多孔铝合金的孔隙率梯度及控制

应用图像识别与处理技术,描述了多孔铝合金的面孔隙率及体孔隙率;研究了渗流法制备的多孔铝合金沿长度方向的孔隙率梯度,并对整体孔隙率的均匀度进行了估计。研究结果表明:多孔铝合金的中上部孔隙率最高,顶端次之,底端最低。多孔铝合金的孔隙率梯度主要是由渗流驱动压力梯度与凝固顺序所决定,而颗粒的自然堆积密度影响相对较小。但通过振动控制方法,调整颗粒堆积密度,可以有效地改善多孔铝合金的孔隙率梯度,使孔隙率梯度绝对值平均由6.5%降至2.2%。

2024/3003铝合金圆锭的自由压制变形研究

提出一个简化的分层模型 ,研究 2 0 2 4 / 30 0 3梯度铝合金圆锭自由热压条件下的塑性变形特征 ,并与试验结果进行比较 ,数值模拟结果与实验结果基本吻合。

基于COMSOL的微弧氧化过程温度场分布研究

目的研究微弧氧化过程的温度场分布情况对成膜过程及表面形貌的影响。方法以7075铝合金微弧氧化过程中的一个放电通道为研究对象,基于多物理场仿真软件COMSOL Mutiphysics建立了微弧氧化传热过程的数学模型及物理模型。基于有限元法求解出微弧氧化成膜过程的温度场分布,选择特定参考线及参考点,绘制了温度-时间曲线。选择0、100、500、1000μs四个关键时间点,绘制了对应的温度-纵向深度曲线、温度分布云图及温度梯度分布云图,并探究其对陶瓷层表面形貌的影响。结果在0~100μs时,放电通道区域温度下降速率最快;在100~500μs时,温度下降速率逐渐减小;在500~1000μs时,温度下降速率最小且趋于不变。相对于放电通道中心区域,靠近氧化铝膜层-铝合金基体界面区域温度下降速率较快,温度梯度较大;在0、100、500、1000μs时,最高温度所在位置的纵向深度依次为93、20、26、38μm,呈现先减小后增大的趋势。结论电解液对微弧氧化过程的冷却作用主要集中于放电通道形成后的100μs内。除电解液外,氧化铝膜层-铝合金基体界面在微弧氧化成膜过程中有一定的冷却作用,而放电通道各区域冷却速率不均衡是氧化膜表面形成火山口状孔洞的主要原因。

铝厚板梯温剪切轧制变形研究

传统对称轧制工艺常造成铝厚板表面变形大和中心变形小的不均匀分布,阻碍了高性能厚铝板的生产。为解决此问题,结合异速比和梯度温度,采用梯温剪切轧制的新方法,分析该型式下铝厚板的变形分布特性,并对比了不同轧制型式下等效应变和剪切应变分布。结果表明,梯温剪切轧制中板中心点的变形明显大于对称轧制,变形均匀性显著提升。

梯度铝合金压制板材的热轧变形研究

研究了Alsi/al梯度铝合金压制板材在热轧大塑性变形后的组织、成分和性能变化,特别是梯度过渡区的塑性变形特征。结果说明:在变形温度为757K下,压制态合金板材经过热轧的大塑性变形后仍然保持着良好的梯度分布特征。随着变形量的增加,热轧板材梯度过渡层的非均匀性有所减少,芯部显微硬度值有所增加。

梯度硅铝合金在高密度微波组件封装中的应用研究

伴随着微电子封装技术高速发展,单一的封装材料已经难以满足当前高密度集成微波组件封装所需的综合性能需求。在简述了微电子封装技术对材料的需求以及金属基材料存在的不足的基础之上,文中引入了一种新型微电子封装材料-梯度硅铝合金,开展了全方位的工艺验证,包括多芯连接器与盒体热失配、LTCC电路片与盒体热失配、盒体形变、法兰盘强度与激光焊接等单点工艺技术应用验证研究,随后进行了产品应用验证研究。在验证的基础上总结出了梯度硅铝作为封装材料的应用边界。研究结果丰富了微电子封装材料体系,推动了微电子封装技术的发展。

温度梯度对铝合金A2024瓷质阳极氧化膜表面性能的影响

在阳极氧化过程中通过设置温度梯度,对铝合金A2024表面进行了瓷质氧化,并对氧化膜的形貌、硬度、膜厚、耐磨性及耐蚀性进行了研究。结果表明,相同条件下,采用温度梯度法制备的瓷质氧化膜,其均匀性、膜厚和硬度等性能都优于恒定温度氧化法制备的氧化膜,膜的质量得到了很大的提高。温度梯度氧化法制备的瓷质氧化膜硬度最高为1100 HV左右,自腐蚀电位在-0.3 V到-1.1 V之间,摩擦系数为0.25。进一步研究发现瓷质阳极氧化的最佳工作温度区间在20℃~30℃(温度梯度为5℃)。在阳极氧化过程中设置温度梯度可以降低生产中氧化温度的严格要求,还可以降低能量损耗。

军用铸造铝合金标准物质的研制

介绍了军用铸造铝合金标准物质研制全过程 ,以及该标准物质定值的准确可靠性。

7A19铝合金熔铸工艺及消除羽毛状晶缺陷的研究

介绍了7A19铝合金的熔铸生产工艺过程及该合金生产中存在的一些问题;通过试制研究制定出了合理的熔铸生产工艺制度;论述了铸锭低倍组织中羽毛状晶缺陷的产生原因和解决办法。