长期存放条件下TFT阵列基板栅金属线腐蚀原因分析

在TFT-LCD制造和存放过程中,存在着电化学腐蚀的环境,由于腐蚀速度相对较慢,所以对此现象的认识和研究不足。本文通过实例分析,研究了栅金属电极线在大气环境下的腐蚀现象和机理,并提出了降低腐蚀的措施。

VLSI圆片级可靠性技术

介绍了圆片级可靠性技术产生的背景,对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,根据测试数据,对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价,对不同测试结构的作用进行了说明。

多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响

为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强.

一种采用互连线电容耦合的线计算电路设计

随着集成电路工艺节点的不断推进,互连线间的寄生效应越来越明显。互连线已经成为制约提高芯片计算能力的关键因素之一,考虑将互连线作为逻辑计算的设计方法引起设计者的广泛关注。通过对互连线间电容耦合效应的研究,提出一种采用金属互连线间的确定性信号干扰来进行逻辑计算的电路设计方案。该方案首先分析金属互连线间电容耦合关系,构建电容耦合模型。然后利用纳米金属线构成耦合电容,调节干扰线与受扰线之间的耦合强度以及调整反相器阈值,设计与非、或非、异或、同或逻辑,在此基础上实现互连线电容耦合的3线-8线译码器。最后,采用台积电65 nm互补金属氧化物半导体工艺,Cadence Spectre环境下仿真验证,结果表明所设计的线计算电路功能正确。与台积电65 nm工艺库的标准单元相比,二输入线计算与非门使用的晶体管数量减少25%,二输入线计算同或门的功耗减少29.1%,四输入线计算与非门的面积和功耗延时积分别减少46.4%和55%。因此,线计算逻辑门具有低硬件开销特性,提供了密集实现数字集成电路的新途径,有利于芯片向小型化发展。

耐热钢排气歧管铁型覆砂铸造工艺

小型薄壁耐热钢件生产中,钢液粘度大,流动性差,易出现冷隔缺陷。介绍了铁型覆砂工艺生产壁薄耐热钢排气歧管的可行性,以及砂箱、浇注系统、排气系统的设计,涂料的选用。

西津水利枢纽二线船闸闸门实时在线监测

目前,在水利水电工程中无论是机械设备、电气设备还是土建结构,都已经较多地使用了在线监测与智能管控,并且各自都有了较成熟的应用和实践成果。但是用于水工金属结构设备(主要包括闸门、启闭机等)的在线监测与智能管控仍处于初期阶段。笔者以西津水利枢纽二线船闸闸门实时在线监测系统为例,研究闸门实时在线监测系统结构、功能及在线监测内容,提出人字闸门和反弧门动态特性、结构动静应力、轴承运行状态、运行姿态的监测方案。该实时在线监测系统的应用为西津水利枢纽二线船闸安全稳定运行提供保障,也为更多的闸门实时在线监测系统应用提供参考。