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First principle study of edge topological defect-modulated electronic and magnetic properties in zigzag graphene nanoribbons
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作者 黄露婷 陈铮 +1 位作者 王永欣 卢艳丽 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第10期169-174,共6页
Zigzag graphene nanoribbon (ZGNR) is a promising candidate for next-generation spintronic devices. Development of the field requires potential systems with variable and adjustable electromagnetic properties. Here we... Zigzag graphene nanoribbon (ZGNR) is a promising candidate for next-generation spintronic devices. Development of the field requires potential systems with variable and adjustable electromagnetic properties. Here we show a detailed investigation of ZGNR decorated with edge topological defects (ED-ZGNR) synthesized in laboratory by Ruffieux in 2015 [Pascal Ruffieux, Shiyong Wang, Bo Yang, et al. 2015 Nature 531 489]. The pristine ED-ZGNR in the ground state is an antiferromagnetic semiconductor, and the acquired band structure is significantly changed compared with that of perfect ZGNR. After doping heteroatoms on the edge, the breaking of degeneration of band structure makes the doped ribbon a half-semi-metal, and nonzero magnetic moments are induced. Our results indicate the tunable electronic and magnetic properties of ZGNR by deriving unique edge state from topological defect, which opens a new route to practical nano devices based on ZGNR. 展开更多
关键词 graphene nanoribbons topological defect spin edge
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含单排线缺陷锯齿型石墨烯纳米带的电磁性质 被引量:6
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作者 张华林 孙琳 王鼎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期339-347,共9页
基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了含单排线缺陷锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的电磁性质,主要计算了该缺陷处于不同位置时的能带结构、透射谱、自旋极化电荷密度、总能以及布洛赫态.研究表明,含单排线缺陷的ZGNR和无缺陷的ZGNR在非... 基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了含单排线缺陷锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的电磁性质,主要计算了该缺陷处于不同位置时的能带结构、透射谱、自旋极化电荷密度、总能以及布洛赫态.研究表明,含单排线缺陷的ZGNR和无缺陷的ZGNR在非磁性态和铁磁态下都为金属.虽然都为金属,但其呈金属性的成因有差异.在反铁磁态下,单排线缺陷越靠近ZGNR的边缘,对ZGNR电磁性质的影响越明显,缺陷由ZGNR对称轴线向边缘移动过程中,含单排线缺陷的ZGNR有一个半导体-半金属-金属的相变过程.虽然线缺陷靠近中线的ZGNR为半导体,但由于缺陷引入新的能带,导致含单排线缺陷的ZGNR的带隙小于无缺陷ZGNR的带隙.单排线缺陷紧邻边界时,含缺陷ZGNR最稳定;单排线缺陷位于次近邻边界位置时,含缺陷ZGNR最不稳定.在反铁磁态下,对单排线缺陷位于对称轴线的ZGNR施加适当的横向电场,可以实现半导体到半金属的转变.这些研究结果对于发展基于石墨烯的纳米电子器件有重要的意义. 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 线缺陷 自旋极化
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具有边缘缺陷石墨烯纳米结的自旋输运特性(英文) 被引量:1
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作者 安丽萍 刘念华 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期181-187,共7页
利用第一性原理研究了两种具有边缘缺陷石墨烯纳米结的自旋输运,即边界氢原子饱和和未被饱和两种情况。结果表明:边缘缺陷改变了电子的输运行为。对于完整的石墨烯纳米带,两种自旋的电子在费米能级附近是完全简并的;对于含有边缘缺陷的... 利用第一性原理研究了两种具有边缘缺陷石墨烯纳米结的自旋输运,即边界氢原子饱和和未被饱和两种情况。结果表明:边缘缺陷改变了电子的输运行为。对于完整的石墨烯纳米带,两种自旋的电子在费米能级附近是完全简并的;对于含有边缘缺陷的石墨烯纳米结,两种自旋的电子在费米能级附近的很大能量范围内表现出自旋分离。电子局域态密度可进一步说明这种输运行为。这些纳米结可产生与自旋相关的极化电流。特别对于未饱和的缺陷结,在任何偏压下都有较高的自旋滤波效率。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 边缘缺陷结 自旋输运
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锯齿型石墨烯纳米带边界态 被引量:1
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作者 胡边 刘娜 刘红 《南京师大学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期42-49,共8页
基于Kane-Mele紧束缚模型,在包含自旋轨道耦合作用和塞曼作用项后,我们又引入更为合理的自洽在位库仑相互作用,分析研究各相互作用项对边界带的能带结构和电子分布特征的影响.研究结果表明,自旋轨道耦合作用导致自旋简并劈裂出现非常小... 基于Kane-Mele紧束缚模型,在包含自旋轨道耦合作用和塞曼作用项后,我们又引入更为合理的自洽在位库仑相互作用,分析研究各相互作用项对边界带的能带结构和电子分布特征的影响.研究结果表明,自旋轨道耦合作用导致自旋简并劈裂出现非常小的能隙,自洽在位库仑相互作用可使能隙增加,边界带范围增加,而塞曼效应却能保护边界带原有的拓扑属性,使边界带穿过能隙,同时也保护边界态在局域边界的自旋极化特征;4个边界能带由左右两组边界子能带系构成,各边界子能带系在费米能处形成左右能隙和费米波矢,其自旋量子霍尔系统构型属于B型. 展开更多
关键词 锯齿型石墨烯纳米带 能带结构 自旋轨道耦合 边界态
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线缺陷对锯齿型石墨烯带能谱和边态的调控 被引量:2
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作者 刘爽 龙文 《首都师范大学学报(自然科学版)》 2018年第1期21-29,共9页
研究了边界线缺陷对锯齿型石墨烯带能谱和边态的调控.利用紧束缚模型和格林函数方法,我们计算了石墨烯带的色散关系、局域态密度、电导和格点波函数.数值计算结果表明边界线缺陷占位能不仅能连续调控费米面附近平带部分的色散关系,而且... 研究了边界线缺陷对锯齿型石墨烯带能谱和边态的调控.利用紧束缚模型和格林函数方法,我们计算了石墨烯带的色散关系、局域态密度、电导和格点波函数.数值计算结果表明边界线缺陷占位能不仅能连续调控费米面附近平带部分的色散关系,而且能将原来的双侧边态调控为单侧边态量子通道.线缺陷的交叠积分可连续调控导带底弯带部分的色散关系,使电子更集中地占据单侧边态.导带底在第一布里渊区边界的边态对线缺陷有鲁棒性. 展开更多
关键词 锯齿型石墨烯纳米带 线缺陷 紧束缚模型 能谱 边态
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含氮-空位缺陷锯齿状石墨烯纳米条带中负微分电阻和自旋过滤效应
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作者 徐婷 黄静 李群祥 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2014年第6期653-658,I0003,共7页
采用第一性原理和非平衡格林函数方法,系统研究了含氮空位缺陷锯齿状石墨烯纳米条带的自旋极化输运特性.理论计算结果表明边界非对称的这类石墨纳米条带的基态具有铁磁性,由其构建的分子结中负微分电阻效应具有鲁棒性,是电极局域的... 采用第一性原理和非平衡格林函数方法,系统研究了含氮空位缺陷锯齿状石墨烯纳米条带的自旋极化输运特性.理论计算结果表明边界非对称的这类石墨纳米条带的基态具有铁磁性,由其构建的分子结中负微分电阻效应具有鲁棒性,是电极局域的态密度及依赖偏压的散射区-电极耦合作用结果.此外,在特定偏压区域还观察到几乎完美的自旋过滤效应. 展开更多
关键词 缺陷型石墨烯纳米条带 电子结构 自旋极化输运特性 负微分电阻效应 自旋过滤
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锯齿型石墨烯纳米窄带中量子霍尔体系的电场调控
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作者 刘娜 胡边 +1 位作者 魏鸿鹏 刘红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期199-205,共7页
应用含自洽格点在位库仑作用的Kane-Mele模型,研究锯齿型石墨烯纳米窄带平面内横向电场对边界带能带结构和量子自旋霍尔(QSH)体系的影响.研究结果显示,当电场强度较弱时,外加电场的方向可以调控自旋向下的两个边界带一起朝不同方向移动... 应用含自洽格点在位库仑作用的Kane-Mele模型,研究锯齿型石墨烯纳米窄带平面内横向电场对边界带能带结构和量子自旋霍尔(QSH)体系的影响.研究结果显示,当电场强度较弱时,外加电场的方向可以调控自旋向下的两个边界带一起朝不同方向移动,导致波矢q=0.5处自旋向下的两个纯边界态的能量简并劈裂方向可由电场调控;当电场强度进一步增强到超过0.69 V/nm,自旋向下的两个边界带出现较大带隙,能带反转,而自旋向上的电子结构无能隙,系统呈现半金属性,同时QSH体系不再是B类.特别当电场强度为1.17 V/nm时,在自旋向下能带的能隙中,q=0.5处存在自旋向上的纯边界态,意味着在8格点边界处可以产生自旋向上的纯边界电流.当电场强度持续增加时,QSH系统从B类到C类经历3个阶段的变化.当电场强度超过1.42 V/nm后,自旋向上的两个边界带也出现能带反转,分别成为导带和价带,系统成为C类的普通量子霍尔体系. 展开更多
关键词 窄锯齿型纳米带 能带结构 边界带 量子自旋霍尔效应
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