GRID探测器的SiPM质子辐照研究

使用100 MeV质子对SensL MicroFJ-60035-TSV SiPM进行地面辐照实验,得到了SiPM漏电流增长与质子注量的关系,漏电流增长率为每片SiPM 3.98×10^(-7)μA·cm^(-2),并与其他文章的地面辐照实验结果进行对比,验证了结果一致性;实验结果与GRID-02载荷在轨漏电流增长进行对比,在量级上一致,增长斜率低约40%,进一步定量分析需要详细讨论空间在轨辐射环境的粒子能谱与类型。此外,实验中还设置了开偏压与关偏压两种测试条件,探究了工作电压对SiPM辐照损伤可能的影响。