GTR实现的电子型负电阻的原理及其应用实验

在电力系统动态物理模拟中,为使模拟同步发电机的励磁绕组的时间常数等于原型同步发电机励磁绕组的时间常数,需要通过串接负电阻来进行补偿。借鉴线性稳压电源的工作原理,设计了利用功率三极管GTR实现的大功率电子型负阻器,并详细介绍了其设计电路和工作原理。通过实验,研究了其静态和动态特性。结果表明所研制的电子型负阻器线性度好,动态响应快。励磁系统动态特性模拟的应用实验进一步表明,所研制的负阻器的阻值可调范围大,运行稳定性高,尤其在高补偿度工况下不会产生自激现象等。

制罐机用大功率晶体管（GTR）电阻焊的逆变电源

本文介绍了一种以ＴＰ８０１Ａ微机为控制核心的大功率晶体管（ＧＴＲ）逆变式电阻焊电源，主电路采用ＧＴＲ桥式逆变电路，在焊机次级回路中，获得频率为１２０～２６０Ｈｚ的焊接电流，以适应罐头高速缝焊的需要。

大功率晶体管最优驱动电路研究

大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动 ,提出了一种新型驱动电路 ,很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时 ,比例驱动管子工作于深饱和状态 ,使功率管的损耗达到最小 ;另一方面在功率管关断时 ,驱动电路通过低阻抗抽流回路及高反压辅助抽流的引入 ,在功率管的基极提供很强的基极反抽电流 ,使管子快速关断。实验表明与通常的抗饱和驱动相比 ,本方案由于功率管深度饱和 ,从而使管子的通态饱和压降降低了 0 .5 V,损耗亦降低了 63 .4W;另一方面由于关断时基极反抽电流增大了三倍 ,存储时间增加仅 0 .1 μs。

快恢复二极管在直流脉宽调速系统中的应用

从理论和实际两个方面阐述了快恢复二极管在功率晶体管保护电路和直流电动机续流电路中的应用。

铁磁性多层膜的巨磁电阻效应和自旋晶体管

简述了铁磁性多层膜的巨磁电阻效应和自旋阀巨磁电阻效应产生的物理机制。介绍了新型微电子器件自旋晶体管和自旋阀晶体管的工作原理。由于自旋晶体管优良的性能，在计算机和通讯领域有广泛的应用前景。

变频调速应用技术(一) 第一讲 百年期待盼变频(上)

变频器进入实用阶段,比发明异步电动机晚了近百年。本文从分析其原因入手,讲述了影响实施变频调速的主要问题。进而介绍了变频同时还必须变压的原理,以及正弦脉宽凋制的具体实施方法。

用8098单片机控制的步进电机驱动源

利用8098单片机的脉宽调制输出(以下简称PWM)的特点,控制大功率晶体管模块GTR的导通与关断比,从而使步进电机绕组中的电流保持不变,大大改善了绕组中电流波形,提高了步进电机的高频特性.本驱动源最大相电流可达20A.

IGBT并联时的发射极环流现象分析

大功率电机做变频驱动设计时,为控制采购成本,大部分的设计方法是进行绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联使用,IGBT是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点,非常适合应用于直流电压为600 V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等领域。这里分析了IGBT并联产生的发射极环流现象,并就发射极环流的大小控制和部分器件参数计算提出了解决方法。

中国计算机发展简史

简要论述了20世纪50年代中期中国计算机事业起步以来的发展与学科建设。系统介绍了中国从早期的基于电子管第一代计算机、基于晶体管的第二代计算机、基于中小规模集成电路的第三代计算机,到基于微处理器的第四代计算机发展过程。中国自主研发的计算机为国防和科研事业做出了重要贡献,并且推动了计算机产业的发展。目前中国计算机在很多方向的研究上达到了世界前沿,部分计算机水平已达到国际领先。与此同时,中国计算机事业的发展呈现出多元化的趋势,与国外发达国家同步的形成了一系列新的学科,这些学科也获得了快速的发展,很多领域在技术研发或产业化上,达到甚至超越了同期国外水平。本文重点介绍了计算机网络、计算机安全、数据库、人工智能、中文信息处理、图形图像处理、虚拟现实和人机交互等学科的发展。