半导体洁净室AMC控制过程的管理

阐述随着集成电路制造过程中的制程要求越来越高,AMC在生产过程中对良率会产生影响,AMC的控制不应仅仅生产运行时考虑,更应在项目规划、项目建设时期就要详细设计,从而为集成电路制造的生产运行创造良好的基础条件。探讨集成电路制造项目的选址、建设材料的选用、空气与化学污染的处理、日常监测运行,为Fab生产运行提供良好的环境保证。

多组分气体污染物被动式监测方法的研究

研究了一种同时对甲醛、二氧化氮以及二氧化硫三种气体污染物进行监测的扩散法被动式监测方法。用经过处理的活性炭纤维作为吸收材料。采样后 ,将在吸收层上的HCHO、NO2 、SO2 经加入 0 0 5mol LNaOH溶液洗脱、0 3 %H2 O2 溶液氧化等步骤分别转化为HCOO-、NO-2 和SO2 -4 ,用离子色谱法进行定量测定。被动式采样器适合在风速 0 2～ 1 5m s,相对湿度 2 0 %～ 90 %以及温度 - 1 0～ 35℃的范围内使用。采样速率(ml min) :甲醛 67、二氧化氮 80、二氧化硫 64 ,相应的相对标准偏差为 7 3 %、3 6 %、6 8%。本方法 2 4小时采样的最小可测浓度是 (mg m3 ) :甲醛 0 0 2 6 ,二氧化氮 0 0 0 8,二氧化硫 0 0 69。在现场与有动力的采样方法比较 ,总不确定度甲醛 2 3 %、二氧化氮 2 3 %、二氧化硫 1 8%。本方法实现了用一个采样器采集三种气体污染物 ,同时测定出各个污染物的浓度。本项研究拓展了扩散法被动式采样方法在室内外环境空气监测中的使用前景。

Si抛光片存储中表面起“雾”的研究

存储中Si片起"雾"是Si片存储面临的最大挑战,"雾"缺陷是可见或可印刷的晶体结构,从污染生长而来,已是困扰半导体业界长达10年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。所以研究Si片的"雾"缺陷,并克服"雾"缺陷显得尤为迫切。从实际生产出发,根据实验数据分析和理论推导,建立了一个起"雾"原因基本模型,对引起"雾"缺陷影响因素进行了独立细致的分析,并在这个模型的基础上提出了相对应的有效的解决方案。

高纯气体的湿度控制方法

随着特征尺寸(CD)的不断减小和套刻精度的不断提高,对AMC(气相分子污染物)引起的污染问题越来越重视。投影光刻机中对AMC的浓度的控制,通常使用高纯气体(如高纯氮气、超洁净干空气、超洁净湿空气等)"气浴"吹扫关键元器件,可有效阻断AMC的扩散、稀释AMC的浓度。阐述超洁净湿空气在投影光刻机中的应用以及超洁净湿空气的制备、湿度控制方法等。通过实验分析影响湿度控制的主要因素。