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Effect of Chemical Doping on the Electronic Transport Properties of Tailoring Graphene Nanoribbons 被引量:1
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作者 刘洋 夏蔡娟 +3 位作者 张博群 张婷婷 崔焱 胡振洋 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2018年第6期62-65,共4页
The electronic transport properties of a molecular junction based on doping tailoring armchair-type graphene nanoribbons(AGNRs)with different widths are investigated by applying the non-equilibrium Green's function... The electronic transport properties of a molecular junction based on doping tailoring armchair-type graphene nanoribbons(AGNRs)with different widths are investigated by applying the non-equilibrium Green's function formalism combined with first-principles density functional theory.The calculated results show that the width and doping play significant roles in the electronic transport properties of the molecular junction.A higher current can be obtained for the molecular junctions with the tailoring AGNRs with W=11.Furthermore,the current of boron-doped tailoring AGNRs with widths W=7 is nearly four times larger than that of the undoped one,which can be potentially useful for the design of high performance electronic devices. 展开更多
关键词 Effect of Chemical Doping on the Electronic transport properties of Tailoring graphene nanoribbons
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Electronic Transport Properties of Diblock Co-Oligomer Molecule Devices Sandwiched between Nitrogen Doping Armchair Graphene Nanoribbon Electrodes
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作者 叶萌 夏蔡娟 +4 位作者 杨爱云 张博群 苏耀恒 涂喆研 马越 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第11期71-74,共4页
We investigate the electronic transport properties of dipyrimidinyl-diphenyl sandwiched between two armchair graphene nanoribbon electrodes using the nonequilibrium Green function formalism combined with a first-princ... We investigate the electronic transport properties of dipyrimidinyl-diphenyl sandwiched between two armchair graphene nanoribbon electrodes using the nonequilibrium Green function formalism combined with a first-principles method based on density functional theory. Among the three models M1–M3, M1 is not doped with a heteroatom. In the left parts of M2 and M3, nitrogen atoms are doped at two edges of the nanoribbon. In the right parts, nitrogen atoms are doped at one center and at the edges of M2 and M3, respectively. Comparisons of M1, M2 and M3 show obvious rectifying characteristics, and the maximum rectification ratios are up to 42.9 in M2. The results show that the rectifying behavior is strongly dependent on the doping position of electrodes. A higher rectification ratio can be found in the dipyrimidinyl-diphenyl molecular device with asymmetric doping of left and right electrodes, which suggests that this system has a broader application in future logic and memory devices. 展开更多
关键词 Electronic transport properties of Diblock Co-Oligomer Molecule Devices Sandwiched between Nitrogen Doping Armchair graphene nanoribbon Electrodes NDR
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Transport properties of zigzag graphene nanoribbons adsorbed with single iron atom 被引量:1
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作者 杨玉娥 肖杨 +1 位作者 颜晓红 戴昌杰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第11期428-433,共6页
We have performed density-functional calculations of the transport properties of the zigzag graphene nanoribbon (ZGNR) adsorbed with a single iron atom. Two adsorption configurations are considered, i.e., iron adsor... We have performed density-functional calculations of the transport properties of the zigzag graphene nanoribbon (ZGNR) adsorbed with a single iron atom. Two adsorption configurations are considered, i.e., iron adsorbed on the edge and on the interior of the nanoribbon. The results show that the transport features of the two configurations are similar. However, the transport properties are modified due to the scattering effects induced by coupling of the ZGNR band states to the localized 3d-orbital state of the iron atom. More importantly, one can find that several dips appear in the transmission curve, which is closely related to the above mentioned coupling. We expect that our results will have potential applications in graphene-based spintronic devices, 展开更多
关键词 graphene nanoribbon transport properties iron adatom
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Electronic structures and transport properties of BN nanodot superlattices of armchair graphene nanoribbons
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作者 安丽萍 刘念华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期6-11,共6页
The electronic and transport properties of embedded boron nitride(BN) nanodot superlattices of armchair graphene nanoribbons are studied by first-principles calculations.The band structure of the graphene superlatti... The electronic and transport properties of embedded boron nitride(BN) nanodot superlattices of armchair graphene nanoribbons are studied by first-principles calculations.The band structure of the graphene superlattice strongly depends on the geometric shape and size of the BN nanodot,as well as the concentration of nanodots.The conduction bands and valence bands near the Fermi level are nearly symmetric,which is induced by electron-hole symmetry.When B and N atoms in the graphene superlattices with a triangular BN nanodot are exchanged,the valance bands and conduction bands are inverted with respect to the Fermi level due to electron-hole symmetry.In addition,the hybridization ofπorbitals from C and redundant B atoms or N atoms leads to a localized band appearing near the Fermi level.Our results also show a series of resonant peaks appearing in the conductance.This strongly depends on the distance of the two BN nanodots and on the shape of the BN nanodot. Controlling these parameters might allow the modulation of the electronic response of the systems. 展开更多
关键词 graphene nanoribbon BN nanodot electronic properties transport properties
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Negative differential resistance behaviour in N-doped crossed graphene nanoribbons 被引量:1
5
作者 陈灵娜 马松山 +3 位作者 欧阳方平 伍小赞 肖金 徐慧 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第9期531-535,共5页
By using first-principles calculations and nonequilibrium Green's function technique, we study elastic transport properties of crossed graphene nanoribbons. The results show that the electronic transport properties o... By using first-principles calculations and nonequilibrium Green's function technique, we study elastic transport properties of crossed graphene nanoribbons. The results show that the electronic transport properties of molecular junctions can be modulated by doped atoms. Negative differential resistance (NDR) behaviour can be observed in a certain bias region, when crossed graphene nanoribbons are doped with nitrogen atoms at the shoulder, but it cannot be observed for pristine crossed graphene nanoribbons at low biases. A mechanism for the negative differential resistance behaviour is suggested. 展开更多
关键词 transport properties negative differential resistance FIRST-PRINCIPLES crossed graphene nanoribbons
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Armchair型石墨纳米带的电子结构和输运性质 被引量:18
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作者 欧阳方平 徐慧 +1 位作者 李明君 肖金 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第2期328-332,共5页
利用第一性原理的电子结构和输运性质计算方法,研究了扶手椅(armchair)型单层石墨纳米带(具有锯齿边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应.研究发现,完整边缘的扶手椅型石墨纳米带是典型的金属性纳米带,边缘空位缺陷的存在对扶... 利用第一性原理的电子结构和输运性质计算方法,研究了扶手椅(armchair)型单层石墨纳米带(具有锯齿边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应.研究发现,完整边缘的扶手椅型石墨纳米带是典型的金属性纳米带,边缘空位缺陷的存在对扶手椅型纳米带能带结构有一定的影响,但并不彻底改变其金属性特征. 展开更多
关键词 石墨纳米带 空位缺陷 电子结构 输运性质
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吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带输运性质的影响 被引量:6
7
作者 刘春梅 肖贤波 刘念华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期104-108,共5页
本文基于第一性原理研究了单个氢原子吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带电子输运性质的影响。研究发现,吸附缺陷使armchair型石墨烯纳米条带在费米面附近的导电性有所降低,但透射能隙依然存在。缺陷对透射抑制的强弱与其吸附位置有关... 本文基于第一性原理研究了单个氢原子吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带电子输运性质的影响。研究发现,吸附缺陷使armchair型石墨烯纳米条带在费米面附近的导电性有所降低,但透射能隙依然存在。缺陷对透射抑制的强弱与其吸附位置有关。在完整石墨烯纳米条带的布洛赫波函数分布几率较大处引入缺陷对电子输运的阻碍作用较大。对于布洛赫波函数分布相同的情况,吸附位置越靠近石墨烯纳米条带中心,则对电子输运的阻碍作用越大。 展开更多
关键词 armchair型石墨烯纳米条带 吸附缺陷 电子输运性质
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基于第一性原理对硅取代、掺杂锯齿形石墨烯纳米带的电子结构及输运性质的研究 被引量:4
8
作者 陈莹莹 宓一鸣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期808-815,共8页
本文基于第一性原理对硅取代、掺杂石墨烯纳米带不同位置的电子能带结构、态密度及电子器件的电子输运性质进行了分析与研究。结果表明,锯齿形石墨烯纳米带(ZGNRs)在硅原子取代及掺杂后由原来的半导体态转变为金属态。在各种模型中,对... 本文基于第一性原理对硅取代、掺杂石墨烯纳米带不同位置的电子能带结构、态密度及电子器件的电子输运性质进行了分析与研究。结果表明,锯齿形石墨烯纳米带(ZGNRs)在硅原子取代及掺杂后由原来的半导体态转变为金属态。在各种模型中,对于体系态密度有贡献的一般为原子指数为1、在p轨道的硅原子(Si1p);原子指数为2、在p轨道的硅原子(Si2p)和碳原子(C2p);少量的原子指数为1、在s轨道的氢原子(H1s)和碳原子(C1s)。经分析,在各取代位置中两端硅原子取代的锯齿形石墨烯纳米带的体系能量最小,表明其为最有可能发生的取代位置。在掺杂位置中,体系能量计算结果显示填隙硅原子的能量更低,最有可能发生此种掺杂。电子输运性质的研究中,在所有的取代位置中单边硅原子取代组成的电子器件电子输运性质最好。在所有电子器件模型中电子输运性质最好的是填隙硅原子掺杂模型。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 第一性原理 能带结构 态密度 输运性质
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十字形石墨烯纳米结的电子输运特性
9
作者 娄利飞 王东洋 +1 位作者 潘青彪 张军琴 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期87-91,120,共6页
石墨烯纳米带具有特殊的电学特性,可通过控制其几何构型或掺杂来调节其电子输运性能.文中利用两种不同手性石墨烯纳米带表现出来的金属性与半导体性构建了十字形异质结结构,结合密度泛函理论与非平衡格林函数的模型理论计算方法,研究了... 石墨烯纳米带具有特殊的电学特性,可通过控制其几何构型或掺杂来调节其电子输运性能.文中利用两种不同手性石墨烯纳米带表现出来的金属性与半导体性构建了十字形异质结结构,结合密度泛函理论与非平衡格林函数的模型理论计算方法,研究了结的高度和宽度、杂质掺杂及掺杂位置对十字形石墨烯异质结结构电子输运特性的影响.研究结果表明,随着臂宽和臂高的增加,石墨烯十字形异质纳米结表现出一定的金属性,但透射系数谱线中出现了明显的振荡现象,并且由于氮原子的掺入加剧了电子的散射,使得电子输运性能降低,其中掺杂在两臂的电子输运性能相较于主干掺杂的情况降低更多. 展开更多
关键词 信息安全 视频信息 电磁泄漏
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含氮-空位缺陷锯齿状石墨烯纳米条带中负微分电阻和自旋过滤效应
10
作者 徐婷 黄静 李群祥 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2014年第6期653-658,I0003,共7页
采用第一性原理和非平衡格林函数方法,系统研究了含氮空位缺陷锯齿状石墨烯纳米条带的自旋极化输运特性.理论计算结果表明边界非对称的这类石墨纳米条带的基态具有铁磁性,由其构建的分子结中负微分电阻效应具有鲁棒性,是电极局域的... 采用第一性原理和非平衡格林函数方法,系统研究了含氮空位缺陷锯齿状石墨烯纳米条带的自旋极化输运特性.理论计算结果表明边界非对称的这类石墨纳米条带的基态具有铁磁性,由其构建的分子结中负微分电阻效应具有鲁棒性,是电极局域的态密度及依赖偏压的散射区-电极耦合作用结果.此外,在特定偏压区域还观察到几乎完美的自旋过滤效应. 展开更多
关键词 缺陷型石墨烯纳米条带 电子结构 自旋极化输运特性 负微分电阻效应 自旋过滤
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局域体缺陷对石墨烯纳米带电子输运性质的影响
11
作者 刘玉良 张小伟 徐光亮 《西南科技大学学报》 CAS 2015年第2期12-16,共5页
利用递归格林函数方法研究存在体空位时之字型边界石墨烯纳米带的电子输运性质。研究结果表明,纳米带的电导对体空位非常敏感。当体系存在一个单原子空位时,电导受到明显的压制,完美的量子化台阶消失。同时在费米能处存在一个电导沟;当... 利用递归格林函数方法研究存在体空位时之字型边界石墨烯纳米带的电子输运性质。研究结果表明,纳米带的电导对体空位非常敏感。当体系存在一个单原子空位时,电导受到明显的压制,完美的量子化台阶消失。同时在费米能处存在一个电导沟;当体系存在一个双原子空位时,电导压制亦非常明显,但电导沟存在于第一能带带边处。局域态密度分析结果显示,电导沟的形成是因为电子态局限在体空位周围,不能形成有效的电子通道,从而导致体系电导下降。另外,当存在两个随机分布的单原子空位时,体系的电导存在共振透射峰,透射峰的数目随着两个体空位之间的距离改变而改变。计算结果发现,体空位之间的距离每增加3个超原胞,电导将会增加一个透射峰。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 电子输运 格林函数 紧束缚方法
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二茂铼分子吸附Zigzag型石墨烯纳米带自旋输运性质的理论研究 被引量:1
12
作者 刘小月 李林峰 葛桂贤 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第1期10-16,共7页
基于非平衡格林函数结合第一性原理的计算,研究了二茂铼分子(Re(cp)_2)的吸附对Zigzag型石墨烯纳米带(ZGNRs)自旋输运性质的影响。研究发现,对于完美的ZGNRs,当原子宽度m=12时,体系电流异常的小,其余原子宽度的体系都具有良好的导电性;... 基于非平衡格林函数结合第一性原理的计算,研究了二茂铼分子(Re(cp)_2)的吸附对Zigzag型石墨烯纳米带(ZGNRs)自旋输运性质的影响。研究发现,对于完美的ZGNRs,当原子宽度m=12时,体系电流异常的小,其余原子宽度的体系都具有良好的导电性;而对于吸附的体系,随着吸附Re(cp)_2数目以及石墨烯宽度的改变,体系的电流出现了负微分电阻效应和开关效应。此外,又进一步通过分析透射谱、局域态密度以及透射通道来深层次的研究其物理本质。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 Re(cp)2分子 第一性原理 输运性质
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锯齿-扶手椅-锯齿型石墨烯纳米带电子输运特性研究
13
作者 齐越 王俊强 +1 位作者 朱泽华 李孟委 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期362-368,共7页
基于密度泛函理论和非平衡格林函数,研究了中心散射区长度对于锯齿-扶手椅-锯齿型石墨烯纳米带(Z-A-ZGNRs)的电子输运特性的影响。结果表明:中心散射区长度对导电性能有很大的影响。散射区长度较小时,在一定区间内具有明显的负微分电阻... 基于密度泛函理论和非平衡格林函数,研究了中心散射区长度对于锯齿-扶手椅-锯齿型石墨烯纳米带(Z-A-ZGNRs)的电子输运特性的影响。结果表明:中心散射区长度对导电性能有很大的影响。散射区长度较小时,在一定区间内具有明显的负微分电阻现象,长度增加时,这种效应减弱。Z-A-ZGNRs在-2~2 V偏压下存在整流现象,散射区长度较小时,在负偏压下导电性能优于正偏压,存在反向整流现象,最大整流比为1.98;长度较大时在正偏压下导电性能优于负偏压,存在正向整流现象,最大整流比为2.54。在-1~1 eV内,散射区长度较长的能量窗内几乎无透射曲线,表明在该能量区间几乎没有电流,器件处于截止状态。该理论计算结果对石墨烯纳米器件的设计具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 输运性质 密度泛函理论 非平衡格林函数 中心散射区
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基于γ-石墨炔分子磁隧道结对称性依赖的输运性质
14
作者 杨贻顺 周敏 邢燕霞 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第4期84-91,共8页
利用非平衡格林函数和密度泛函理论,研究不同类型γ-石墨炔分子磁隧道结(MMTJ)自旋极化输运特性的影响。磁隧道结以铁磁性的锯齿形石墨烯纳米带作电极。随着纳米带宽度变化,考虑γ-石墨炔的两种接触点,我们构造了8种有代表性的且具有不... 利用非平衡格林函数和密度泛函理论,研究不同类型γ-石墨炔分子磁隧道结(MMTJ)自旋极化输运特性的影响。磁隧道结以铁磁性的锯齿形石墨烯纳米带作电极。随着纳米带宽度变化,考虑γ-石墨炔的两种接触点,我们构造了8种有代表性的且具有不同对称性的隧道结。通过计算我们发现,对称性对磁隧道结的自旋输运起决定性作用。对于偶数碳链的锯齿形石墨烯纳米带,石墨炔的接触点位居于正中,这种结构的自旋极化输运性质远优于其它结构。比如在非常宽的偏压范围内都能达到100%的自旋极化率,且隧穿磁阻(TMR)高达3.7×10^(5),这表明该结构在自旋滤波器和自旋阀器件方面的应用潜力最大。与之形成对比的是,当耦合位置偏离锯齿形石墨烯纳米带的中心时,输运性质迅速变为普通电输运,相应的巨磁阻效应比最优对称结构约小4个数量级。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 密度泛函理论 石墨烯纳米带 γ-石墨炔纳米点 自旋极化效率 隧穿磁阻 自旋极化输运性质
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逆Stone-Thrower-Wales缺陷和9AGNR双栅石墨烯纳米带FET的传输特性(英文)
15
作者 Mohammad Bagher NASROLLAHNEJAD Parviz KESHAVARZI 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第11期2943-2952,共10页
基于缺陷的碳纳米结构工程正在成为改变石墨烯纳米带FET中电子传输性质的重要且有效的方法.本文研究了ISTW缺陷的位置和对称性对低维9NR双栅石墨烯纳米带FET(DG-GNRFET)性能的影响.分析透射光谱和态密度和电流?电压特性表明,对电子传输... 基于缺陷的碳纳米结构工程正在成为改变石墨烯纳米带FET中电子传输性质的重要且有效的方法.本文研究了ISTW缺陷的位置和对称性对低维9NR双栅石墨烯纳米带FET(DG-GNRFET)性能的影响.分析透射光谱和态密度和电流?电压特性表明,对电子传输的缺陷影响根据ISTW缺陷在沟道长度中的位置和取向(对称和非对称配置)而显着变化.基于该结果,非对称ISTW缺陷导致栅极电压对漏极电流的可控性更强,并且漏极电流增加超过5倍.结果还证实了ISTW在控制DG-AGNR FET的沟道电流方面的缺陷工程潜力. 展开更多
关键词 逆Stone-Thrower-Wales缺陷 电子传输特性 石墨烯纳米带 紧束缚 NEG形成机理
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单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响 被引量:11
16
作者 欧阳方平 王焕友 +2 位作者 李明君 肖金 徐慧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7132-7138,共7页
基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨... 基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电性能减弱,使得偶数宽度的armchair石墨纳米带导电性能明显增强. 展开更多
关键词 石墨纳米带 单空位缺陷 电子结构 输运性质
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Zigzag型石墨纳米带电子结构和输运性质的第一性原理研究 被引量:24
17
作者 欧阳方平 徐慧 魏辰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1073-1077,共5页
采用第一性原理电子结构和输运性质计算研究了zigzag型单层石墨纳米带(具有armchair边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应.研究发现,完整边缘的zigzag型石墨纳米带是具有一定能隙的半导体带,边缘空位缺陷的存在使得纳米带能... 采用第一性原理电子结构和输运性质计算研究了zigzag型单层石墨纳米带(具有armchair边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应.研究发现,完整边缘的zigzag型石墨纳米带是具有一定能隙的半导体带,边缘空位缺陷的存在使得纳米带能隙变小,且缺陷浓度越大,能隙越小,并发生了半导体-金属转变.利用这些研究结果,将有助于在能带工程中实现其电子结构裁剪. 展开更多
关键词 石墨纳米带 空位缺陷 电子结构 输运性质
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N掺杂对zigzag型石墨烯纳米带的能带结构和输运性质的影响 被引量:14
18
作者 林琦 陈余行 +1 位作者 吴建宝 孔宗敏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期554-559,共6页
用第一性原理研究了N掺杂zigzag型石墨烯纳米带(z-GNRs)的能带结构、透射谱和电流电压特性,研究结果表明N掺杂将使得z-GNRs的能带结构中出现能隙,材料从金属转变为半导体;随着杂质浓度的增大,相同偏压下电流明显减小,同时体系费米面附... 用第一性原理研究了N掺杂zigzag型石墨烯纳米带(z-GNRs)的能带结构、透射谱和电流电压特性,研究结果表明N掺杂将使得z-GNRs的能带结构中出现能隙,材料从金属转变为半导体;随着杂质浓度的增大,相同偏压下电流明显减小,同时体系费米面附近的透射率逐渐减小;z-GNRs的长度、宽度以及N原子的替代掺杂位置均会对输运性质产生影响,在宽度较小的情况下,掺杂浓度和掺杂位置两种因素共同影响体系的输运性质. 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 N掺杂 能带结构 输运性质
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扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究 被引量:8
19
作者 欧阳方平 王晓军 +3 位作者 张华 肖金 陈灵娜 徐慧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期5640-5644,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了扶手椅型石墨纳米带(具有锯齿边缘)的双空位缺陷效应.研究发现:双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性,但改变了费米面附近的能带结构.同时,双空位缺陷的取向... 采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了扶手椅型石墨纳米带(具有锯齿边缘)的双空位缺陷效应.研究发现:双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性,但改变了费米面附近的能带结构.同时,双空位缺陷的取向对石墨纳米带的输运性质有很重要的影响.对于奇数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷使得石墨带导电性能减弱,而垂直双空位能基本保留原有的线性伏安特性,导电性能降低较少;对于偶数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷会使石墨带导电性能明显增强,而垂直双空位缺陷则具有完整石墨带的输运性质. 展开更多
关键词 石墨纳米带 585双空位缺陷 电子结构 输运性质
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双空位缺陷石墨纳米带的电子结构和输运性质研究 被引量:13
20
作者 欧阳方平 徐慧 林峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期4132-4136,共5页
基于第一原理电子结构和输运性质计算,研究了585双空位拓扑缺陷对锯齿(zigzag)型石墨纳米带(具有椅型(armchair)边)电子结构和输运性质的影响.研究发现,585双空位缺陷的存在使得锯齿型石墨纳米带的能隙增大,并在能隙中出现了一条局域于... 基于第一原理电子结构和输运性质计算,研究了585双空位拓扑缺陷对锯齿(zigzag)型石墨纳米带(具有椅型(armchair)边)电子结构和输运性质的影响.研究发现,585双空位缺陷的存在使得锯齿型石墨纳米带的能隙增大,并在能隙中出现了一条局域于缺陷处的缺陷态能带,双空位缺陷的取向也影响其能带结构.另外,585双空位缺陷对能隙较小的锯齿型石墨纳米带输运性质的影响较大,而对能隙较大的锯齿型石墨纳米带影响很小,缺陷取向并不显著影响纳米带的输运性质. 展开更多
关键词 石墨纳米带 585空位缺陷 电子结构 输运性质
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