期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究
被引量:
3
1
作者
任红霞
郝跃
许冬岗
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第7期1241-1248,共8页
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与相应常规平面器件进行了比较 ,同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释 ...
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与相应常规平面器件进行了比较 ,同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释 .结果表明槽栅器件对热载流子效应有明显的抑制作用 ,但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感 .
展开更多
关键词
槽栅
mosfet
热载流子效应
N型
原文传递
题名
N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究
被引量:
3
1
作者
任红霞
郝跃
许冬岗
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第7期1241-1248,共8页
基金
高等学校博士学科点专项基金! (批准号 :80 70 110 )
文摘
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与相应常规平面器件进行了比较 ,同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释 .结果表明槽栅器件对热载流子效应有明显的抑制作用 ,但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感 .
关键词
槽栅
mosfet
热载流子效应
N型
Keywords
grooved
\
\|gate
mosfet
,
hot
\
\|carrier
\
\|effect
,
interface state
,
performance degradation
分类号
O471 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究
任红霞
郝跃
许冬岗
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部