC转换器转换效率与输出电流能力,提出了一种多层混联螺旋电感结构.该结构基于标准0.5μm 2P3M CMOS工艺,将下面较薄的两层金属线圈多点并联,再与最上层金属线圈串联.多点并联结构有效地增加了等效...
为提高完全集成低压低功率DC/DC转换器转换效率与输出电流能力,提出了一种多层混联螺旋电感结构.该结构基于标准0.5μm 2P3M CMOS工艺,将下面较薄的两层金属线圈多点并联,再与最上层金属线圈串联.多点并联结构有效地增加了等效金属层的厚度,串联结构增加了线圈之间的互感值,从而可以在不增加额外工艺成本的条件下显著提高平面电感的品质因数、单位面积电感值和电感线圈的电流承受能力.所提出的模型为完全集成DC/DC转换器的整体电路模拟分析提供了便利基础.基于0.5μm2P3MCMOS硅衬底工艺的模拟计算结果表明,在DC/DC转换器工作频段50~400MHz,取得了预期电感的设计效果,最大品质因数值达4.2,单位面积电感值达到83mH/m^2,可以承受的电流达90mA.电感芯片测试结果与模型模拟结果基本吻合.
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关键词
完全集成
dc/
dc
转换器
多层平面电感
建模
品质因数
下载PDF
职称材料
单片集成直流-直流转换器的效率提高方法
2
作者
倪金华
洪志良
刘洋
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期287-291,共5页
采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计实现了开关频率达到250 MHz,单片集成的降压型电源转换器。为了提高电源转换效率,该转换器中的片上电感采用非对称性设计方法,提高了电感的品质因数。采用了高密度片上滤波电容来稳定输出电压,同时对单...
采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计实现了开关频率达到250 MHz,单片集成的降压型电源转换器。为了提高电源转换效率,该转换器中的片上电感采用非对称性设计方法,提高了电感的品质因数。采用了高密度片上滤波电容来稳定输出电压,同时对单位电容尺寸的优化设计减小了电容的等效串联电阻以及输出电压纹波。测试结果表明,芯片输入电压为3.3 V,当输出2.5 V电压时,峰值效率达到了80%,最大输出电流达到270 mA;当输出1.8 V电压时,峰值效率达到了70%,最大输出电流达到400 mA。
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关键词
单片集成
直流-直流转换器
片上电感
片上电容
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职称材料
题名
硅基完全集成DC/DC转换器中多层平面电感设计与建模
被引量:
1
1
作者
李清华
邵志标
耿莉
机构
西安交通大学电子与信息工程学院
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期463-466,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60206003)
文摘
为提高完全集成低压低功率DC/DC转换器转换效率与输出电流能力,提出了一种多层混联螺旋电感结构.该结构基于标准0.5μm 2P3M CMOS工艺,将下面较薄的两层金属线圈多点并联,再与最上层金属线圈串联.多点并联结构有效地增加了等效金属层的厚度,串联结构增加了线圈之间的互感值,从而可以在不增加额外工艺成本的条件下显著提高平面电感的品质因数、单位面积电感值和电感线圈的电流承受能力.所提出的模型为完全集成DC/DC转换器的整体电路模拟分析提供了便利基础.基于0.5μm2P3MCMOS硅衬底工艺的模拟计算结果表明,在DC/DC转换器工作频段50~400MHz,取得了预期电感的设计效果,最大品质因数值达4.2,单位面积电感值达到83mH/m^2,可以承受的电流达90mA.电感芯片测试结果与模型模拟结果基本吻合.
关键词
完全集成
dc/
dc
转换器
多层平面电感
建模
品质因数
Keywords
fully integrated dc/dc converters multi-layer planar inductor
modeling
quality factor
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
单片集成直流-直流转换器的效率提高方法
2
作者
倪金华
洪志良
刘洋
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
亚德诺半导体技术(上海)有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期287-291,共5页
基金
国际合作项目:ADI公司项目资助
文摘
采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计实现了开关频率达到250 MHz,单片集成的降压型电源转换器。为了提高电源转换效率,该转换器中的片上电感采用非对称性设计方法,提高了电感的品质因数。采用了高密度片上滤波电容来稳定输出电压,同时对单位电容尺寸的优化设计减小了电容的等效串联电阻以及输出电压纹波。测试结果表明,芯片输入电压为3.3 V,当输出2.5 V电压时,峰值效率达到了80%,最大输出电流达到270 mA;当输出1.8 V电压时,峰值效率达到了70%,最大输出电流达到400 mA。
关键词
单片集成
直流-直流转换器
片上电感
片上电容
Keywords
fully
integrated
dc
-
dc
convert
er
on-chip
inductor
on-chip capacitor
分类号
TN761 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基完全集成DC/DC转换器中多层平面电感设计与建模
李清华
邵志标
耿莉
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
2
单片集成直流-直流转换器的效率提高方法
倪金华
洪志良
刘洋
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
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