闪光釉的研制

通过正交实验法、X射线衍射分析等手段,研究了闪光釉的最佳工艺及其配方。结果表明:当4.2%CeO2、0.5%TiO2、7.0%ZrSiO4时釉面的闪光效果较好,闪光釉熔块的最佳制备工艺为:熔块熔制温度1250℃淬冷,熔制周期14h;在施釉厚度为0.3～0.4mm,烧成温度为1120℃且急冷的工艺条件下,得到釉面的闪光效果最佳。经过XRD和光泽度表征得出:釉面析出的CeO2晶粒的大小尺寸以及数量,釉面的光泽度为110。

闪光釉闪光机理的研究

闪光釉的特征是对入射光有金属镜面般的反射 ,研究表明 ,这种反射是由釉中以 ( 2 0 0 )晶面平行于釉面的CeO2 晶粒造成的 ,晶粒的取向程度越高反射越强。闪光釉只有施在相应的底釉上才具有闪光效果。

闪光釉制备工艺对其性能的影响

闪光釉的特征是对入射光有金属镜面般的反射 ,研究表明 ,这种反射是由釉中以 (2 0 0 )晶面平行于釉面的CeO2 晶粒造成的 ,晶粒的取向程度越高反射越强。闪光釉的闪光效果可用晶粒取向度F来表征。制备工艺对F影响强烈。本工艺条件下 ,CeO2 质量分数为 6 %～ 8%、熔制温度 135 0℃、保温 2 0～ 30min ,获得F为 6 0