采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为。实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液p H值为3.0,扫描速率...采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为。实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液p H值为3.0,扫描速率为120 m V/s测定铜离子时为最优实验条件,氧化峰电流与铜离子浓度在4.0×10-8mol/L^1.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.559×10-8mol/L。氧化石墨烯修饰碳糊电极对铜离子的测定表现出良好的重现性与稳定性。展开更多
用滴涂法和两步电化学聚合法制备了一种石墨烯夹心式聚中性红修饰电极(PNR/GN/GCE),并用循环伏安法、微分脉冲伏安法和交流阻抗法表征了该复合物膜的电化学行为。石墨烯夹心式聚中性红复合物薄膜提高了电极表面的电子转移速率,薄膜结...用滴涂法和两步电化学聚合法制备了一种石墨烯夹心式聚中性红修饰电极(PNR/GN/GCE),并用循环伏安法、微分脉冲伏安法和交流阻抗法表征了该复合物膜的电化学行为。石墨烯夹心式聚中性红复合物薄膜提高了电极表面的电子转移速率,薄膜结合牢固,电催化氧化作用明显。在p H 5的磷酸缓冲溶液中,选择扫速0.1 V/s,多巴胺的氧化峰电位相比裸玻碳电极负移了103 m V,峰电流增加7倍,检出限达到4.9×10^-9mol/L(S/N=3),氧化峰电流与多巴胺浓度在1.6×10^-8~2.0×10^-6mol/L范围内现良好的线性关系,相关系数R=0.994。展开更多
文摘采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为。实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液p H值为3.0,扫描速率为120 m V/s测定铜离子时为最优实验条件,氧化峰电流与铜离子浓度在4.0×10-8mol/L^1.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.559×10-8mol/L。氧化石墨烯修饰碳糊电极对铜离子的测定表现出良好的重现性与稳定性。
文摘用滴涂法和两步电化学聚合法制备了一种石墨烯夹心式聚中性红修饰电极(PNR/GN/GCE),并用循环伏安法、微分脉冲伏安法和交流阻抗法表征了该复合物膜的电化学行为。石墨烯夹心式聚中性红复合物薄膜提高了电极表面的电子转移速率,薄膜结合牢固,电催化氧化作用明显。在p H 5的磷酸缓冲溶液中,选择扫速0.1 V/s,多巴胺的氧化峰电位相比裸玻碳电极负移了103 m V,峰电流增加7倍,检出限达到4.9×10^-9mol/L(S/N=3),氧化峰电流与多巴胺浓度在1.6×10^-8~2.0×10^-6mol/L范围内现良好的线性关系,相关系数R=0.994。