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GIANT MAGNETO-IMPEDANCE OF PATTERNED FeSiB/Cu/FeSiB TRI-LAYER FILMS
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作者 X.H. Mao, Y. Zhou, M.S. Wu and B.C. CaiKey Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Research Institute of Micro/ Nanometer Science and Technology, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第5期327-331,共5页
Sensitive magnetic field sensor with good performances can be fabricated utilizing the giant magneto-impedance (GMI) effect of soft magnetic multi-layer thin films. The transverse and longitudinal GMI effect in patter... Sensitive magnetic field sensor with good performances can be fabricated utilizing the giant magneto-impedance (GMI) effect of soft magnetic multi-layer thin films. The transverse and longitudinal GMI effect in patterned FeSiB/Cu/FeSiB tri-layer films with the change of external magnetic field and frequency were studied at the same time. The change of the impedance of the films with the external magnetic fieldand frequency was shown. Comparing the longitudinal and transverse effect, the transverse effect has a larger linear range from zero magnetic field to a quite large magnetic field at all frequencies, and the change still were not saturated until the external magnetic field reached 1.2×104A/m, which illustrated that the films can be utilized to detect larger magnetic fields than now presented GMI sensors. 展开更多
关键词 giant magneto-impedance effect FeSiB/Cu/FeSiB films tri- layer films
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Frequency dependence of magnetization and giant magneto impedance effect of amorphous wires
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作者 Shu-ling Zhang Jian-fei Sun +2 位作者 Da-wei Xing Da-qing Fang Lu-cai Wang 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第4期375-378,共4页
The frequency dependence of magnetization process and giant magneto impedance (GMI) effect of Co-rich melt-extracted amorphous wires was studied by Kerr effect and impedance analyzer, respectively. It is demonstrate... The frequency dependence of magnetization process and giant magneto impedance (GMI) effect of Co-rich melt-extracted amorphous wires was studied by Kerr effect and impedance analyzer, respectively. It is demonstrated that the transverse Kerr intensity and the corresponding GMI response increase with increasing frequency, which contributes to the upgraded skin effect. However, the skin depth has a slothful trend with frequency when it is up to the megahertz range, which gives rise to the transformation of magnetization. The process is much more sensitive to the direct current magnetic field and the sensitive change of the circular permeability, and GMI response is observed as its consequence. This proves that the evolution of circumferential magnetization and the corresponding permeability with the direct current magnetic field is the essence of GMI response, and a much more sensitive magnetization promises a better GMI response. 展开更多
关键词 amorphous wires MAGNETIZATION giant magneto impedance Kerr magneto-optical effect melt extraction
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Applications of Quantum Physics on Resistivity, Dielectricity, Giant Magneto Resistance, Hall Effect and Conductance
3
作者 Saleem Iqbal Farhana Sarwar +1 位作者 Syed Masood Raza Syed Mohsin Raza 《World Journal of Condensed Matter Physics》 CAS 2016年第2期95-102,共8页
Quantum theory with conjecture of fractional charge quantization, eigenfunctions for fractional charge quantization, fractional Fourier transform, Hermite function for fractional charge quantization, and eigenfunction... Quantum theory with conjecture of fractional charge quantization, eigenfunctions for fractional charge quantization, fractional Fourier transform, Hermite function for fractional charge quantization, and eigenfunction for a twisted and twigged electron quanta is developed and applied to resistivity, dielectricity, giant magneto resistance, Hall effect and conductance. Our theoretical relationship for quantum measurements is in good conformity and in agreement with most of the experimental results. These relationships will pave a new approach to quantum physics for deciphering measurements on single quantum particles without destroying them. Our results are in agreement with 2012 Physics Nobel Prize winning Scientists, Serge Haroche and David J. Wineland. 展开更多
关键词 Quantum Resistivity Quantum Dielectricity giant magneto Resistance Quantum Hall effect and Conductance
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Improvement of giant magneto impedance of Co-rich melt extraction wires by stress-current annealing
4
作者 ZHANG Shuling SUN Jianfei XING Dawei 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第4期327-331,共5页
In order to improve the giant magneto impedance (GMI) of Co-rich wires for high sensitive sensor applications, Co6sFe4.sSilsBlz5 wires were prepared by melt an extraction technique and subjected to Joule stress-curr... In order to improve the giant magneto impedance (GMI) of Co-rich wires for high sensitive sensor applications, Co6sFe4.sSilsBlz5 wires were prepared by melt an extraction technique and subjected to Joule stress-current anneal treatments with different tensile slresses applied. And then their GMI response was investigated at a frequency range from 0.1 to 13 MHz. It was found through the comparison of results that the GMI effect of these wires had been improved through stress-current anneal treatments, because the tensile stress applied on these Co-rich wires introduced magnetoelastic energy and increased anisotropy, which improved the circular permeability and GMI effect. Their impedance ratio AZ/Z increased from 244% to 480.9% at 7 MHz and the field sensitivity increased to 0.83%/(A/m) at 5 MHz, when a tensile stress of 244 MPa was applied at an anneal current of 100 mA for 10 min. It was therefore concluded that these annealed wires were suitable for high sensitive sensor applications. 展开更多
关键词 amorphous magnetic materials cobalt alloys WIRES giant magneto-impedance effect ANNEALING
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Giant magneto-impedance effects in nanocrystalline soft magnetic alloy ribbons 被引量:5
5
作者 Ku, WJ Ge, FD +2 位作者 Yan, G Wang, XY Zhu, J 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1997年第12期1049-1052,共4页
SINCE the discovery of the giant magneto-impedance (GMI) effects in amorphous wire (or rib-bon) of CoFeSiB and nanocrystalline wire (or film) of FeCuNbSiB, it has attracted greatattention due to its promising potentia... SINCE the discovery of the giant magneto-impedance (GMI) effects in amorphous wire (or rib-bon) of CoFeSiB and nanocrystalline wire (or film) of FeCuNbSiB, it has attracted greatattention due to its promising potential applications in industry. Amorphous (and nanocrys-talline) soft magnetic alloys have very large magnetic permeability, when an ac driving currentand an external magnetic field (EMF) are applied, the EMF will damp the magnetic fluxchange caused by the ac driving current, thus the magnetic permeability will decrease; as a re- 展开更多
关键词 giant magneto-impedance effects (GMI) MAGNETIC permeability penetration depth NANOCRYSTALLINE soft MAGNETIC alloy ribbon.
原文传递
Magneto-impedance effect in soft Fe-based nanocrystalline alloys 被引量:1
6
作者 Yang, JX Yang, XL +3 位作者 Chen, GO Hu, BY Shen, GT Jiang, KY 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1997年第3期196-199,共4页
IN recent years, giant magneto-resistance (GMR) effects have been observed in some binary composite systems such as multi-layered and granular films of Fe, Co, Ni and Cr, Ag, Cu and attracted considerable interest due... IN recent years, giant magneto-resistance (GMR) effects have been observed in some binary composite systems such as multi-layered and granular films of Fe, Co, Ni and Cr, Ag, Cu and attracted considerable interest due to their potential applications in magnetic recording heads and field sensors. However, a notable GMR effect in these films always requires a strong external magnetic field at low temperature. More recently, Mohri et al. have discovered 展开更多
关键词 FE-BASED NANOCRYSTALLINE giant magneto-impedance effect TRANSVERSE magnetic field annealing.
原文传递
Three-dimension micro magnetic detector based on GMI effect
7
作者 魏双成 邓甲昊 +1 位作者 韩超 杨雨迎 《Journal of Beijing Institute of Technology》 EI CAS 2014年第2期143-146,共4页
The giant magneto-impedance(GMI)effect of amorphous wire was analyzed theoretically.The amorphous wire had strong GMI effect in the stimulation of sharp pulse of 680kHz and18 mV.A pulse generator was designed to pro... The giant magneto-impedance(GMI)effect of amorphous wire was analyzed theoretically.The amorphous wire had strong GMI effect in the stimulation of sharp pulse of 680kHz and18 mV.A pulse generator was designed to provide high frequency pulse to a magnetic impedance(MI)element.The induced voltage on the pickup coil wound on the amorphous wire was sampled and held with a detect circuit using analog switch.A stable magnetic sensor was constructed.A three-dimension micro magnetic field detector was designed with a central controller MSP430F449.High stability and sensitivity were obtained in the MI sensor with the detect circuit.Experiment results showed that the resolution of the detector was 1nT in the full scale of±2 Oe and the detector worked stably from the room temperature to about 80℃.A small ferromagnetic target was detected by the three-dimension detector in laboratory environment without magnetic shielding.The target moving direction was ascertained with the wave shape of axis parallel in that direction. 展开更多
关键词 giant magneto-impedance(GMI)effect amorphous wire three dimension detector pulse generator analog switch
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基于巨磁电阻效应的电流传感器技术及在智能电网中的应用前景 被引量:37
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作者 何金良 嵇士杰 +2 位作者 刘俊 胡军 王善祥 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期8-14,共7页
介绍智能电网中电流的传感和量测技术发展的要求和新趋势,阐述智能电网中各种电流传感器的原理和特点,比较了传统电磁式电流传感器(如CT,罗氏线圈,霍尔)和几种新型的电流传感器(如光纤,巨磁电阻)的优缺点。在分析智能电网的电流测量需... 介绍智能电网中电流的传感和量测技术发展的要求和新趋势,阐述智能电网中各种电流传感器的原理和特点,比较了传统电磁式电流传感器(如CT,罗氏线圈,霍尔)和几种新型的电流传感器(如光纤,巨磁电阻)的优缺点。在分析智能电网的电流测量需求的基础上,结合巨磁电阻(giant magneto resistive,GMR)电流传感器的研究内容着重展望了GMR电流传感器在智能电网中的应用前景。最后总结了GMR传感器在智能电网测量应用中的优势和不足,并针对这些不足,指出了后续研究的方向。 展开更多
关键词 电流传感器 分布式测量 巨磁电阻效应 智能电网
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巨磁阻抗效应研究的最近进展 被引量:27
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作者 钟智勇 张怀武 +1 位作者 刘颖力 王豪才 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期16-18,共3页
本文简要介绍最近几年来有关巨磁阻抗效应理论的研究概况 ,并综述巨磁阻抗材料的研究进展 ;指出为了更好地理解巨磁阻抗效应对其微观机理的研究是必要的。
关键词 巨磁阻抗效应 非晶磁性材料 纳米晶磁性材料 研究进展
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国外巨磁阻抗传感器检测电路技术的发展动态 被引量:11
10
作者 潘仲明 周晗 +1 位作者 张大厦 张文娜 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期781-793,共13页
基于非晶态合金材料巨磁阻抗(GMI)效应和非对称巨磁阻抗(AGMI)效应磁传感器是近20年来磁传感器技术领域的研究热点之一。一些国外学者认为非晶态合金材料适合于制作能同时满足分辨力高、响应速度快、功耗低等要求的微磁传感器。然而,迄... 基于非晶态合金材料巨磁阻抗(GMI)效应和非对称巨磁阻抗(AGMI)效应磁传感器是近20年来磁传感器技术领域的研究热点之一。一些国外学者认为非晶态合金材料适合于制作能同时满足分辨力高、响应速度快、功耗低等要求的微磁传感器。然而,迄今为止,国外研发的绝大多数高分辨力GMI磁传感器仍停留在原理样机阶段,其主要技术指标甚至低于商品化各向异性磁阻(AMR)和巨磁电阻(GMR)磁传感器。简要叙述了非晶态合金材料的GMI效应和退火处理对GMI效应的影响,重点介绍了国外研发的各种不同类型的基于非晶丝(带)的GMI磁探头、模拟信号检测电路及其参考性能指标,并探讨了研发高灵敏度GMI磁传感器的关键技术。 展开更多
关键词 磁传感器 GMI/AGMI效应 非晶丝(带) 模拟电路
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基于非晶带巨磁阻抗效应的新型弱磁场传感器 被引量:29
11
作者 鲍丙豪 蒋峰 +1 位作者 赵湛 宋雪丰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2380-2383,共4页
利用短时矩形脉冲电流对近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金带进行退火处理,得到约114%的巨磁阻抗变化率.同时利用CMOS多谐振荡电路产生窄脉冲电流序列对前面处理过的非晶带进行激励,制作成灵敏度高、稳定性好、功耗低的弱磁场传感器.对传... 利用短时矩形脉冲电流对近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金带进行退火处理,得到约114%的巨磁阻抗变化率.同时利用CMOS多谐振荡电路产生窄脉冲电流序列对前面处理过的非晶带进行激励,制作成灵敏度高、稳定性好、功耗低的弱磁场传感器.对传感器的工作原理进行了分析,并设计了信号处理电路.该传感器可应用于对弱磁场的检测. 展开更多
关键词 巨磁阻抗效应 非晶态软磁合金带 脉冲电流退火 弱磁场传感器
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软磁薄膜高频巨磁阻抗效应的理论模型 被引量:28
12
作者 禹金强 周勇 +1 位作者 蔡炳初 赵小林 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期22-25,共4页
利用修正的Landau Lifshitz Gilbert方程 ,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导 ,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式 ,并与其它理论结果作了比较。结果表明 ,给出的有效横向磁导率表达式与其它理... 利用修正的Landau Lifshitz Gilbert方程 ,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导 ,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式 ,并与其它理论结果作了比较。结果表明 ,给出的有效横向磁导率表达式与其它理论结果一致。详细讨论了小尺寸薄膜中退磁场对共振频率的影响 。 展开更多
关键词 巨磁阻抗效应 软磁薄膜 横向磁导率 共振频率
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巨磁电阻直流电子式电流互感器智能化方法 被引量:10
13
作者 钱政 王争 +1 位作者 李玉凌 刘少宇 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2009年第13期73-77,共5页
巨磁电阻电流互感器作为一种新型有源电子式电流互感器,在实用化过程中所面临的关键问题是长期稳定与可靠运行水平的提高。文中提出了一种智能化巨磁电阻直流电流互感器的实现方法,首先在高压侧电路中嵌入自校准模块,实现巨磁电阻传感... 巨磁电阻电流互感器作为一种新型有源电子式电流互感器,在实用化过程中所面临的关键问题是长期稳定与可靠运行水平的提高。文中提出了一种智能化巨磁电阻直流电流互感器的实现方法,首先在高压侧电路中嵌入自校准模块,实现巨磁电阻传感器输入输出特性的在线校准;针对输入输出特性中表现出的非线性问题,提出了自校正算法;最后提出了高压侧电路的自诊断方法,通过备用单片机的嵌入改善了高压侧电路的可靠运行水平。测试结果表明,自校准、自校正及自诊断等智能化方法的性能达到了设计要求,有助于改善巨磁电阻直流电流互感器的长期可靠运行水平。 展开更多
关键词 巨磁电阻效应 直流电子式电流互感器 自校准 自校正 自诊断
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复合丝巨磁阻抗效应的研究 被引量:3
14
作者 王蕊丽 赵振杰 +2 位作者 袁望治 阮建中 杨燮龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1594-1596,共3页
利用化学渡方法制备了芯层为铁磁层和芯层为导电层的两种复合丝,比较研究了它们的巨磁阻抗特性,结果发现芯层为铁磁层的复合丝在60MHz时取得最大值107%,而芯层为BeCu的复合丝在300kHz时就获得最大值108%。这是因为BeCu/绝缘层/NiCoP在... 利用化学渡方法制备了芯层为铁磁层和芯层为导电层的两种复合丝,比较研究了它们的巨磁阻抗特性,结果发现芯层为铁磁层的复合丝在60MHz时取得最大值107%,而芯层为BeCu的复合丝在300kHz时就获得最大值108%。这是因为BeCu/绝缘层/NiCoP在低频时有较大的磁电阻效应,同时,由于芯层电阻较小,R与X在较低频就可比拟。磁阻抗比不仅取决于磁电阻比、磁感抗比,还与R和X的相对比值有关。要想获得显著的磁阻抗效应,要求材料不仅具有良好的软磁特性,而且电流通过部分还具有电阻率小的特点。 展开更多
关键词 巨磁阻抗效应 化学镀 趋肤效应 复合结构
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Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶薄带磁电感效应的影响因素 被引量:11
15
作者 蒋达国 朱正吼 宋晖 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期29-31,34,共4页
研究了交流电频率、磁场强度以及薄带长度等因素对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁电感效应及磁电感效应变化幅度的影响。结果表明:非晶薄带的磁电感效应随着频率的升高和薄带的加长而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁电感效应变化... 研究了交流电频率、磁场强度以及薄带长度等因素对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁电感效应及磁电感效应变化幅度的影响。结果表明:非晶薄带的磁电感效应随着频率的升高和薄带的加长而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁电感效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大;当频率低于30 kHz时,磁电感效应变化幅度随着频率的升高及薄带的加长而增大;当频率高于30 kHz时,磁电感效应变化幅度随着频率的升高而减小,随着薄带的加长先增大后减小。 展开更多
关键词 非晶薄带 磁电感效应 巨磁阻抗效应
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纳米晶软磁材料的磁性与巨磁阻抗效应 被引量:3
16
作者 杨燮龙 赵振杰 +2 位作者 袁望治 刘龙平 吴志明 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第Z1期25-39,2,共16页
介绍了国内外纳米晶软磁FINEMET合金的制备方法、软磁特性、巨磁阻抗效应和物理机制,尤其对巨磁阻抗效应的研究、应用及展望作了较详细的评述.
关键词 纳米晶 材料制备 非晶晶化 巨磁阻抗效应
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一种新型的磁敏传感器 被引量:8
17
作者 郑金菊 余水宝 孙笑琴 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期308-309,320,共3页
利用铁基纳米微晶材料的磁敏特性和LC反馈式振荡器的特性,设计制作了一种新型的磁敏传感器,并对其性能进行了测试,实验结果表明,该传感器具有良好的性能,可用作弱磁场探测、磁敏开关等。
关键词 铁基纳米晶 巨磁阻抗效应 磁敏传感器 振荡器
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钴基非晶磁芯巨磁阻抗效应电流传感器 被引量:8
18
作者 赵湛 鲍丙豪 +1 位作者 徐云峰 董钢 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期483-488,共6页
利用钴基非晶薄带环形磁芯的巨磁阻抗效应研制了新型非接触电流传感器。磁芯在2kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2短时矩形脉冲电流退火30s,通过CMOS多谐振荡电路产生的频率为900kHz窄脉冲电流激励,最大阻抗变化率为34%,磁场灵敏度约... 利用钴基非晶薄带环形磁芯的巨磁阻抗效应研制了新型非接触电流传感器。磁芯在2kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2短时矩形脉冲电流退火30s,通过CMOS多谐振荡电路产生的频率为900kHz窄脉冲电流激励,最大阻抗变化率为34%,磁场灵敏度约为45%/Oe。分析了传感器工作原理,设计了传感器电路,通过参数的优化和电流负反馈设计提高了传感器的分辨率、线性度、灵敏度和测量范围。设定测量范围为-2.5^+2.5A时,传感器测量精度为0.45%,灵敏度为0.67V/A。 展开更多
关键词 钴基非晶薄带 环形磁芯 巨磁阻抗效应 非接触测量 电流传感器
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基于巨磁阻抗效应的微磁传感器研制 被引量:7
19
作者 陈先中 李芸芸 +1 位作者 侯庆文 孙光飞 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2575-2578,共4页
分析了巨磁阻抗敏感材料CoFeSiB非晶丝的特性,研制了磁传感器的硬件系统并对其进行了标定.试验表明:基于巨磁阻抗效应的新型微磁传感器具有灵敏度高、饱和磁场低、响应快和稳定性好等优点,具有较好的应用前景.
关键词 巨磁阻抗效应 非晶丝 微磁传感器
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驱动方式对玻璃包裹铁基纳米晶丝巨磁阻抗(GMI)效应的影响 被引量:5
20
作者 施方也 黄翩翩 +2 位作者 林根金 吴锋民 方允樟 《浙江师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第3期287-292,共6页
用HP4294A型阻抗分析仪测量了不同直径的玻璃包裹铁基纳米晶丝在2种驱动方式下的巨磁阻抗.结果发现,纵向和环向2种驱动方式下晶丝的最佳退火温度分别为580℃和560℃.2种驱动方式下,巨磁阻抗比值都随细丝直径的增大而增大;环向驱动方式下... 用HP4294A型阻抗分析仪测量了不同直径的玻璃包裹铁基纳米晶丝在2种驱动方式下的巨磁阻抗.结果发现,纵向和环向2种驱动方式下晶丝的最佳退火温度分别为580℃和560℃.2种驱动方式下,巨磁阻抗比值都随细丝直径的增大而增大;环向驱动方式下,巨磁阻抗频谱曲线峰值对应的驱动频率随细丝直径的增大而减小;纵向驱动方式下,不同直径晶丝的巨磁阻抗频谱曲线峰位频率没有明显的变化. 展开更多
关键词 纳米晶合金 巨磁阻抗效应 温度退火 驱动方式
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