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STUDY ON THE WIDE-BAND AND HIGH-GAIN MICROSTRIP ANTENNA ELEMENT
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作者 Yao Demiao Cai Jianming Jiang Mingzhi(Department of Electronic Technology, National University of Defense Technology of China, Changsha 410073) 《Journal of Electronics(China)》 1997年第1期68-74,共7页
A novel three layers microstrip antenna element that has the advantages of wideband and high-gain is proposed. The eigenvalue equation and the frequency characteristic formulas of the input Voltage Stand Wave Ratio ( ... A novel three layers microstrip antenna element that has the advantages of wideband and high-gain is proposed. The eigenvalue equation and the frequency characteristic formulas of the input Voltage Stand Wave Ratio ( VSWR ) are obtained by using the spectral domain method and equivalent circuit method, respectively. With the aid of the numerical results, a C-band microstrip antenna element with bandwidth of 16% (VSWR【1.5) or 25% (VSWR【2) and gain of 10.2-11.3 dB is developed, which are much larger than the bandwidth of 5-6% and the gain of 6-7 dB of the common microstrip antenna element. 展开更多
关键词 MICROSTRIP antenna WIDE band High gain
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多项式拟合技术在天线增益测量中的应用研究
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作者 石磊 张冀 秦顺友 《现代电子技术》 北大核心 2024年第11期22-25,共4页
文中简述了多项式拟合的基本原理公式,提出利用多项式拟合技术确定天线增益频段特性和大型口径天线不同仰角增益的方法。在比较法增益测量中,标准喇叭的增益常为已知的离散校准值,利用高频、低频和两个中间频点的增益值拟合了标准喇叭... 文中简述了多项式拟合的基本原理公式,提出利用多项式拟合技术确定天线增益频段特性和大型口径天线不同仰角增益的方法。在比较法增益测量中,标准喇叭的增益常为已知的离散校准值,利用高频、低频和两个中间频点的增益值拟合了标准喇叭增益的解析式,非拟合点的增益计算结果同已知的标准喇叭增益校准值吻合很好,证明了该方法的有效性。最后,简述了多项式拟合技术在S波段8.54 m气象雷达天线增益测量及大型射电望远镜天线不同仰角增益测量中的应用。 展开更多
关键词 多项式拟合技术 增益测量 增益频段特性 射电望远镜增益测量 口径天线 气象雷达天线增益测量
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我国关键有源光纤材料发展战略研究
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作者 宋向阳 唐国武 +1 位作者 董国平 杨中民 《中国工程科学》 CSCD 北大核心 2024年第3期42-52,共11页
光纤激光器及放大器广泛应用于智能制造、生命健康、新一代信息技术以及国防军事等领域,而有源光纤是光纤激光器和放大器的关键材料。本文综述了红外波段(近红外1.0μm、近中红外1.3~1.5μm、中红外2.0~3.0μm)关键有源光纤材料的研究进... 光纤激光器及放大器广泛应用于智能制造、生命健康、新一代信息技术以及国防军事等领域,而有源光纤是光纤激光器和放大器的关键材料。本文综述了红外波段(近红外1.0μm、近中红外1.3~1.5μm、中红外2.0~3.0μm)关键有源光纤材料的研究进展,从增益系数、增益带宽、特种光纤应用等角度分析了国内外有源光纤材料的发展现状和趋势,指出了我国在该领域所面临的生产设备国产化率不高、高端工业化产品不足等问题,提出了我国关键有源光纤材料未来的重点发展思路、发展方向和发展目标。最后从基本理论自主创新、产业可持续发展、推动政策体系构建、高技术产品引领、全产业链循环发展、领域人才梯队培养等方面提出了对策建议,以期推动我国关键有源光纤材料领域优质、快速发展。 展开更多
关键词 有源光纤材料 红外波段 光纤增益 光纤带宽
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L-Band掺铒光纤放大器的优化设计 被引量:2
4
作者 强则煊 张徐亮 +1 位作者 沈林放 何赛灵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1470-1473,共4页
提出了泵浦分配两段级联 ,并利用前向ASE推动下一级EDF工作的L Band放大器的新结构 基于Giles模型并考虑了ASE噪声的影响 ,运用数值模拟算法系统分析了泵浦光功率分配和铒光纤分配比例对这种EDFA性能的影响 最后优化得到高增益且增益... 提出了泵浦分配两段级联 ,并利用前向ASE推动下一级EDF工作的L Band放大器的新结构 基于Giles模型并考虑了ASE噪声的影响 ,运用数值模拟算法系统分析了泵浦光功率分配和铒光纤分配比例对这种EDFA性能的影响 最后优化得到高增益且增益谱平坦的L BandEDFA ,其在输入信号光功率为 - 2 0dBm时 ,在 15 71~ 16 0 8nm范围内 ,增益值高达 35dB ,增益偏差小于 展开更多
关键词 掺铒光纤放大器 L-band 增益 噪声
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由Giles模型对L-band EDFA的理论分析 被引量:5
5
作者 谭莉 丁永奎 +2 位作者 王衍勇 薛挺 李世忱 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期143-146,共4页
本文通过运用Giles模型对L bandEDFA在不同泵浦波长下的增益、不同泵浦功率与光纤长度的关系以及各种增益特性等进行了数值模拟 ,并同时辅以C bandEDFA进行比较计算 ,从理论上对L bandEDFA的特性进行了较为详细的分析说明 。
关键词 GILES模型 长波段 光纤放大器 密集波分复用 增益
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L-band增益平坦EDFA的研究 被引量:4
6
作者 郭纯一 方太亮 《辽东学院学报(自然科学版)》 CAS 2006年第1期6-9,15,共5页
使用数值计算方法对L-band EDFA小信号增益特性和L-band EDFA中各种光束随EDF长度的变化进行了模拟,得到了L-band EDFA增益具有本征平坦特性的结论,并为L-band EDFA低泵浦转换效率提供了合理解释。在数值模拟的基础上,进行了增益平坦L-b... 使用数值计算方法对L-band EDFA小信号增益特性和L-band EDFA中各种光束随EDF长度的变化进行了模拟,得到了L-band EDFA增益具有本征平坦特性的结论,并为L-band EDFA低泵浦转换效率提供了合理解释。在数值模拟的基础上,进行了增益平坦L-band EDFA的实验,获得L-band30nm波长范围内增益变化不超过0.5dB平坦增益的实验结果,并借助FBG有效地提高了泵浦转换效率。 展开更多
关键词 掺铒光纤放大器(EDFA) 增益平坦 L—band
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一种宽带多网组合卫星导航终端天线
7
作者 赖泽恒 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期7-12,17,共7页
为了满足多系统兼容、高集成度卫星定位终端对天线的需求,提出了一种宽带多网组合卫星导航终端天线。天线采用宽带交叉偶极子结构实现全球卫星导航系统全频段(1164 MHz~1278 MHz&1557 MHz~1612 MHz)覆盖,采用平面倒F天线结构实现蓝... 为了满足多系统兼容、高集成度卫星定位终端对天线的需求,提出了一种宽带多网组合卫星导航终端天线。天线采用宽带交叉偶极子结构实现全球卫星导航系统全频段(1164 MHz~1278 MHz&1557 MHz~1612 MHz)覆盖,采用平面倒F天线结构实现蓝牙/WLAN频段(2400 MHz~2483.5 MHz)覆盖,采用缺陷地单极子结构实现移动通信宽频(824 MHz~960 MHz&1710 MHz~2690 MHz)覆盖,通过微带枝节匹配和去耦结构等手段实现多组天线的融合,天线整体尺寸为120 mm×120 mm×45 mm。实测结果表明:天线电压驻波比优于目标带宽,方向图增益实测结果与仿真结果吻合。该天线具有频带宽、增益高、易调谐等优点,可较好地应用于全频段全网通测量型卫星定位终端设备中。 展开更多
关键词 天线 小型化 多频段 增益 卫星导航
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双频一体化超宽带探地雷达天线设计
8
作者 林翔宇 曾卫华 《电子科技》 2024年第4期25-29,共5页
针对目前探地雷达(Ground Penetrating Radar,GPR)产品单一频段工作所导致的耗时费力、效率低等缺点,文中设计实现了一种中心频率分别为400 MHz、1000 MHz且带宽为200~1500 MHz的双频一体化复合阵列天线,并将其应用于超宽带(Ultra-Wide ... 针对目前探地雷达(Ground Penetrating Radar,GPR)产品单一频段工作所导致的耗时费力、效率低等缺点,文中设计实现了一种中心频率分别为400 MHz、1000 MHz且带宽为200~1500 MHz的双频一体化复合阵列天线,并将其应用于超宽带(Ultra-Wide Band,UWB)探地雷达系统中。阵列天线包含3个中心频率为400 MHz和6个中心频率为1000 MHz的蝶形天线,具备双频段同时探测能力,可实现一条测线含两种不同频段的探测结果,克服了传统探地雷达不同频率的重复探测问题,增强了探地雷达系统的实用性。所提出的双频一体化探地雷达天线具有超宽带、高增益、波束窄等特点,其相对带宽为153%,整个带宽内最高实现17.6 dBi峰值增益,半功率波束宽度最窄为7.6°,为高分辨率、高效率探地雷达应用提供了一种新的天线方案。 展开更多
关键词 探地雷达 蝶形天线 阵列天线 超宽带 高增益 双频 高分辨率 高效率
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星载高增益宽频带高指向性阵列天线设计
9
作者 金宇婷 邢斯瑞 +1 位作者 安向东 吴简 《电子技术应用》 2024年第3期104-108,共5页
针对卫星对X波段通信系统电磁波传输的需求,设计了一款新型X波段高增益宽频带高指向性微带阵列天线。采用平面多层板形式,通过多种技术手段改善天线性能。阵列天线采用侧馈的能量输入方式、多层缝隙耦合馈电设计提高天线带宽,同时将辐... 针对卫星对X波段通信系统电磁波传输的需求,设计了一款新型X波段高增益宽频带高指向性微带阵列天线。采用平面多层板形式,通过多种技术手段改善天线性能。阵列天线采用侧馈的能量输入方式、多层缝隙耦合馈电设计提高天线带宽,同时将辐射层和馈电网络层分离以减小电磁波串扰和提升分离设计简约度,增加金属反射层以提高天线正向增益和前后比。根据工程总体需求,共设计了64阵元和256阵元的矩形微带阵列天线。两种天线经加工测试结果与仿真结果基本一致。该天线实现了高增益、宽频带、高指向性等性能指标,对X波段星地无线通信系统的设计有一定指导意义。 展开更多
关键词 微带阵列天线 X波段 高增益 宽频带 高指向性
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增益光纤类型与L-band EDFA的性能关系
10
作者 金鸣镝 《辽东学院学报(自然科学版)》 CAS 2006年第2期17-20,共4页
为分析增益光纤对L波段(L-band)掺铒光纤放大器(EDFA)增益特性的影响,基于G iles模型对不同增益光纤构成的EDFA进行了数值模拟和实验研究,模拟和实验表明,L-band EDFA增益值的大小与EDF掺杂浓度、泵浦功率及光纤长度有关,光纤长度越长,... 为分析增益光纤对L波段(L-band)掺铒光纤放大器(EDFA)增益特性的影响,基于G iles模型对不同增益光纤构成的EDFA进行了数值模拟和实验研究,模拟和实验表明,L-band EDFA增益值的大小与EDF掺杂浓度、泵浦功率及光纤长度有关,光纤长度越长,则达到平坦增益时需要的泵浦功率就越大,本征平坦增益值也越高。 展开更多
关键词 掺铒光纤放大器 L波段 增益平坦
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一种机载甚高频数据广播(VDB)接收机射频前端设计
11
作者 贺星 任晓波 朱成辉 《现代导航》 2024年第2期110-113,共4页
设计了一种甚高频(VHF)波段接收机,并对接收机的功能性能指标进行优化设计,着重分析了接收通道的动态范围、灵敏度以及本振信号和自动增益控制(AGC)响应时间。测试结果表明,接收机的技术指标与设计结果基本相符,达到了预期要求,具有一... 设计了一种甚高频(VHF)波段接收机,并对接收机的功能性能指标进行优化设计,着重分析了接收通道的动态范围、灵敏度以及本振信号和自动增益控制(AGC)响应时间。测试结果表明,接收机的技术指标与设计结果基本相符,达到了预期要求,具有一定的工程实用价值。 展开更多
关键词 甚高频波段接收机 动态范围 灵敏度 自动增益控制响应时间
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低噪声、高增益的L-band EDFA的实验研究 被引量:3
12
作者 秦山 强则煊 何赛灵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期409-411,共3页
针对传统的LbandEDFA的工作效率低,提出了一种基于单根光纤光栅、泵浦分配、两段级联的EDFA的新结构,其中的光纤光栅用来反射无用的后向CbandASE系统地研究了泵浦比例和光纤光栅波长对增益噪声指数的影响关系最后经实验验证,得到了低噪... 针对传统的LbandEDFA的工作效率低,提出了一种基于单根光纤光栅、泵浦分配、两段级联的EDFA的新结构,其中的光纤光栅用来反射无用的后向CbandASE系统地研究了泵浦比例和光纤光栅波长对增益噪声指数的影响关系最后经实验验证,得到了低噪声、高增益的Lband的EDFA其在输入信号光(1570nm)功率为-30dBm及泵浦功率为70mW时,增益为22.26dB,增益噪声指数为4. 展开更多
关键词 L-band 掺铒光纤放大器 噪声 增益
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Spatially Inhomogeneous Gain Modification in Photonic Crystals
13
作者 李飞 黄翊东 +1 位作者 张巍 彭江得 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第8期2117-2120,共4页
The electric and magnetic energy distributions in photonic crystals (PC) are calculated by using the plane wave expansion (PWE) method. Even though the total electric and magnetic energy in each unit cell of photo... The electric and magnetic energy distributions in photonic crystals (PC) are calculated by using the plane wave expansion (PWE) method. Even though the total electric and magnetic energy in each unit cell of photonic crystals are equal to each other, the ratio of electric and magnetic energy densities varies depending on the local position. Based on Fermi's golden rule, the optical gain is analysed in the full quantum framework that takes the nonuniform energy density ratio into account. This nonuniform energy density ratio in photonic crystals, defined in an equal form as gain modification factor, leads to spatially inhomogeneous modification of optical gain. Results reported in the paper provide a new perspective for analysing gain characteristics, as well as the lasing properties, in photonic crystals. 展开更多
关键词 SPONTANEOUS EMISSION THRESHOLD gain DISTRIBUTED-FEEDBACK LASEROSCILLATION OPTICAL gain band-GAPS ENHANCEMENT LATTICE
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Fully-integrated ultra-wide band LNA in 0.18μm CMOS technology for 3-10 GHz applications 被引量:3
14
作者 杜健昌 Fan Chen +1 位作者 Wang Zhigong Xu Jian 《High Technology Letters》 EI CAS 2019年第4期364-368,共5页
The paper presents a fully integrated ultra-wide band(UWB)low noise amplifier(LNA)for 3-10 GHz applications.It employs self-biased resistive-feedback and current-reused technique to achieve wide input matching and low... The paper presents a fully integrated ultra-wide band(UWB)low noise amplifier(LNA)for 3-10 GHz applications.It employs self-biased resistive-feedback and current-reused technique to achieve wide input matching and low power characteristics.An improved biased architecture is adopted in the second stage to attain a better gain-compensation performance.The design is verified with TSMC standard 1 P6 M 0.18μm RF CMOS process.The measurement results show that the parasitic problem of the transistors at high frequencies is solved.A high and flat S21 of 9.7±1.5 dB and the lowest NF 3.5 dB are achieved in the desired frequency band.The power consumption is only 7.5 mA under 1.6 V supply.The proposed LNA achieves broadband flat gain,low noise,and high linearity performance simultaneously,allowing it to be used in 3-10 GHz UWB applications. 展开更多
关键词 ultra WIDE band(UWB) SELF-BIASED current-reused gain COMPENSATION CMOS low noise amplifer(LNA)
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Tunable Bandwidth Third Order Switched-Capacitor with Multiple Feedbacks Filter for Different Center Frequencies
15
作者 Ganeshchandra N. Shinde Sanjay R. Bhagat 《Engineering(科研)》 2010年第3期179-183,共5页
This paper proposes third order tunable bandwidth active Switched-Capacitor filter. The circuit consists of only op-amps and switched capacitors. The circuit is designed for circuit merit factor Q = 10. The proposed c... This paper proposes third order tunable bandwidth active Switched-Capacitor filter. The circuit consists of only op-amps and switched capacitors. The circuit is designed for circuit merit factor Q = 10. The proposed circuit implements three filter functions low pass, band pass and high pass simultaneously in single circuit. The filter circuit can be used for both narrow as well as for wide bandwidth. For various values of cut-off frequencies the behaviour of circuit is studied. The circuit works properly only for higher central frequencies, when f0 > 10 kHz. 展开更多
关键词 Third Order FILTER Switched Capacitor Pass band gain TUNABLE bandWIDTH Circuit MERIT Fac-tor
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适用于霍尔电流传感器的温漂补偿电路设计
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作者 王兰雨 陈红梅 张昊哲 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2023年第9期8-15,共8页
霍尔电流传感器中存在的温漂会影响传感器的精度,特别是在极端高温和低温下影响更加明显,这限制了霍尔传感器应用的场合。针对该问题本文设计实现了一种适用于霍尔电流传感器的宽温度范围温漂补偿电路。温漂补偿电路通过将增益补偿与带... 霍尔电流传感器中存在的温漂会影响传感器的精度,特别是在极端高温和低温下影响更加明显,这限制了霍尔传感器应用的场合。针对该问题本文设计实现了一种适用于霍尔电流传感器的宽温度范围温漂补偿电路。温漂补偿电路通过将增益补偿与带隙补偿相结合,在霍尔电压放大电路中采用与霍尔元件形状材料均一致的负载电阻,补偿了霍尔元件的温漂误差;同时利用带隙基准电路产生的高低温补偿电流实现对放大器电路的尾电流的温度补偿,使得霍尔电流传感器可以在更宽的温度范围内保持灵敏度稳定。采用GF0.18μm BiCMOS工艺制程,仿真验证表明,在5 V电源电压下,电路在-40℃~140℃的宽温度范围内,灵敏度温漂误差小于0.3%,温漂系数达到35 ppm/℃。相较于其他温度补偿设计,该设计实现了对霍尔传感器高阶温度误差的补偿,使得霍尔传感器具有更宽的工作温度范围以及更小的温漂误差,且不需要额外的数字处理电路,具有较高的工程应用价值。 展开更多
关键词 霍尔电流传感器 温漂补偿 增益补偿 带隙补偿
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Ku波段高增益8通道T/R组件设计与实现 被引量:1
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作者 谢尹政 张利彬 +1 位作者 李旷代 姜利 《太赫兹科学与电子信息学报》 2023年第3期353-359,共7页
利用低温共烧陶瓷(LTCC)高集成化设计优势,设计并实现了一款Ku波段高增益8通道T/R组件。该组件通过双向放大器的合理运用,有效提高了组件的收发增益,同时利用液态金属材料的特性,将硅铝壳体与铝合金散热齿进行有机结合,大大提高了组件... 利用低温共烧陶瓷(LTCC)高集成化设计优势,设计并实现了一款Ku波段高增益8通道T/R组件。该组件通过双向放大器的合理运用,有效提高了组件的收发增益,同时利用液态金属材料的特性,将硅铝壳体与铝合金散热齿进行有机结合,大大提高了组件在连续波发射工作模式下的热量传导能力,保证了组件小体积下工作的可靠性。最终设计实现的Ku波段高增益8通道T/R组件,体积仅84 mm×48 mm×6 mm,质量约60 g,发射功率增益大于45 dB,发射输出功率大于1 W,接收增益大于29 dB,接收噪声系数小于3.5 dB。该组件8个通道收发性能一致性好,性能稳定,具有良好的工程实用价值。 展开更多
关键词 T/R组件 高增益 KU波段 八通道 液态金属
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X波段高增益圆柱形介质谐振器天线的设计
18
作者 王萍 李小强 +2 位作者 于云飞 李永卿 王群 《安全与电磁兼容》 2023年第4期48-53,59,共7页
基于新型(1-x)Zn_(2)SiO_(4)-xLi_(2)TiO_(3)微波介质陶瓷材料,设计了一种工作在X波段的圆柱形介质谐振器天线(DRA)。该天线采用微带-缝隙耦合方式进行馈电,通过增加矩形环状缝隙产生新谐振点的方法增加阻抗带宽,将微带线枝节改为T字形... 基于新型(1-x)Zn_(2)SiO_(4)-xLi_(2)TiO_(3)微波介质陶瓷材料,设计了一种工作在X波段的圆柱形介质谐振器天线(DRA)。该天线采用微带-缝隙耦合方式进行馈电,通过增加矩形环状缝隙产生新谐振点的方法增加阻抗带宽,将微带线枝节改为T字形调节阻抗匹配。仿真结果显示,在工作频段10.34~11.18 GHz范围内,阻抗带宽为820 MHz,频带内驻波比(VSWR)小于2,带内平均增益大于8.62 dBi,最高增益可达10.73 dBi,天线方向性良好。天线的整体性能优异且结构简单,可应用在广播卫星、地球探测卫星、气象卫星等领域。 展开更多
关键词 介质谐振器天线 微波介质陶瓷 高增益 X波段
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面向阵列式换能器的4通道压控放大滤波电路
19
作者 陈谋 姜清华 李安阳 《电声技术》 2023年第9期87-90,共4页
针对阵列式换能器信号检测特点,提出相应的后置放大电路设计指标,设计一款4通道压控放大滤波电路。搭建测试平台,对所提电路的4通道一致性、电路固定增益、可调增益及工作频带等指标进行测试。结果表明,电路4通道具有良好的一致性,频带... 针对阵列式换能器信号检测特点,提出相应的后置放大电路设计指标,设计一款4通道压控放大滤波电路。搭建测试平台,对所提电路的4通道一致性、电路固定增益、可调增益及工作频带等指标进行测试。结果表明,电路4通道具有良好的一致性,频带内增益起伏小,固定增益约为40 dB,带外增益衰减明显,可调增益范围为-20~20 dB,工作频带为10.6~15.5 kHz,工作频带存在高频偏移现象,其他指标满足设计要求。4通道压控放大滤波电路设计对阵列式换能器动态小信号检测具有参考意义。 展开更多
关键词 后置放大电路 固定增益 可调增益 工作频带 滤波电路
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用于毫米波相控阵的U波段10W GaN功率放大器MMIC
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作者 柯鸣岗 阮文州 +1 位作者 夏侯海 杨卅男 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期605-610,共6页
基于0.15μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm。电路级间引入增益补偿网络(G... 基于0.15μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm。电路级间引入增益补偿网络(GCN),并与偏置网络结合,提高电路稳定性的同时可降低插入损耗;输出级匹配电路使用威尔金森功率合成器及簇丛式结构实现8路功率合成,同时保证阻抗匹配效果及漏极供电能力,提高放大器的输出功率与效率。测试结果表明,在40~50 GHz工作频带内,在栅极工作电压为-1.4 V,漏极工作电压28 V的工作条件下,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于40 dBm,功率增益大于15 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于2,功率附加效率(PAE)大于20%。 展开更多
关键词 功率放大器 GAN U波段 增益补偿网络(GCN) 功率合成 单片微波集成电路(MMIC)
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