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Electrical properties and reliability of HfO2 gate-dielectric MOS capacitors with trichloroethylene surface pretreatment 被引量:1
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作者 徐静平 陈卫兵 +2 位作者 黎沛涛 李艳萍 陈铸略 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第2期529-532,共4页
Trichloroethylene (TCE) pretreatment of Si surface prior to HfO2 deposition is employed to fabricate HfO2 gatedielectric MOS capacitors. Influence of this processing procedure on interlayer growth, HfO2/Si interface... Trichloroethylene (TCE) pretreatment of Si surface prior to HfO2 deposition is employed to fabricate HfO2 gatedielectric MOS capacitors. Influence of this processing procedure on interlayer growth, HfO2/Si interface properties, gate-oxide leakage and device reliability is investigated. Among the surface pretreatments in NH3, NO, N2O and TCE ambients, the TCE pretreatment gives the least interlayer growths the lowest interface-state density, the smallest gate leakage and the highest reliability. All these improvements should be ascribed to the passivation effects of Cl2 and HC1 on the structural defects in the interlayer and at the interface, and also their gettering effects on the ion contamination in the gate dielectric. 展开更多
关键词 MOS capacitors high-k gate dielectric HFO2 INTERLAYER surface treatment
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一种低耦合电容的高压SiC MOSFET驱动隔离电源设计
2
作者 黄樟坚 汪涛 +3 位作者 李响 张茂强 骆仁松 虞晓阳 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期112-121,共10页
高压SiC MOSFET更快的电压变化率dv/dt,导致其驱动遭受更严重的共模干扰,而现有高隔离电压驱动电源大多又存在耦合电容高、共模瞬态抗扰度(CMTI)能力弱、转换效率低等问题,因此该文设计一种兼具高隔离电压、高转换效率的低耦合电容驱动... 高压SiC MOSFET更快的电压变化率dv/dt,导致其驱动遭受更严重的共模干扰,而现有高隔离电压驱动电源大多又存在耦合电容高、共模瞬态抗扰度(CMTI)能力弱、转换效率低等问题,因此该文设计一种兼具高隔离电压、高转换效率的低耦合电容驱动隔离电源。首先,基于有源钳位反激变换器,提出一种驱动隔离电源耦合电容等效简化解析模型,并通过仿真、实验验证解析模型可行性;其次,基于该模型分析耦合电容影响因素及其优化方法,为低耦合电容的驱动电源设计提供参考;最后,通过实验评估所提低耦合电容高压SiC MOSFET驱动隔离电源性能。结果表明,该文驱动隔离电源额定转换效率约80%,工频耐压高达18 kV,且耦合电容不足2 pF,CMTI能力强。 展开更多
关键词 碳化硅 MOSFET 解析模型 驱动电源 耦合电容
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The electrical characteristics of a 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor structure with Al_2O_3 as the gate dielectric 被引量:1
3
作者 刘莉 杨银堂 马晓华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第12期366-372,共7页
A 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor structure with ultra-thin Al2O3 as the gate dielectric, deposited by atomic layer deposition on tile epitaxial layer of a 4H-SiC (0001) 80N-/N+ substrate, has been... A 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor structure with ultra-thin Al2O3 as the gate dielectric, deposited by atomic layer deposition on tile epitaxial layer of a 4H-SiC (0001) 80N-/N+ substrate, has been fabricated. The experimental results indicate that the prepared ultra-thin Al2O3 gate dielectric exhibits good physical and electrical characteristics, including a high breakdown electrical field of 25 MV/cm, excellent interface properties (1 × 10^14 cm^-2) and low gate-leakage current (IG = 1 × 10^-3 A/cm 2@Eox = 8 MV/cm). Analysis of the current conduction mecha- nism on the deposited Al2O3 gate dielectric was also systematically performed. The confirmed conduction mechanisms consisted of Fowler-Nordheim (FN) tuaneling, the Frenkel-Poole mechanism, direct tunneling and Schottky emission, and the dominant current conduction mechanism depends on the applied electrical field. When the gate leakage current mechanism is dominated by FN tunneling, the barrier height of SiC/Al2O3 is 1.4 eV, which can meet the requirements of silicon carbide metal-insulator-semiconductor transistor devices. 展开更多
关键词 AL2O3 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor capacitor gate leakage current C-V characteristics
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基于FPGA的双馈风力发电机定转子解耦数字镜像超实时仿真 被引量:2
4
作者 陈厚合 杨政 +2 位作者 叶华 裴玮 KAI Strunz 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1819-1830,共12页
为实现双馈风力发电机(doubly fed wind generator,DFIG)大规模实时仿真,设计了一种基于现场可编程逻辑阵列(field programmable gate array,FPGA)的DFIG数字镜像IP核。并提出面向异步机定子与转子“T型”等效电路解耦的虚拟电容等效法... 为实现双馈风力发电机(doubly fed wind generator,DFIG)大规模实时仿真,设计了一种基于现场可编程逻辑阵列(field programmable gate array,FPGA)的DFIG数字镜像IP核。并提出面向异步机定子与转子“T型”等效电路解耦的虚拟电容等效法,在此基础上提出DFIG内部各组件并行算法,最后构建DFIG-IP。通过流水线优化设计,完成基于FPGA的DFIG-IP在4种工况下计算精度与计算速度的实验验证。研究结果表明:该文所提方法降低DFIG异步机求解模块所需FPGA资源约77%;基于FPGA设计的DFIG-IP在500 MHz时钟频率下,超实时加速度比可达27.8,单个DFIG-IP占用ZCU106资源不超过20%;所提方法能够满足DFIG并网系统实时仿真在精度与速度上的要求。研究结果可为含大量新能源并网系统的电磁暂态仿真加速研究提供参考。 展开更多
关键词 现场可编程逻辑阵列(FPGA) 虚拟电容等效 并行计算 双馈风力发电机 超实时仿真
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Energy-band alignment of atomic layer deposited(HfO_2)_x(Al_2O_3)_(1-x) gate dielectrics on 4H-SiC
5
作者 贾仁需 董林鹏 +5 位作者 钮应喜 李诚瞻 宋庆文 汤晓燕 杨霏 张玉明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期408-411,共4页
We study a series of(HfO2)x(Al2O3)1-x /4H-SiC MOS capacitors. It is shown that the conduction band offset of HfO2 is 0.5 e V and the conduction band offset of Hf AlO is 1.11–1.72 e V. The conduction band offsets... We study a series of(HfO2)x(Al2O3)1-x /4H-SiC MOS capacitors. It is shown that the conduction band offset of HfO2 is 0.5 e V and the conduction band offset of Hf AlO is 1.11–1.72 e V. The conduction band offsets of(Hf O2)x(Al2O3)1-x are increased with the increase of the Al composition, and the(HfO2)x(Al2O3)1-x offer acceptable barrier heights(〉 1 e V)for both electrons and holes. With a higher conduction band offset,(Hf O2)x(Al2O3)1-x/4H-SiC MOS capacitors result in a ~ 3 orders of magnitude lower gate leakage current at an effective electric field of 15 MV/cm and roughly the same effective breakdown field of ~ 25 MV/cm compared to HfO2. Considering the tradeoff among the band gap, the band offset, and the dielectric constant, we conclude that the optimum Al2O3 concentration is about 30% for an alternative gate dielectric in 4H-Si C power MOS-based transistors. 展开更多
关键词 energy-band alignment high k gate dielectrics 4H-SiC MOS capacitor
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Interfacial and electrical characteristics of a HfO_2/n–InAlAs MOS-capacitor with different dielectric thicknesses
6
作者 关赫 吕红亮 +3 位作者 郭辉 张义门 张玉明 武利翻 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第12期460-464,共5页
AHfO2/n–In Al As MOS-capacitor has the advantage of reducing the serious gate leakage current when it is adopted in In As/Al Sb HEMT instead of the conventional Schottky-gate. In this paper, three kinds of Hf O2/n–I... AHfO2/n–In Al As MOS-capacitor has the advantage of reducing the serious gate leakage current when it is adopted in In As/Al Sb HEMT instead of the conventional Schottky-gate. In this paper, three kinds of Hf O2/n–InAlAs MOS-capacitor samples with different Hf O2 thickness values of 6, 8, and 10 nm are fabricated and used to investigate the interfacial and electrical characteristics. As the thickness is increased, the equivalent dielectric constant ε ox of Hf O2 layer is enhanced and the In AlAsHfO2 interface trap density Ditis reduced, leading to an effective reduction of the leakage current. It is found that the Hf O2 thickness of 10 nm is a suitable value to satisfy the demands of most applications of a HfO2/n–InAlAs MOS-capacitor, with a sufficiently low leakage current compromised with the threshold voltage. 展开更多
关键词 HfO2/n–InAlAs MOS-capacitor high-k gate dielectric interface trap density leakage current
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抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的推挽式电容辅助电路分析及参数设计方法 被引量:4
7
作者 李小强 林铭恩 +2 位作者 王文杰 吴富强 贺生鹏 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期226-237,共12页
碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacito... 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacitor auxiliary circuit, PPCAC)的SiC MOSFET驱动工作过程进行了进一步的分析。结合分析,将SiC MOSFET桥臂串扰以及漏源电压振荡引起的栅源电压振荡2个问题归一化,通过推挽电容充放电时刻以及桥臂串扰约束,提出了一种推挽电容参数设计方法。通过该设计方法,可使得PPCAC在抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的基础上,改善其开通关断速度。实验结果验证了所提出设计的有效性。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 桥臂串扰 栅源电压振荡 推挽式电容辅助电路 开关速度
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基于拉依达准则的MMC子模块开路故障定位 被引量:5
8
作者 王宝安 张涵璐 邓富金 《电力工程技术》 北大核心 2023年第1期116-123,共8页
模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)凭借模块化结构等优点,被广泛应用于高压大功率输电领域。MMC含有大量子模块(submodule,SM),SM的开关器件故障是影响MMC可靠性的关键问题之一。其中SM开路故障不易及时检测,威胁... 模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)凭借模块化结构等优点,被广泛应用于高压大功率输电领域。MMC含有大量子模块(submodule,SM),SM的开关器件故障是影响MMC可靠性的关键问题之一。其中SM开路故障不易及时检测,威胁系统正常运行,为此提出一种基于拉依达准则的SM开路故障定位方法。首先,对SM开路故障进行故障特性分析,根据SM开路故障会引起SM电容电压的异常变化,应用拉依达准则进行判别。其次,计算同桥臂内SM电容电压的均值和3倍标准偏差来构造一个置信区间,通过判断SM电容电压是否超出置信区间且持续一定时间来检测并定位发生开路故障的SM。该方法不需要额外传感器,不用建立精确数学模型,不用手动设置经验阈值,算法较为简单。最后,在PSCAD/EMTDC中搭建三相MMC系统仿真,并在实验室搭建单相MMC实验平台对该方法进行验证。仿真和实验结果表明,基于拉依达准则的SM开路故障定位方法能够快速有效地定位出发生开路故障的SM。 展开更多
关键词 模块化多电平换流器(MMC) 子模块(SM)故障 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开路故障 故障定位 拉依达准则 电容电压
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不同钝化层对Er_(2)O_(3)/InP MOS电容器界面和电学性能调控
9
作者 吴秋菊 方泽波 《绍兴文理学院学报》 2023年第8期54-59,共6页
为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有... 为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er_(2)O_(3)/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al_(2)O_(3),HfO_(2)和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有效减小界面态密度,抑制漏电流.其中,HfAlO钝化的MOS电容展现出最小的界面态密度和最佳的器件性能.相比于未钝化的器件,HfAlO钝化电容的界面态密度从3.53×10^(13)cm^(-2)降至4.81×10^(12)cm^(-2),介电常数从7.7提高到23.8,漏电流密度从2.95×10^(-9)A/cm^(2)降低到1.67×10^(-10)A/cm^(2).HfAlO钝化层能有效减低界面态密度,并提高器件电学性能. 展开更多
关键词 MOS电容器 ALD Er_(2)O_(3)栅介质 钝化 界面态密度
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基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控 被引量:23
10
作者 曾正 邵伟华 +6 位作者 陈昊 胡博容 陈文锁 李辉 冉立 张瑜洁 秋琪 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第4期1165-1176,共12页
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感... 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易激发高频振荡和过冲,给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理,基于电感钳位双脉冲测试电路,分析了SiC MOSFET开关过程的电路模型,并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征,分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现,这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时,会降低器件的响应速度,增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 开关行为调控 栅极电阻 栅–源电容 驱动电压
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漏栅寄生电容对IGBT工作特性影响的研究 被引量:2
11
作者 张广军 耿正 李利群 《电焊机》 1999年第7期1-3,共3页
漏栅寄生电容是IGBT管的一个重要参数,能引起意外的栅源电压尖峰,击穿栅源间的硅氧化膜,导致器件永久失效。对此种影响的过程进行了分析。
关键词 IGBT 漏栅 寄生电容 逆变焊机 工作特性
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基于GCSC抑制串补输电线路中次同步振荡的研究 被引量:4
12
作者 任先文 孔祥实 +1 位作者 王勋 夏庆生 《电测与仪表》 北大核心 2012年第4期55-58,共4页
含有串联补偿的电力系统中,在某些情况下有可能发生次同步谐振(SSR),损坏发电机轴系。运用Gate-Controlled Series Capacitors(GCSC)可以有效的抑制或消除次同步谐振。本文将基于IEEE Frist BenchmarkModel和轴系扭曲模型,运用过零检测... 含有串联补偿的电力系统中,在某些情况下有可能发生次同步谐振(SSR),损坏发电机轴系。运用Gate-Controlled Series Capacitors(GCSC)可以有效的抑制或消除次同步谐振。本文将基于IEEE Frist BenchmarkModel和轴系扭曲模型,运用过零检测装置控制GCSC的关断脉冲,从而改变串联补偿线路的等值电抗,破坏次同步谐振的发生条件,达到抑制次同步谐振的目的。并且运用Matlab Simulink仿真系统对轴系参数进行仿真对比,仿真结果表明在串补线路中运用GCSC可以有效地抑制次同步谐振。 展开更多
关键词 次同步谐振 GCSC 过零检测 轴系扭曲
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电容式扭矩传感器的微小电容检测系统设计 被引量:10
13
作者 刘波 谢锐 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第1期93-95,100,共4页
针对电容式传感器输出微小电容信号检测难的情况,结合圆容栅扭矩传感器微小电容检测电路中遇到的问题,说明了圆容栅扭矩传感器的基本工作原理,设计了利用LC共振检测微小电容变化的系统。利用LC振荡电路在共振频率附近急剧变化180°... 针对电容式传感器输出微小电容信号检测难的情况,结合圆容栅扭矩传感器微小电容检测电路中遇到的问题,说明了圆容栅扭矩传感器的基本工作原理,设计了利用LC共振检测微小电容变化的系统。利用LC振荡电路在共振频率附近急剧变化180°的特性,当C的值发生变化时,相位对应的角度会发生比较大的变化,将电容变化转变为对相位差的检测。并在Multisim中对检测系统进行模拟仿真,结果表明:此电路可以达到微小电容信号检测电路检测要求,并可以应用于圆容栅扭矩传感器应用中。 展开更多
关键词 扭矩测量 圆容栅传感器 微小电容检测电路 MULTISIM仿真
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Si_3N_4/SiO_2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究 被引量:2
14
作者 蔡小五 海潮和 +3 位作者 陆江 王立新 刘刚 刘梦新 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期754-756,777,共4页
本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的... 本论文主要分析了Si3N4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用。同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷。 展开更多
关键词 叠层栅 界面态电荷 氧化物俘获电荷 电容
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基于门级控制串联电容器不对称串补结构的次同步谐振抑制方法 被引量:3
15
作者 郑翔 徐政 屠卿瑞 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2012年第3期184-190,共7页
对门级控制串联电容器(gate-controlled seriescapacitor,GCSC)在抑制电力系统次同步谐振方面的应用进行了研究。介绍了GCSC的结构及基本控制原理,分析了GCSC稳态运行特性。对基于GCSC的各种不对称串补结构抑制次同步谐振的能力做了分析... 对门级控制串联电容器(gate-controlled seriescapacitor,GCSC)在抑制电力系统次同步谐振方面的应用进行了研究。介绍了GCSC的结构及基本控制原理,分析了GCSC稳态运行特性。对基于GCSC的各种不对称串补结构抑制次同步谐振的能力做了分析,采用复转距系数法求取电气阻尼来表示不对称串补结构缓解次同步谐振的效果。针对单相GCSC设计了次同步谐振阻尼控制器,并通过基于改进的IEEE次同步谐振第1标准测试系统的仿真,验证了所设计的GCSC不对称串补结构控制器不仅能够有效地抑制次同步谐振,且减少了投入的GCSC容量和工程费用。 展开更多
关键词 次同步谐振:门级控制串联电容器 不对称串补结构 电气阻尼 控制器设计
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一种基于调节缓冲电容的IGBT热管理方法 被引量:9
16
作者 周雒维 张益 王博 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期28-36,共9页
针对结温波动加快绝缘栅双极型晶体管(IGBT)老化失效的问题,提出一种基于调节缓冲电容改变IGBT关断轨迹的热管理方法。依据IGBT寿命模型,通过关断轨迹调节关断损耗大小以平滑结温波动的方法能提高IGBT使用寿命。与现有的热管理方法相比... 针对结温波动加快绝缘栅双极型晶体管(IGBT)老化失效的问题,提出一种基于调节缓冲电容改变IGBT关断轨迹的热管理方法。依据IGBT寿命模型,通过关断轨迹调节关断损耗大小以平滑结温波动的方法能提高IGBT使用寿命。与现有的热管理方法相比,该方法具有对主电路影响小、实现简单等优点。首先,阐述热管理电路的工作原理,分析缓冲电路对IGBT关断损耗的影响。然后,建立IGBT损耗计算模型,归纳关断轨迹热管理调节能力的评估方法,以1.2 MW直驱风机系统为例,关断轨迹热管理可以平滑20%额定功率的负载变化造成的结温波动。最后,对该热管理方法进行小功率的实验验证。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 热管理 缓冲电容 关断轨迹 损耗
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车载牵引变流器关键部件寿命评估综述 被引量:13
17
作者 葛兴来 张艺驰 杨宁 《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第4期140-152,共13页
牵引变流器被视为轨道交通列车的"心脏",为列车的运行提供强劲动力。但作为变流器实现电能变换的关键执行部件,绝缘栅双极晶体管IGBT (insulate-gate bipolar transistor)模块与电容性能受多变工况影响较大且较为脆弱,对列车... 牵引变流器被视为轨道交通列车的"心脏",为列车的运行提供强劲动力。但作为变流器实现电能变换的关键执行部件,绝缘栅双极晶体管IGBT (insulate-gate bipolar transistor)模块与电容性能受多变工况影响较大且较为脆弱,对列车安全运行带来极大挑战。现行的维护方案存在维修成本高、维修不及时的缺点,而以寿命评估为核心的更加经济安全的状态修被认为是未来修程修制的改革方向。为此,针对牵引变流器的关键部件—IGBT模块和电容的寿命评估方法进行调研和总结,根据现有寿命评估研究从数理统计出发,趋向于融合失效机理和统计建模,并朝着物理失效建模不断发展的思路,分别从基于故障数据、基于任务剖面、基于性能退化参数3个方面对寿命评估进行分类阐述,给出每种评估方法的流程,并对涉及的环节进行分析。最后,讨论了现有研究工作存在的问题,并展望了未来牵引变流器关键部件寿命评估的发展方向。 展开更多
关键词 牵引变流器 IGBT模块 电容 寿命评估
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IGBT的du/dt有源门极控制技术的研究 被引量:2
18
作者 张国安 张东霞 +1 位作者 姜永金 董雅丽 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2012年第6期36-38,共3页
为减小绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的开关损耗,正常工作时要求使其快速开通和关断。但在大电流或过流情况下,快速开通和关断会导致di/dt和du/dt过大。而较大的du_(oe)/dt会使IGBT误触发导通,使得IGBT控制失效。设计了一种能控制IGBT du/d... 为减小绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的开关损耗,正常工作时要求使其快速开通和关断。但在大电流或过流情况下,快速开通和关断会导致di/dt和du/dt过大。而较大的du_(oe)/dt会使IGBT误触发导通,使得IGBT控制失效。设计了一种能控制IGBT du/dt的新型有源门极控制电路,并进行了分析。给出了仿真和实验结果,验证了新型有源门极控制电路的正确性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极性晶体管 有源门极控制 镜像电流源 耦合电容
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主功率电路设计中的问题及改进
19
作者 解恩 侯红胜 《微特电机》 北大核心 2008年第2期7-9,共3页
在某项目无刷直流电动机控制器设计完成之后,实验中频繁出现短路故障,经分析是由于米勒电容充电以及dv/dt导致误导通。为解决此问题,我们采用门极负压关断,但常用负压充电泵元件数目较多。因此设计了一种简化负压栅极驱动电路,电路简单... 在某项目无刷直流电动机控制器设计完成之后,实验中频繁出现短路故障,经分析是由于米勒电容充电以及dv/dt导致误导通。为解决此问题,我们采用门极负压关断,但常用负压充电泵元件数目较多。因此设计了一种简化负压栅极驱动电路,电路简单,工作可靠。 展开更多
关键词 栅极驱动 米勒电容 负压泵
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外加谐振电压时电容器的电容和电感
20
作者 孙玉明 《烟台大学学报(自然科学与工程版)》 CAS 2021年第4期386-391,共6页
以圆柱形电磁谐振腔为基础设计了2种超导电荷量子位的门电容器,以期简化量子位的结构,有效减小电荷和磁通涨落的影响。从电磁场理论上得到了外加时谐电压驱动时有效激发的模式是横磁模,而且模式的径向分布函数是零阶的贝塞尔函数,纵向... 以圆柱形电磁谐振腔为基础设计了2种超导电荷量子位的门电容器,以期简化量子位的结构,有效减小电荷和磁通涨落的影响。从电磁场理论上得到了外加时谐电压驱动时有效激发的模式是横磁模,而且模式的径向分布函数是零阶的贝塞尔函数,纵向则为节点为偶数的驻波。这样的电磁场模式对应的等效电容与模的本征频率有关,而等效电感则是常数。这些结果将有利于实际门电容器设计、制作时尺寸参数的选择。 展开更多
关键词 电容器 坡印廷定理 电阻抗 门电容器
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