期刊文献+
共找到33篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Characterization of Bi-substituted Dysprosium Iron Garnet Films Prepared by Sol-gel Process
1
作者 YuepinZHANG XianyingWANG +4 位作者 HaipingXIA DefangSHEN FuxiGAN SongyouWANG LiangyaoCHEN 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第1期66-68,共3页
Bi-substituted dysprosium iron garnet films were prepared by sol-gel process, and were annealed for crystallization. The crystallographic structures of garnet films annealed at different temperatures were analyzed by ... Bi-substituted dysprosium iron garnet films were prepared by sol-gel process, and were annealed for crystallization. The crystallographic structures of garnet films annealed at different temperatures were analyzed by XRD, the film annealed at 650℃ was polycrystalline garnet with no preferred orientation and no impurity crystalline phase. Magnetic and magneto-optical properties were investigated, the film had magnetic anisotropy perpendicular to the film plane, and exhibited strong coercivity of 1100-1600 Oe and high squareness. These films had large figures of merit applicable to magneto-optic storage, with 2 deg. at λ=430 nm and 1.5 deg. at λ=520 nm respectively. 展开更多
关键词 garnet films Magneto-optical properties Sol-gel process
下载PDF
Bismuth Substituted Yttrium Iron Garnet Single Crystal Films Prepared by Sol-gel Method
2
作者 HUANG Min (Dept.of Inform. and Comput.Sci., City College,Zhejiang University,Hangzhou 310015, CHN ) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第4期259-262,共4页
Magneto-optic Faraday rotation effect and the amount of bismuth substituted in yttrium iron garnet single crystal films prepared by gel-coating on modified gadolinium-gallium garnet substrates are investigated, where ... Magneto-optic Faraday rotation effect and the amount of bismuth substituted in yttrium iron garnet single crystal films prepared by gel-coating on modified gadolinium-gallium garnet substrates are investigated, where the gel is synthesized by a sol-gel reaction of nitrates and ethylene glycol. The coated gel is annealed in air at temperatures up to 660 ℃ for 4 h, which is about 300 ℃ lower than that of liquid-phase epitaxy. The maximum amount of Bi substitution is x =2.7 and the crystallization temperature of garnet phase decreases with the increase of x down to 520 ℃ for x =2.7. In this film, a huge Faraday rotation of -8.1×10 4 (°)/cm at λ =0.633 μm is obtained. 展开更多
关键词 Bismuth-substituted garnet thin filmS FARADAY rotation effect Sol-gel method
下载PDF
磁光成像技术及石榴石薄膜在无损检测中的应用
3
作者 杨舒婷 杨青慧 +5 位作者 张鼎 张元婧 俞靖彦 李涵 王峰 张怀武 《磁性材料及器件》 CAS 2024年第3期90-101,共12页
磁光成像作为一种新兴的无损检测技术具有精度高、灵敏度高、成本低、速度快的优势,用于检测磁场大小、焊缝及裂纹缺陷。磁性石榴石薄膜因具有强法拉第效应、小饱和磁化场、良好的均匀性和稳定性等优良性能是目前最适宜应用于磁光成像... 磁光成像作为一种新兴的无损检测技术具有精度高、灵敏度高、成本低、速度快的优势,用于检测磁场大小、焊缝及裂纹缺陷。磁性石榴石薄膜因具有强法拉第效应、小饱和磁化场、良好的均匀性和稳定性等优良性能是目前最适宜应用于磁光成像系统中的传感器材料。介绍了磁光成像无损检测技术的原理、应用与研究发展现状;主要介绍了系统应用的关键元件——石榴石薄膜材料,对其性能改善方法与近年来的研究应用进行了综述;最后对磁光成像领域及其中石榴石薄膜的未来发展与研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 磁光成像 石榴石薄膜 法拉第效应 无损检测
下载PDF
液相外延法制备的掺杂石榴石单晶薄膜
4
作者 李阳 李俊 +4 位作者 陈运茂 魏占涛 刘庆元 帅世荣 蓝江河 《磁性材料及器件》 CAS 2023年第3期17-21,共5页
以高纯氧化物为原材料,采用液相外延法(LPE)制备直径3英寸、厚度20μm以上的掺杂钇铁石榴石(YIG)单晶薄膜,通过离子掺杂对薄膜的饱和磁化强度进行调控,范围为800~1750 G。X射线衍射分析表明薄膜仅有单一衍射峰,且半高宽值约为0.007°... 以高纯氧化物为原材料,采用液相外延法(LPE)制备直径3英寸、厚度20μm以上的掺杂钇铁石榴石(YIG)单晶薄膜,通过离子掺杂对薄膜的饱和磁化强度进行调控,范围为800~1750 G。X射线衍射分析表明薄膜仅有单一衍射峰,且半高宽值约为0.007°。磁性能测试结果表明,制备的薄膜饱和磁化强度可宽幅调控,且呈现明显的平面磁各向异性。同时对薄膜的截面及表面形貌进行观测,发现薄膜与衬底间界面清晰,薄膜表面粗糙度小于1nm,离子掺杂均匀,为后续的器件应用打下良好的基础。 展开更多
关键词 石榴石单晶薄膜 液相外延 离子掺杂 饱和磁化强度
下载PDF
(TbBi)_3Ga_xFe_(5-x)O_(12)薄膜/(TbYbBi)_3Fe_5O_(12)晶体复合结构的生长和在光通信波段的磁光性能 被引量:2
5
作者 徐志成 严密 +2 位作者 吴勇军 黄敏 张志良 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期85-88,共4页
用助熔剂法生长出掺Bi复合稀土铁石榴石晶体((TbYbBi)3Fe5O12),用(TbYbBi)3Fe5O12替代传统的无磁性Gd3Ga5O12晶体作基底液相外延掺Bi稀土铁鎵石榴石薄膜((TbBi)3GaXFe5-XO12).测量了Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体和Tb2.43Bi0.57Ga0.12Fe... 用助熔剂法生长出掺Bi复合稀土铁石榴石晶体((TbYbBi)3Fe5O12),用(TbYbBi)3Fe5O12替代传统的无磁性Gd3Ga5O12晶体作基底液相外延掺Bi稀土铁鎵石榴石薄膜((TbBi)3GaXFe5-XO12).测量了Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体和Tb2.43Bi0.57Ga0.12Fe4.88O12薄膜/Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体复合结构材料在光通信波段(波长λ=1500-1620nm)处的光透射谱(T)、饱和磁化强度(Ms,0.5×106A/m)、法拉第旋转温度系数(FTC,5×10-5/K)和法拉第旋转波长系数(FWC,0.05%/nm).所得结果表明:Tb2.43Bi0.57Ga0.1Fe4.9O12薄膜/Tb0.87Yb1.62Bi0.51Fe5O12晶体复合结构材料的综合性能适用于宽带和温度稳定的光隔离器及其他光通讯器件. 展开更多
关键词 稀土铁石榴石 薄膜/晶体复合结构 磁光性能 温度系数
下载PDF
面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性 被引量:1
6
作者 唐贵德 孙会元 +2 位作者 聂向富 王洪信 赵白 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期50-54,共5页
实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)的稳定性的影响.发现当Hb小于阈值(Hb)tb时,使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变;当Hb大于(Hb)th时,临界面内磁场开始下降.
关键词 稳定性 硬磁畴 第Ⅱ类 哑铃畴 面内磁场
下载PDF
石榴石单晶膜液相外延的最佳生长温度 被引量:1
7
作者 匡轮 杨文元 任绪才 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期152-,共1页
笔者曾提出过石榴石单晶膜液相外延生长的“等效参量”的概念 ,并对化学反应级数n为任意的情形提出了简约理论模型 ,同时分析了各个参量的确定问题 ,从而得到了生长速度曲线。从生长优膜的角度考虑 ,还需要确定最佳外延生长温度。这是... 笔者曾提出过石榴石单晶膜液相外延生长的“等效参量”的概念 ,并对化学反应级数n为任意的情形提出了简约理论模型 ,同时分析了各个参量的确定问题 ,从而得到了生长速度曲线。从生长优膜的角度考虑 ,还需要确定最佳外延生长温度。这是第一次提出这个问题。根据简约模型可以得到 4个特征温度 :饱和温度Ts、生长速度最大时的温度Tm、生长速度与化学反应级数n无关的温度Tn 和生长速度随n的变化最剧烈时所在的温度TP。Tn,TP 分别满足的方程已得出。我们认为 ,Ts 为生长膜的温度的上限 ,Tn 为生长优质膜的温度的下限 ,而Tp 则为最佳生长温度 (Ts-Tp 为最佳过冷度 )。在Tp 下 ,不同的n对应的生长速度相差最大 ,膜的成分最集中 ,性能最好。对YIG和La :YIG ,本文计算出过冷度分别为 1 5℃和 1 2℃。实验结果分别为 1 7℃和 1 0~1 5℃ ,可知本文提出的最佳生长温度是合理的 ,对其他系列的膜也可以计算。各参量对Tp 的影响也可以得出。 展开更多
关键词 石榴石单晶膜 液相外延生长 生长温度
下载PDF
石榴石型磁光存储材料 被引量:1
8
作者 黄敏 张守业 《材料科学与工程》 CSCD 1997年第4期43-46,共4页
稀土铁石榴石薄膜被认为是最具应用前景的下一代磁光记录材料。稀土铁石榴石薄膜具有高的矫顽力、良好的热、化学稳定性及强的磁光效应等特点;特别是当Bi3+和Ce3+离子部分取代石榴石结构中的稀土离子后,可以极大地增强其磁光... 稀土铁石榴石薄膜被认为是最具应用前景的下一代磁光记录材料。稀土铁石榴石薄膜具有高的矫顽力、良好的热、化学稳定性及强的磁光效应等特点;特别是当Bi3+和Ce3+离子部分取代石榴石结构中的稀土离子后,可以极大地增强其磁光效应。本文就磁光记录的原理、磁光存储材料、稀土铁石榴石磁光薄膜的制备及其如何降低石榴石薄膜中的晶界噪声等问题作了一些探讨。 展开更多
关键词 石榴石薄膜 磁光存储 溅射 高温热解 存储器
下载PDF
石榴石单晶膜的生长与应用分析 被引量:1
9
作者 匡轮 任绪才 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第3期232-237,共6页
通过对石榴石单晶膜生长的分析,在研究总结大量前人工作的基础上,本文首次提出“等效参量”的概念和最大生长速度分析法,找出了若干参量之间的内在联系,结合实验数据即可确定出单晶膜的生长机制。实验初步证实了该分析方法的正确性... 通过对石榴石单晶膜生长的分析,在研究总结大量前人工作的基础上,本文首次提出“等效参量”的概念和最大生长速度分析法,找出了若干参量之间的内在联系,结合实验数据即可确定出单晶膜的生长机制。实验初步证实了该分析方法的正确性。单晶膜应用于器件已获得成功。 展开更多
关键词 石榴石 外延生长 单晶膜 磁性材料 半导体
下载PDF
氧化物磁性薄膜的研究现状及进展 被引量:4
10
作者 兰中文 孙科 陈盛明 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2007年第1期13-18,50,共7页
综述了氧化物磁性薄膜的研究现状及进展,重点介绍了国际上在尖晶石、磁铅石以及石榴石铁氧体薄膜制备方面取得的最新研究成果,并指出今后的发展方向。
关键词 铁氧体薄膜 尖晶石 磁铅石 石榴石 发展方向
下载PDF
石榴石单晶膜液相外延生长各参量的确定 被引量:3
11
作者 匡轮 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 1997年第1期20-24,共5页
提出了定量确定石榴石单晶膜液相外延生长的各项参数的一般方法,对若干实验得到了理想的数据。同时得出了生长优质膜的温度下限和最佳温度.
关键词 液相外延 石榴石 单晶膜 外延生长 稀土半导体
下载PDF
射频溅射法制取ZnS·Ag发光薄膜 被引量:3
12
作者 成建波 祁康成 李军建 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期196-200,共5页
用烧结ZnS·Ag蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单晶基片上射频溅射制取了ZnS·Ag蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中H2 S的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明 ,基片加热温度应控制在 50 0℃左右 ,放电气体中H2 S含量应控制在... 用烧结ZnS·Ag蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单晶基片上射频溅射制取了ZnS·Ag蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中H2 S的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明 ,基片加热温度应控制在 50 0℃左右 ,放电气体中H2 S含量应控制在 0 2 %左右 ,所制得的薄膜具有和P2 2 B1荧光粉相同的发光光谱。 展开更多
关键词 钆铝柘榴石 硫化锌 射频溅射 发光薄膜
下载PDF
YIG石榴石磁光薄膜材料的最新进展 被引量:7
13
作者 王巍 兰中文 +1 位作者 姬洪 王豪才 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期23-25,28,共4页
介绍了YIG磁光薄膜材料的研究发展趋势以及薄膜材料的制备方法,指出薄膜制备方法对薄膜的性能有很大的影响。且Ce∶YIG磁光薄膜的研究代表了此类薄膜的研究方向。
关键词 磁光薄膜 磁光器件 YIG石榴石 法拉第效应
下载PDF
光纤电流传感器与掺Bi磁光石榴石薄膜 被引量:1
14
作者 冯则坤 何华辉 《信息记录材料》 2005年第4期41-44,共4页
掺Bi磁光石榴石簿膜具有强的法拉第效应而应用于光纤电流传感器。本文介绍了掺Bi石榴石薄膜光纤电流传感器的基本特性、液相升延生长制备方法,以及获得高温度稳定Ve的方法。
关键词 电流传感器 磁光石榴石薄膜 晶体生长
下载PDF
射频溅射法制作Y_2O_2S∶Eu发光薄膜 被引量:4
15
作者 成建波 李军建 祁康成 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期202-204,共3页
在钇铝石榴石单晶基片上用射频溅射法制取了Y2 O2 S∶Eu红色发光薄膜。利用正交试验法 ,对溅射气体 (Ar +H2 S)中H2 S浓度、退火气氛中SO2 与H2 的比例、退火温度和退火时间等工艺条件进行了优化试验。给出了实验结果并对其进行了讨论。
关键词 Y2O2S:Eu 发光薄膜 射频溅射 钇铝石榴石 CRT显示器件 荧光材料
下载PDF
超平坦化Gd_3Ga_5O_(12)(111)基片用于石榴石结构材料薄膜的生长
16
作者 徐振峰 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2007年第2期275-277,280,共4页
通过高温退火处理获得了具有在原子尺度范围内平坦化表面的Gd3Ga5O12(111)基片。在此基片上生长的Y3Fe5O12薄膜的表面光滑度有明显提高。与商品的Gd3Ga5O12(111)基片相比,超平坦化的Gd3Ga5O12(111)基片在生长石榴石结构材料薄膜方面具... 通过高温退火处理获得了具有在原子尺度范围内平坦化表面的Gd3Ga5O12(111)基片。在此基片上生长的Y3Fe5O12薄膜的表面光滑度有明显提高。与商品的Gd3Ga5O12(111)基片相比,超平坦化的Gd3Ga5O12(111)基片在生长石榴石结构材料薄膜方面具有明显的优越性。 展开更多
关键词 表面平坦化 基片 石榴石 薄膜
下载PDF
磁性石榴石薄膜的液相外延生长机理
17
作者 苏钧 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1992年第2期1-6,共6页
为了对磁性石榴石薄膜液相外延过程中熔质成分作定量的评估,本文根据扩散-反应方程,建立了熔质浓度分布模型,研究了液相外延生长中熔质R_2O_3(R代表稀土元素)和Fe_2O_3的浓度在PbO/B_2O_3作为助熔剂的熔体中的变化状况,以及薄膜线性生... 为了对磁性石榴石薄膜液相外延过程中熔质成分作定量的评估,本文根据扩散-反应方程,建立了熔质浓度分布模型,研究了液相外延生长中熔质R_2O_3(R代表稀土元素)和Fe_2O_3的浓度在PbO/B_2O_3作为助熔剂的熔体中的变化状况,以及薄膜线性生长速率与生长温度的关系. 展开更多
关键词 磁性石榴石 薄膜 液相外延 熔质
下载PDF
石榴石型偏振调节器温度效应研究(英文) 被引量:1
18
作者 阮长江 焦新兵 +1 位作者 陈林 高军 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期22-27,共6页
采用磁控溅射法制备了石榴石型偏振调节器并研究了温度对其的影响.利用斯托克斯偏振仪和CCD,研究激光透过石榴石及石榴石型偏振调节器的偏振极化性质和光斑变化.实验结果表明:在25~75℃温度范围内,激光穿过不同材料时,斯托克斯... 采用磁控溅射法制备了石榴石型偏振调节器并研究了温度对其的影响.利用斯托克斯偏振仪和CCD,研究激光透过石榴石及石榴石型偏振调节器的偏振极化性质和光斑变化.实验结果表明:在25~75℃温度范围内,激光穿过不同材料时,斯托克斯参量变化趋势不同;但是因方位角不改变,激光的偏振度、线偏振度、圆偏振度基本不变. 展开更多
关键词 石榴石 条状 薄膜 温度 偏振调节器
下载PDF
液相外延生长磁性石榴石薄膜中铋的分凝系数与生长率的关系 被引量:2
19
作者 韦江维 何华辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期468-470,共3页
在Bi2O3-PbO-B2O3复合助熔剂中,采用等温浸渍液相外延技术在GGG基片的(111)面上生长了(Bi,Al)∶YIG薄膜。通过调整过冷度和基片转速来改变薄膜的生长速率。测量了外延膜中铋的含量。给出了铋的分凝系... 在Bi2O3-PbO-B2O3复合助熔剂中,采用等温浸渍液相外延技术在GGG基片的(111)面上生长了(Bi,Al)∶YIG薄膜。通过调整过冷度和基片转速来改变薄膜的生长速率。测量了外延膜中铋的含量。给出了铋的分凝系数的表达式,并计算了铋的分凝系数。讨论了铋的分凝系数与生长率的定量关系。发现KBi符合BPS生长模型。 展开更多
关键词 液相外延 磁性石榴石 薄膜 分凝系数生长率
下载PDF
退火工艺对YIG多晶薄膜铁磁共振线宽的影响 被引量:1
20
作者 金曙晨 杨青慧 +3 位作者 梅兵 饶毅恒 田晓洁 张怀武 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1053-1056,1060,共5页
主要研究了退火工艺对钇铁石榴石(YIG)薄膜铁磁共振线宽的影响。实验中微米级的YIG薄膜通过磁控溅射法在Gd_3Ga_5O_(12)(GGG)(111)衬底上制备,并通过750~950℃常压常规退火及750~850℃真空快速退火两种方式对薄膜进行退火晶化处理。最... 主要研究了退火工艺对钇铁石榴石(YIG)薄膜铁磁共振线宽的影响。实验中微米级的YIG薄膜通过磁控溅射法在Gd_3Ga_5O_(12)(GGG)(111)衬底上制备,并通过750~950℃常压常规退火及750~850℃真空快速退火两种方式对薄膜进行退火晶化处理。最终系统地研究了薄膜的微观晶体结构、磁性能和铁磁共振线宽性能。研究发现,经过800℃,10 min的真空快速热处理的YIG薄膜磁性能优异,其铁磁共振线宽为2 626.1 A/m@9.3GHz,阻尼系数α=2.077×10^(-3),薄膜表面粗糙度为1.9nm。 展开更多
关键词 钇铁石榴石(YIG) 快速退火 射频磁控溅射 铁磁共振线宽(FMR) 阻尼系数
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部