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7nm工艺下片上电感耦合情况研究
1
作者
吴双
高博
龚敏
《电子与封装》
2018年第8期17-22,共6页
基于TSMC N7工艺,使用了Cadence公司的Virtuoso和Lorentz Solution公司的Peak View作为仿真与验证平台,在不同的电磁屏蔽条件下,对制作在最上两层金属上的两个相互之间距离变化的片上电感的耦合情况进行了研究。通过二者电感值的改变,...
基于TSMC N7工艺,使用了Cadence公司的Virtuoso和Lorentz Solution公司的Peak View作为仿真与验证平台,在不同的电磁屏蔽条件下,对制作在最上两层金属上的两个相互之间距离变化的片上电感的耦合情况进行了研究。通过二者电感值的改变,分析了其耦合关系,以丰富射频器件模型。
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关键词
片上电感
guardring
GROUND
SHIELDING
耦合
品质因数
下载PDF
职称材料
题名
7nm工艺下片上电感耦合情况研究
1
作者
吴双
高博
龚敏
机构
四川大学物理科学与技术学院微电子系
出处
《电子与封装》
2018年第8期17-22,共6页
文摘
基于TSMC N7工艺,使用了Cadence公司的Virtuoso和Lorentz Solution公司的Peak View作为仿真与验证平台,在不同的电磁屏蔽条件下,对制作在最上两层金属上的两个相互之间距离变化的片上电感的耦合情况进行了研究。通过二者电感值的改变,分析了其耦合关系,以丰富射频器件模型。
关键词
片上电感
guardring
GROUND
SHIELDING
耦合
品质因数
Keywords
on-chip inductor
guardring
ground shielding
couping
qualityfactor
分类号
TM55 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
7nm工艺下片上电感耦合情况研究
吴双
高博
龚敏
《电子与封装》
2018
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