纳米WC/Co硬质合金粉末烧结早期的晶粒长大研究

研究了纳米晶粒WC/Co硬质合金烧结早期的晶粒长大问题,利用X射线衍射、TEM等技术对烧结过程中晶粒变化情况进行分析,并在此基础上探讨了烧结早期的晶粒长大机制。实验结果表明:WC晶粒长大在加热过程已经发生;晶粒开始长大温度为1000℃,在1100℃部分晶粒长大到100nm;在1200℃,有更显著的晶粒长大发生,有些尺寸达到400nm。烧结过程中WC晶粒形状变得规则化。烧结早期WC晶粒长大是在晶粒旋转合并机制与局部液相烧结机制共同作用下完成。

机械合金化制备超细、纳米晶CuCr触头材料的探讨

分析探讨了机械合金化工艺制备超细、纳米晶CuCr材料中的晶粒尺寸、氧含量和材料密度控制等主要问题,提出了一种低成本制备高性能CuCr触头材料的新思路,即添加高性能晶粒长大抑制剂+普通真空烧结工艺。

针形超微粒α－Fe_2O_3还原过程成核生长动力学

基于成核生长动力学经验方程，导出了气固反应过程成核生长动力学方程，应用于针形超微粒ａ－Ｆｅ２Ｏ３在氢氮气氛中还原过程。利用ＴＰＲ技术得到还原过程成核生长动力学方程。针形超微粒ａ－Ｆｅ２Ｏ３表面氧还原速率随还原程度的增加而增加，体相氧还原速率随还原程度的增加而减小。以制备磁粉为目的的还原最佳温度为３６０～４００°Ｃ。

Al_2O_3掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究

研究了Al2 O3 掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响 ,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能。实验结果表明 :对于Al2 O3 掺杂ZnO压敏陶瓷 ,其晶粒生长的动力学指数n等于 4,激活能Q等于 ( 40 0± 2 6 )kJ/mol。Al2 O3 掺杂ZnO压敏瓷的晶粒生长机理是ZnAl2 O4尖晶石颗粒在ZnO压敏瓷晶粒边界钉扎过程中Al3 +和O2 -通过ZnAl2 O4尖晶石的扩散。

微波场中BaTiO_3陶瓷的烧结及施、受主掺杂对晶粒生长的影响

采用TE10 3 单模腔微波炉烧结BaTiO3 陶瓷 ,对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨 ,分析了BaTiO3 陶瓷微波烧结过程中各损耗随温度的变化规律 ;同时 ,分别在体系中引入受主杂质Cr3 +和施主杂质Nb5 +,研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。