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Capacitive Model and S-Parameters of Double-Pole Four-Throw Double-Gate RF CMOS Switch
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作者 Viranjay M. Srivastava Kalyan S. Yadav Ghanashyam Singh 《Wireless Engineering and Technology》 2011年第1期15-22,共8页
In this paper, we have analyzed the Double-Pole Four-Throw Double-Gate Radio-Frequency Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (DP4T DG RF CMOS) switch using S-parameters for 1 GHz to 60 GHz of frequency range. DP4T D... In this paper, we have analyzed the Double-Pole Four-Throw Double-Gate Radio-Frequency Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (DP4T DG RF CMOS) switch using S-parameters for 1 GHz to 60 GHz of frequency range. DP4T DG RF CMOS switch for operation at high frequency is also analyzed with its capacitive model. The re-sults for the development of this proposed switch include the basics of the circuit elements in terms of capacitance, re-sistance, impedance, admittance, series equivalent and parallel equivalent of this network at different frequencies which are present in this switch whatever they are ON or OFF. 展开更多
关键词 Capacitive MODEL DOUBLE-gate MOSFET DP4T switch Isolation Radio Frequency RF switch S-PARAMETER and VLSI
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Performance of Double-Pole Four-Throw Double-Gate RF CMOS Switch in 45-nm Technology
2
作者 Viranjay M. Srivastava 《Wireless Engineering and Technology》 2010年第2期47-54,共8页
In this paper, we have investigated the design parameters of RF CMOS switch, which will be used for the wireless tele-communication systems. A double-pole four-throw double-gate radio-frequency complementary-metal-oxi... In this paper, we have investigated the design parameters of RF CMOS switch, which will be used for the wireless tele-communication systems. A double-pole four-throw double-gate radio-frequency complementary-metal-oxide-semicon- ductor (DP4T DG RF CMOS) switch for operating at the 1 GHz is implemented with 45-nm CMOS process technology. This proposed RF switch is capable to select the data streams from the two antennas for both the transmitting and receiving processes. For the development of this DP4T DG RF CMOS switch we have explored the basic concept of the proposed switch circuit elements required for the radio frequency systems such as drain current, threshold voltage, resonant frequency, return loss, transmission loss, VSWR, resistances, capacitances, and switching speed. 展开更多
关键词 45-nm TECHNOLOGY Capacitance of DOUBLE-gate MOSFET DG MOSFET DP4T switch Radio Frequency RF switch Resistance of DOUBLE-gate MOSFET VLSI
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交换机的时间感知整形器的设计
3
作者 丁辉 丁涛杰 耿琪 《电子设计工程》 2024年第7期37-41,46,共6页
时间敏感网络(TSN)是应用于未来工业网络实时性的一种增强型以太网技术。作为主要关键技术之一,流量调度机制决定了时间敏感网络数据传输的确定性和实时性,对其进行研究是非常具有价值的。在研究了802.1Qbv标准中所定义的时间感知整形... 时间敏感网络(TSN)是应用于未来工业网络实时性的一种增强型以太网技术。作为主要关键技术之一,流量调度机制决定了时间敏感网络数据传输的确定性和实时性,对其进行研究是非常具有价值的。在研究了802.1Qbv标准中所定义的时间感知整形器的实现机制和完整的处理流程的基础上,提出了一种时间感知整形器调度机制的设计。将整个设计在自研的TSN交换机平台上进行组网测试,验证了调度器可支持时间敏感业务流的确定性传输。 展开更多
关键词 时间敏感网络 时间感知整形器 门控列表 交换机
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具有自适应浮空分裂栅IGBT的特性研究
4
作者 吴振珲 廖淋圆 +1 位作者 赵书 张涛 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第4期447-453,共7页
为降低传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关损耗E_(SW),提出了一种具有自适应浮空分裂栅的IGBT结构(AFSG-IGBT),并进行了仿真研究。此结构在传统载流子存储沟槽栅双极晶体管结构(CSTBT)的基础上,在沟槽栅中集成了分裂栅和P型结型场效应晶... 为降低传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关损耗E_(SW),提出了一种具有自适应浮空分裂栅的IGBT结构(AFSG-IGBT),并进行了仿真研究。此结构在传统载流子存储沟槽栅双极晶体管结构(CSTBT)的基础上,在沟槽栅中集成了分裂栅和P型结型场效应晶体管(JFET)。栅极与P型JFET相互耗尽,可以大幅降低米勒电容C_(GC),并且降低E_(SW)。在AFSG-IGBT导通时,P型JFET的沟道被夹断,使分裂栅保持在浮空状态,从而保证足够的注入增强效应。仿真结果表明,相比于CSTBT,AFSG-IGBT在高集电极电压下C_(GC)降低了79.7%,栅极电荷Q_(g)降低了52.6%。在导通压降(V_(ON))为1.4 V和集电极电流为100 A/cm^(2)的条件下,AFSG-IGBT的开通损耗E_(on)和关断损耗E_(off)分别比CSTBT低了37.1%和28.5%,并且该结构在驱动电阻分别为5Ω和10Ω时都显示出更优良的V_(ON)-E_(SW)折中关系。 展开更多
关键词 IGBT CSTBT 开关损耗 分裂栅 米勒电容
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GaN HEMT栅偏置电压与反向传导电压的解耦合研究
5
作者 周峰 荣玉 +1 位作者 郑有炓 陆海 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第3期264-269,共6页
第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反... 第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反向传导电压与栅极偏置电压的解耦合,有效解决了负栅偏压下器件的反向传导特性退化难题。研究表明,当器件p-GaN层上方的源控金属块和栅极金属块长度比值为1∶1时,有利于实现正向与反向传导性能的最佳折中。在150℃高温下,采用新结构设计的GaN HEMT维持了低开启反向传导能力。双脉冲动态开关测试表明,器件具有快速开关能力。器件制备工艺简单,兼容现有的GaN HEMT工艺流程,有望促进GaN功率半导体器件技术在变换器应用领域的实用化发展。 展开更多
关键词 GaN HEMT 反向传导能力 栅偏置电压 双脉冲开关 双向变换器
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基于动态规划法的调水工程闸泵切换优化调度方案
6
作者 孟钰婕 刘吉贵 +1 位作者 王维平 曲士松 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期87-93,100,共8页
针对跨流域调水工程运行线路中经验型闸泵切换启闭形式的问题,选取位于山东省德州市中心城区潘庄引黄灌区马颊河左岸辛店闸至沟盘河水库整条线路为研究区域,基于动态规划的正向递推法,以调水线路经济最优、调水最快为目标函数分别建立2... 针对跨流域调水工程运行线路中经验型闸泵切换启闭形式的问题,选取位于山东省德州市中心城区潘庄引黄灌区马颊河左岸辛店闸至沟盘河水库整条线路为研究区域,基于动态规划的正向递推法,以调水线路经济最优、调水最快为目标函数分别建立2个调水过程模型;利用Python语言对2个调水过程模型进行计算,确定不同运行阶段的闸泵切换方式、开启时刻及开启时长,得到流量与水位相结合的经济优且调水快的闸泵切换优化调度方案。结果表明,沟盘河水库初始水位为影响总运行费用及总调水时间的主要因素,闸泵切换优化调度方案可使运行费用降低20%,总调水时间缩短8%,提升了调水线路的经济效益与运行效率。 展开更多
关键词 优化调度 闸泵切换 动态规划法 调水过程模型
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基于GaN器件的有源箝位正激变换器设计
7
作者 汪渭滨 徐海军 王伟 《现代电子技术》 北大核心 2024年第6期119-123,共5页
有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原... 有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原边主开关管采用低栅极电荷、低输出电容、零反向恢复损耗的氮化镓(GaN)器件,再结合平面变压器技术及次级同步整流(SR)技术,使样机峰值效率达到95.13%。最后通过对样机测试结果分析来验证方案的高效率和高功率密度。 展开更多
关键词 有源箝位正激变换器 氮化镓 开关管 栅极电荷 平面变压器 同步整流
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基于RF的并行CNN-TGLSTM热负荷预测模型
8
作者 谭全伟 薛贵军 谢文举 《华北理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第2期112-123,共12页
精准的热负荷预测不仅可以提高用户舒适度,还可以有效降低能源消耗。为了提升热负荷预测的准确性,本研究提出了一种基于随机森林的并行CNN和TGLSTM的短期热负荷预测模型。首先,采用随机森林算法对特征进行筛选;其次,利用并行网络CNN和... 精准的热负荷预测不仅可以提高用户舒适度,还可以有效降低能源消耗。为了提升热负荷预测的准确性,本研究提出了一种基于随机森林的并行CNN和TGLSTM的短期热负荷预测模型。首先,采用随机森林算法对特征进行筛选;其次,利用并行网络CNN和改进的LSTM分别提取时空特征;最后,将提取的特征与多头注意力机制动态结合。实验结果表明,并行CNN-TGLSTM-MA相较于传统的串行CNN-TGLSTM模型,在MAE和MSE方面分别降低了16.9%、26.8%,同时提升了3.5%的R2值,证明了所提出的并行CNN-TGLSTM-MA模型在短期热负荷预测方面的有效性和优越性,为热力系统供热负荷的精准调控提供了参考。 展开更多
关键词 短期热负荷预测 卷积神经网络 转换门控长短期记忆网络 多头注意力机制 随机森林
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基于FPGA的电力电子恒导纳开关模型修正算法及实时仿真架构
9
作者 王钦盛 王灿 +1 位作者 潘学伟 梁亮 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期150-159,共10页
电力电子实时仿真是目前电力电子系统研究过程中的重要工具。为设计一套经济、可靠的电力电子实时仿真系统,文中搭建了一个以现场可编程门阵列(FPGA)为计算核心的硬件平台,并提出了配套的电磁仿真算法和FPGA架构设计。首先,推导了一种... 电力电子实时仿真是目前电力电子系统研究过程中的重要工具。为设计一套经济、可靠的电力电子实时仿真系统,文中搭建了一个以现场可编程门阵列(FPGA)为计算核心的硬件平台,并提出了配套的电磁仿真算法和FPGA架构设计。首先,推导了一种简洁电磁暂态程序(EMTP)算法,用于提高传统离线算法的并行度。其次,从数值算法的角度分析恒导纳开关模型的虚拟功率损耗问题,提出了一种初始误差修正算法,消除了功率损耗。再次,串联以上算法,设计了一种基于状态机框架的数字信号处理(DSP)硬核资源复用FPGA架构,以硬件资源复用的方式实现了资源的高效利用,在不损失速度的同时提高了FPGA的利用效率。最后,通过多个实时仿真算例验证了所提方法的有效性和正确性。 展开更多
关键词 电磁暂态仿真 实时仿真 电力电子开关 虚拟功率损耗 现场可编程门阵列 资源复用
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基于Moldflow的按钮开关帽注塑模具设计 被引量:13
10
作者 刘祥建 周佳睿 姜劲 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期97-102,共6页
针对某种塑料按钮开关帽带有环形侧凹且帽体壁厚变化不均匀的结构特点,设计了一套带斜导柱侧抽芯机构的一模两腔模具。为改善塑件质量及解决塑件脱模问题,首先,结合Moldflow软件仿真确定了浇口位置和冷却系统,并对塑件的成型过程进行仿... 针对某种塑料按钮开关帽带有环形侧凹且帽体壁厚变化不均匀的结构特点,设计了一套带斜导柱侧抽芯机构的一模两腔模具。为改善塑件质量及解决塑件脱模问题,首先,结合Moldflow软件仿真确定了浇口位置和冷却系统,并对塑件的成型过程进行仿真分析,结果显示,塑料熔体充满型腔的时间短且两型腔的充型一致性好,同时,塑件的体积收缩率小且两型腔内的塑件体积变化均匀,型腔内气体的排出情况较好,气穴少,塑件产生的翘曲变形量在合理变形范围之内。其次,对模具结构进行设计,主要包括分型面、成型零件以及侧抽芯机构。由于塑件带有环形侧凹,型芯设计成组合式结构,并由大型芯、滑块和成型杆成型塑件的帽体部分,采用斜导柱侧抽芯机构实现塑件环形侧凹的成型并脱模。通过Moldflow软件分析和优化模具设计方案,可以加快模具的设计过程,提高塑件的成型质量。 展开更多
关键词 按钮开关帽 注塑模具 浇口位置 成型过程
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Heralded linear optical quantum Fredkin gate based on one auxiliary qubit and one single photon detector
11
作者 朱畅华 曹鑫 +1 位作者 权东晓 裴昌幸 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第8期362-367,共6页
Linear optical quantum Fredkin gate can be applied to quantum computing and quantum multi-user communication networks. In the existing linear optical scheme, two single photon detectors (SPDs) are used to herald the... Linear optical quantum Fredkin gate can be applied to quantum computing and quantum multi-user communication networks. In the existing linear optical scheme, two single photon detectors (SPDs) are used to herald the success of the quantum Fredkin gate while they have no photon count. But analysis results show that for non-perfect SPD, the lower the detector efficiency, the higher the heralded success rate by this scheme is. We propose an improved linear optical quantum Fredkin gate by designing a new heralding scheme with an auxiliary qubit and only one SPD, in which the higher the detection efficiency of the heralding detector, the higher the success rate of the gate is. The new heralding scheme can also work efficiently under a non-ideal single photon source. Based on this quantum Fredkin gate, large-scale quantum switching networks can be built. As an example, a quantum Bene~ network is shown in which only one SPD is used. 展开更多
关键词 quantum Fredkin gate linear optics quantum switching network
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基于多维特征融合的转辙机剩余使用寿命预测模型研究
12
作者 王向阳 赵梓豪 +1 位作者 阳六兵 徐锐 《铁道通信信号》 2024年第5期18-23,共6页
为实现转辙机的智能维修,剩余使用寿命预测是一个重要的技术手段。针对转辙机的退化过程预测精度不高和预测效果不稳定的问题,提出一种基于多维特征融合的转辙机剩余使用寿命预测模型。该模型采用并行架构同时提取多个维度的转辙机动作... 为实现转辙机的智能维修,剩余使用寿命预测是一个重要的技术手段。针对转辙机的退化过程预测精度不高和预测效果不稳定的问题,提出一种基于多维特征融合的转辙机剩余使用寿命预测模型。该模型采用并行架构同时提取多个维度的转辙机动作曲线退化特征,即特征指标通道、卷积神经网络通道、门控递归单元通道;将提取的多维特征向量合并成一个特征融合向量输入回归器中,实现转辙机的剩余使用寿命预测。以ZYJ7型转辙机的功率曲线作为数据集,使用均方根误差、平均绝对误差、评分函数作为评价指标,与单通道模型进行性能比较。仿真结果表明:多维特征融合模型的预测值均与实际退化数据最为接近,能够实现对转辙机剩余使用寿命的准确预测,有效支撑维护人员的预防性维修,并提供理论指导。 展开更多
关键词 转辙机 多维特征融合 卷积神经网络算法 门控递归单元算法 剩余使用寿命
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Novel Test Approach for Interconnect Resources in Field Programmable Gate Arrays
13
作者 Yong-Bo Liao Wen-Chang Li Ping Li Ai-Wu Ruan 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2011年第1期85-89,共5页
A novel test approach for interconnect resources (IRs) in field programmable gate arrays (FPGA) has been proposed.In the test approach,SBs (switch boxes) of IRs in FPGA has been utilized to test IRs.Furthermore,... A novel test approach for interconnect resources (IRs) in field programmable gate arrays (FPGA) has been proposed.In the test approach,SBs (switch boxes) of IRs in FPGA has been utilized to test IRs.Furthermore,configurable logic blocks (CLBs) in FPGA have also been employed to enhance driving capability and the position of fault IR can be determined by monitoring the IRs associated SBs.As a result,IRs can be scanned maximally with minimum configuration patterns.In the experiment,an in-house developed FPGA test system based on system-on-chip (SoC) hardware/software verification technology has been applied to test XC4000E family of Xilinx.The experiment results revealed that the IRs in FPGA can be tested by 6 test patterns. 展开更多
关键词 Configurable logic blocks configuretion pattern field programmable gate arrays interconnect resources test switch box.
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一种用于Pipeline ADC的高线性度栅压自举开关
14
作者 王巍 税绍林 +6 位作者 戴佳洪 赵汝法 刘斌政 袁军 马力 王育新 王妍 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第5期758-763,共6页
在流水线模数转换器(Pipeline ADC)电路中,栅压自举开关中的非线性电容会对开关管的导通电阻产生直接的影响,导致采样非线性。设计了一种三路径的高线性度栅压自举开关,采用三个自举电容,分别构成两条主路径和一条辅助路径,使得输入信... 在流水线模数转换器(Pipeline ADC)电路中,栅压自举开关中的非线性电容会对开关管的导通电阻产生直接的影响,导致采样非线性。设计了一种三路径的高线性度栅压自举开关,采用三个自举电容,分别构成两条主路径和一条辅助路径,使得输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端时加快栅端电压的建立,同时利用辅助路径驱动非线性电容,减少电路中非线性电容对采样电路线性度的影响,从而增强信号驱动能力,提高整体电路的精度。本文设计的栅压自举开关应用于14 bit 500 MHz流水线ADC的采样保持电路中。采用TSMC 28 nm CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在输入频率为249 MHz,采样频率为500 MHz的条件下,该栅压自举开关的信噪比(SNDR)达到92.85 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到110.98 dB。 展开更多
关键词 栅压自举开关 采样保持电路 非线性电容 主路径 辅助路径
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抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的推挽式电容辅助电路分析及参数设计方法 被引量:4
15
作者 李小强 林铭恩 +2 位作者 王文杰 吴富强 贺生鹏 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期226-237,共12页
碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacito... 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacitor auxiliary circuit, PPCAC)的SiC MOSFET驱动工作过程进行了进一步的分析。结合分析,将SiC MOSFET桥臂串扰以及漏源电压振荡引起的栅源电压振荡2个问题归一化,通过推挽电容充放电时刻以及桥臂串扰约束,提出了一种推挽电容参数设计方法。通过该设计方法,可使得PPCAC在抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的基础上,改善其开通关断速度。实验结果验证了所提出设计的有效性。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 桥臂串扰 栅源电压振荡 推挽式电容辅助电路 开关速度
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基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控 被引量:1
16
作者 邹铭锐 曾正 +2 位作者 孙鹏 王亮 王宇雷 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第16期4286-4300,共15页
得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOS... 得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOSFET器件开关轨迹调控方法,实现开关速度、损耗、过冲、振荡、串扰、延迟等多项性能的协同优化,建立驱动电阻对SiC器件开关轨迹定量调控的数学模型,发现开关性能量化指标与开关轨迹不同阶段之间的解耦规律,提出分阶段变电阻的驱动方法,实现开关轨迹中多个控制目标之间的协同优化,给出驱动电阻取值的通用设计方法,提出驱动电阻切换的交错时序逻辑,对比传统驱动方法,采用大量实验结果,验证了所提模型方法的有效性。 展开更多
关键词 SIC MOSFET器件 主动栅极驱动 四阶段变电阻 开关轨迹调控 多目标协同
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基于LABS技术和FPGA的固态激光雷达测距系统 被引量:2
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作者 周莎莎 吴侃 +2 位作者 曹先益 隆嘉轩 陈建平 《光通信技术》 2023年第5期71-77,共7页
针对传统固态激光雷达中光束快速扫描控制响应速度和电压控制精度较低的问题,提出了一种基于透镜辅助光束扫描(LABS)技术和现场可编程逻辑门阵列(FPGA)的固态激光雷达测距系统。该系统采用收发一体的结构,系统中的LABS器件由1×16... 针对传统固态激光雷达中光束快速扫描控制响应速度和电压控制精度较低的问题,提出了一种基于透镜辅助光束扫描(LABS)技术和现场可编程逻辑门阵列(FPGA)的固态激光雷达测距系统。该系统采用收发一体的结构,系统中的LABS器件由1×16光开关芯片、4×4光纤阵列和透镜组成。根据LABS方案每一级只有一个光开关处于工作状态的特点,通过选择不同的发射器,将光束照亮到透镜的不同位置来实现光束的转向。光束扫描采用FPGA结合外部选通电路进行控制的方式,通过输出电压控制4级马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型光开关工作,实现光束的快速切换。实验结果表明,该系统光束转向角度步长为0.35°,最大测距范围可达200 m,9.2 m内的测距误差约为1 cm。 展开更多
关键词 光束扫描 现场可编程逻辑门阵列 激光雷达 光开关
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变流器辅助换流的柔性切换开关拓扑与控制 被引量:3
18
作者 方仍存 雷何 +3 位作者 杨东俊 庄凯勋 查晓明 孙建军 《电力工程技术》 北大核心 2023年第1期43-49,123,共8页
分布式新能源渗透率的快速提高,在提升配电网灵活性的同时也加大了其运行调控难度。为此,文中提出一种新型配电网柔性切换开关设备,开关由集成门极换流晶闸管(integrated gate-commutated thyristor,IGCT)与并联电压型变流器组成,其中... 分布式新能源渗透率的快速提高,在提升配电网灵活性的同时也加大了其运行调控难度。为此,文中提出一种新型配电网柔性切换开关设备,开关由集成门极换流晶闸管(integrated gate-commutated thyristor,IGCT)与并联电压型变流器组成,其中针对并联电压型变流器采取虚拟同步发电机控制,可实现负载在不同馈线间的平稳切换。文中首先将所提柔性切换开关与柔性多状态开关及机械开关的主要特征进行比较;然后,分析柔性切换开关在故障前、故障中和故障后的工作模式,并研究在3种工作模式间进行柔性切换时的切换逻辑;最后,通过基于RT-Lab的控制在环实验模拟开关在不同馈线间切换的过程,获得不同工作模式下和柔性切换过程中的电压电流波形。实验结果表明柔性切换开关具有短时电压支撑能力,在不同馈线间切换的过程中不产生电压电流冲击。 展开更多
关键词 柔性切换 集成门极换流晶闸管(IGCT) 虚拟同步发电机 电压支撑 预同步策略 柔性并网
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电容动态投切电力电子开关研制
19
作者 王宇丁 范彩云 +1 位作者 韩坤 黄永瑞 《电力电子技术》 北大核心 2023年第1期49-51,共3页
电力系统受到扰动后的暂态过程中,提升负荷侧的无功支撑有助于电网电压快速恢复。为提高电网电压降低时电容器组无功出力,设计并研制了电容动态投切电力电子开关样机。为验证样机性能,搭建了试验系统,开展了基于逆阻型集成门极换流晶闸... 电力系统受到扰动后的暂态过程中,提升负荷侧的无功支撑有助于电网电压快速恢复。为提高电网电压降低时电容器组无功出力,设计并研制了电容动态投切电力电子开关样机。为验证样机性能,搭建了试验系统,开展了基于逆阻型集成门极换流晶闸管(IGCT)的电容动态投切电力电子开关的绝缘、运行和动态投切试验,试验结果证明电力电子开关的设计和研制满足电容动态投切的要求。研究结果可为以后设计和研制更高电压等级和更大电流的电容动态投切电力电子开关提供参考。 展开更多
关键词 电力电子开关 无功支撑 动态投切 集成门极换流晶闸管
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汽车尾门开关常见的设计问题及解决方案 被引量:1
20
作者 阮耀梅 吕游 《汽车零部件》 2023年第4期88-91,共4页
尾门开关作为使用汽车行李箱最主要的操纵件,其结构设计的合理性、功能的可靠性和稳定性极大地影响用户的用车体验。针对两款不同安装位置和不同结构的尾门开关设计的常见问题进行了阐述,找到了问题的影响因素,并针对这些问题提出了相... 尾门开关作为使用汽车行李箱最主要的操纵件,其结构设计的合理性、功能的可靠性和稳定性极大地影响用户的用车体验。针对两款不同安装位置和不同结构的尾门开关设计的常见问题进行了阐述,找到了问题的影响因素,并针对这些问题提出了相应的解决方案,为汽车尾门开关的设计开发提供参考。 展开更多
关键词 汽车尾门开关 操作卡滞 运动间隙匹配 防水设计
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