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Spin-polarized transport in a normal/ferromagnetic/normal zigzag graphene nanoribbon junction 被引量:1
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作者 Tian Hong-Yu Wang Jun 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第1期433-437,共5页
We investigate the spin-dependent electron transport in single and double normal/ferromagnetic/normal zigzag graphene nanoribbon (NG/FG/NG) junctions. The ferromagnetism in the FG region originates from the spontane... We investigate the spin-dependent electron transport in single and double normal/ferromagnetic/normal zigzag graphene nanoribbon (NG/FG/NG) junctions. The ferromagnetism in the FG region originates from the spontaneous magnetization of the zigzag graphene nanoribbon. It is shown that when the zigzag-chain number of the ribbon is even and only a single transverse mode is actived, the single NG/FG/NG junction can act as a spin polarizer and/or a spin analyzer because of the valley selection rule and the spin-exchange field in the FG, while the double NG/FG/NG/FG/NG junction exhibits a quantum switching effect, in which the on and the off states switch rapidly by varying the cross angle between two FG magnetizations. Our findings may shed light on the application of magnetized graphene nanoribbons to spintronics devices. 展开更多
关键词 spontaneous magnetization zigzag graphene nanoribbon spin polarizer quantumswitching effect
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Modulating magnetism of nitrogen-doped zigzag graphene nanoribbons 被引量:2
2
作者 赵尚骞 吕燕 +2 位作者 吕文刚 梁文杰 王恩哥 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第6期507-513,共7页
We present a study of electronic properties of zigzag graphene nanoribbons (ZGNRs) substitutionally doped with nitrogen atoms at a single edge by first principle calculations. We find that the two edge states near t... We present a study of electronic properties of zigzag graphene nanoribbons (ZGNRs) substitutionally doped with nitrogen atoms at a single edge by first principle calculations. We find that the two edge states near the Fermi level sepa- rate due to the asymmetric nitrogen-doping. The ground states of these systems become ferromagnetic because the local magnetic moments along the undoped edges remain and those along the doped edges are suppressed. By controlling the charge-doping level, the magnetic moments of the whole ribbons are modulated. Proper charge doping leads to interest- ing half-metallic and single-edge conducting ribbons which would be helpful for designing graphene-nanoribbon-based spintronic devices in the future. 展开更多
关键词 graphene nanoribbons charge doping spin-polarization spatial localization
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含单排线缺陷锯齿型石墨烯纳米带的电磁性质 被引量:6
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作者 张华林 孙琳 王鼎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期339-347,共9页
基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了含单排线缺陷锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的电磁性质,主要计算了该缺陷处于不同位置时的能带结构、透射谱、自旋极化电荷密度、总能以及布洛赫态.研究表明,含单排线缺陷的ZGNR和无缺陷的ZGNR在非... 基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了含单排线缺陷锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的电磁性质,主要计算了该缺陷处于不同位置时的能带结构、透射谱、自旋极化电荷密度、总能以及布洛赫态.研究表明,含单排线缺陷的ZGNR和无缺陷的ZGNR在非磁性态和铁磁态下都为金属.虽然都为金属,但其呈金属性的成因有差异.在反铁磁态下,单排线缺陷越靠近ZGNR的边缘,对ZGNR电磁性质的影响越明显,缺陷由ZGNR对称轴线向边缘移动过程中,含单排线缺陷的ZGNR有一个半导体-半金属-金属的相变过程.虽然线缺陷靠近中线的ZGNR为半导体,但由于缺陷引入新的能带,导致含单排线缺陷的ZGNR的带隙小于无缺陷ZGNR的带隙.单排线缺陷紧邻边界时,含缺陷ZGNR最稳定;单排线缺陷位于次近邻边界位置时,含缺陷ZGNR最不稳定.在反铁磁态下,对单排线缺陷位于对称轴线的ZGNR施加适当的横向电场,可以实现半导体到半金属的转变.这些研究结果对于发展基于石墨烯的纳米电子器件有重要的意义. 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 线缺陷 自旋极化
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掺杂三角形硼氮片的锯齿型石墨烯纳米带的磁电子学性质 被引量:4
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作者 张华林 孙琳 韩佳凝 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第24期152-160,共9页
利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了三角形BN片掺杂的锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的磁电子学特性.研究表明:当处于无磁态时,不同位置掺杂的ZGNR都为金属;当处于铁磁态时,随着杂质位置由纳米带的一边移向另一边时,依次可以实现... 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了三角形BN片掺杂的锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的磁电子学特性.研究表明:当处于无磁态时,不同位置掺杂的ZGNR都为金属;当处于铁磁态时,随着杂质位置由纳米带的一边移向另一边时,依次可以实现自旋金属-自旋半金属-自旋半导体的变化过程,且只要不在纳米带的边缘掺杂,掺杂的ZGNR就为自旋半金属;当处于反铁磁态时,在中间区域掺杂的ZGNR都为自旋金属,而在两边缘掺杂的ZGNR没有反铁磁态.掺杂ZGNR的结构稳定,在中间区域掺杂时反铁磁态是基态,而在边缘掺杂时铁磁态为基态.研究结果对于发展基于石墨烯的纳米电子器件具有重要意义. 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 掺杂 自旋极化
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六边形BN片掺杂的ZGNR的磁电子学特性
5
作者 张华林 艾相旭 +1 位作者 唐贵平 刘娟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期12-17,31,共7页
利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了六边形BN片掺杂的锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的磁电子学特性。研究表明,当处于无磁(NM)态时,随着掺杂浓度的增大,可以实现金属-准金属的相变。当处于铁磁(FM)态时,随着掺杂浓度的增大,可以实现... 利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了六边形BN片掺杂的锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的磁电子学特性。研究表明,当处于无磁(NM)态时,随着掺杂浓度的增大,可以实现金属-准金属的相变。当处于铁磁(FM)态时,随着掺杂浓度的增大,可以实现自旋金属-自旋半导体的相变,且为双极化自旋半导体。当处于反铁磁(AFM)态时,不同浓度掺杂的ZGNR都是自旋半导体,随着掺杂浓度的增大,下旋带隙逐渐减小,而上旋带隙是先减小后增大。在不同浓度掺杂情况下,AFM态都是基态。随着掺杂浓度的增大,结合能逐渐增大,故掺杂浓度最小的ZGNR最稳定。该研究对于发展基于石墨烯的纳米电子器件很有意义。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 BN掺杂 自旋极化
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侧吸附铁原子链锯齿形石墨纳米条带的输运性质的研究
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作者 李海玲 王建明 《山西师范大学学报(自然科学版)》 2013年第1期49-52,共4页
本文利用基于密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理计算对在侧边吸附一条铁原子链的锯齿形边界石墨条带的输运性质进行了研究.发现吸附在侧边的铁原子链更大程度地破坏其边界态从而使其产生较明显的自旋极化.无论从能带结构还是透... 本文利用基于密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理计算对在侧边吸附一条铁原子链的锯齿形边界石墨条带的输运性质进行了研究.发现吸附在侧边的铁原子链更大程度地破坏其边界态从而使其产生较明显的自旋极化.无论从能带结构还是透射率来看体系的输运性质都是自旋极化的,而且相比于中间吸附的例子要明显. 展开更多
关键词 吸附 铁原子链 石墨条带 自旋极化
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边界掺Be原子石墨纳米带的自旋输运性质研究 被引量:1
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作者 吴婷婷 王雪峰 +1 位作者 蒋永进 周丽萍 《浙江师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2012年第1期65-69,共5页
采用基于第一性原理和非平衡格林函数的输运计算方法,研究了4个原子宽度锯齿(zigzag)型纳米带在边界掺Be原子时对输运性质的影响.结果发现:石墨纳米带呈半导体特性,杂质原子抑制了附近原子的局域磁性,改变了完整纳米带的电子结构,2种自... 采用基于第一性原理和非平衡格林函数的输运计算方法,研究了4个原子宽度锯齿(zigzag)型纳米带在边界掺Be原子时对输运性质的影响.结果发现:石墨纳米带呈半导体特性,杂质原子抑制了附近原子的局域磁性,改变了完整纳米带的电子结构,2种自旋电子将表现出不同的透射情况,且在费米面附近尤为明显.通过计算散射区的分子自洽哈密顿量(MPSH)能谱,发现2种自旋电子能级不再简并,在外加偏压下纳米带产生自旋极化电流.同时,在偏压低于1.5 V时,其中1种自旋电子出现负微分电阻现象(NDR). 展开更多
关键词 电子输运 石墨烯纳米带 掺杂 自旋极化 负微分电阻
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基于γ-石墨炔分子磁隧道结对称性依赖的输运性质
8
作者 杨贻顺 周敏 邢燕霞 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第4期84-91,共8页
利用非平衡格林函数和密度泛函理论,研究不同类型γ-石墨炔分子磁隧道结(MMTJ)自旋极化输运特性的影响。磁隧道结以铁磁性的锯齿形石墨烯纳米带作电极。随着纳米带宽度变化,考虑γ-石墨炔的两种接触点,我们构造了8种有代表性的且具有不... 利用非平衡格林函数和密度泛函理论,研究不同类型γ-石墨炔分子磁隧道结(MMTJ)自旋极化输运特性的影响。磁隧道结以铁磁性的锯齿形石墨烯纳米带作电极。随着纳米带宽度变化,考虑γ-石墨炔的两种接触点,我们构造了8种有代表性的且具有不同对称性的隧道结。通过计算我们发现,对称性对磁隧道结的自旋输运起决定性作用。对于偶数碳链的锯齿形石墨烯纳米带,石墨炔的接触点位居于正中,这种结构的自旋极化输运性质远优于其它结构。比如在非常宽的偏压范围内都能达到100%的自旋极化率,且隧穿磁阻(TMR)高达3.7×10^(5),这表明该结构在自旋滤波器和自旋阀器件方面的应用潜力最大。与之形成对比的是,当耦合位置偏离锯齿形石墨烯纳米带的中心时,输运性质迅速变为普通电输运,相应的巨磁阻效应比最优对称结构约小4个数量级。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 密度泛函理论 石墨烯纳米带 γ-石墨炔纳米点 自旋极化效率 隧穿磁阻 自旋极化输运性质
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BN链掺杂的石墨烯纳米带的电学及磁学特性 被引量:6
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作者 王鼎 张振华 +1 位作者 邓小清 范志强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第20期391-398,共8页
基于密度泛函理论第一性原理系统研究了BN链掺杂石墨烯纳米带(GNRs)的电学及磁学特性,对锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)分非磁态(NM)、反铁磁态(AFM)及铁磁性(FM)三种情况分别进行考虑.重点研究了单个BN链掺杂的位置效应.计算发现:BN链掺杂... 基于密度泛函理论第一性原理系统研究了BN链掺杂石墨烯纳米带(GNRs)的电学及磁学特性,对锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)分非磁态(NM)、反铁磁态(AFM)及铁磁性(FM)三种情况分别进行考虑.重点研究了单个BN链掺杂的位置效应.计算发现:BN链掺杂扶手椅型石墨烯纳米带(AGNRs)能使带隙增加,不同位置的掺杂,能使其成为带隙丰富的半导体.BN链掺杂非磁态ZGNR的不同位置,其金属性均降低,并能出现准金属的情况;BN链掺杂反铁磁态ZGNR,能使其从半导体变为金属或半金属(half-metal),这取决于掺杂的位置;BN链掺杂铁磁态ZGNR,其金属性保持不变,与掺杂位置无关.这些结果表明:BN链掺杂能有效调控石墨烯纳米带的电子结构,并形成丰富的电学及磁学特性,这对于发展各种类型的石墨烯基纳米电子器件有重要意义. 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 BN链掺杂 输运性质 自旋极化
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B与N掺杂对单层石墨纳米带自旋极化输运的影响 被引量:3
10
作者 郑小宏 戴振翔 +1 位作者 王贤龙 曾雉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第F06期259-265,共7页
通过第一性原理计算研究了具有锯齿状边沿并且具有反铁磁构型的单层石墨纳米带的自旋极化输运.研究发现,在中心散射区同一位置掺入单个B和N原子,尽管对整个体系磁矩的影响完全相同,但对两个自旋分量电流的影响却完全相反.掺B时,自旋向... 通过第一性原理计算研究了具有锯齿状边沿并且具有反铁磁构型的单层石墨纳米带的自旋极化输运.研究发现,在中心散射区同一位置掺入单个B和N原子,尽管对整个体系磁矩的影响完全相同,但对两个自旋分量电流的影响却完全相反.掺B时,自旋向上的电流显著大于自旋向下的电流;而掺N时,自旋向下的电流显著大于自旋向上的电流.这是由于不管掺B还是掺N都将打破自旋简并,使得导带和价带中自旋向上的能级比自旋向下的能级更高.掺B引入空穴,使完全占据的价带变为部分占据,从而自旋向上的能级正好处于费米能级,使得电子透射能力更强、电流更大,而自旋向下的能级则离费米能级较远使电子透射的能力较弱.掺N则引入电子,使得原来全空的导带变为部分占据,从而费米能级穿过导带中自旋向下的能级,使得自旋向下的电子比自旋向上的电子透射能力更强. 展开更多
关键词 自旋极化输运 单层石墨纳米带 第一性原理 非平衡格林函数
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