HVIC中的高压器件——RESURF结构LDMOSFET

RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分析,为探求该器件的设计依据及其与双极器件相兼容的工艺方案,设计了一个包含有NPN,PNP晶体管及不同漂移区长度的RESURF试验模型,并进行了工艺流片,获得了耐压为350V与低压双极器件相兼容的高压RESURF结构的LDMOSFET。

基于高压BCD工艺的内集成自举电路

设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题。基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证。测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4 V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能。

道康宁推出用于电力行业的涂料

XIAMETER ECE-3650 SYLGARD HVIC是一种涂料，专门用于高压绝缘子、互感器和表面污染可导致绝缘问题的其它高压设备。该产品可提供经验证的电弧放电保护和闪络保护，还可抵抗环境应力、污染和极端温度。

IPM智能功率模块故障测试及失效定位

随着了工业制造水平的发展,IPM的生产技术得到了极大的发展,器件的可靠性问题将是未来研究面临的新挑战。针对国内外近年来在智能功率模块失效分析方面的主要研究内容,综述了智能功率模块应用失效的测试方法以及失效定位技术,总结了连续性失效、绝缘性失效、HVIC故障、IGBT故障和NTC故障的测试方法,并分析了这些器件故障可能的失效原因。

HVIC设计中CMOS静态闭锁效应研究

用SPICE程序研究了制作在高压集成电路(HVIC)薄外延层上的CMOS器件的静态闭锁效应。与传统的CMOS结构相比,图形的布局和高压器件的衬底电流对CMOS闭锁均有重要的影响。邻近高压器件的nMOS,由于有一额外的pnpn通道,因而存在一特殊的闭锁条件。根据图形的布局,为了消除闭锁条件,研究结果认为,用pMOS管邻接于高压器件是最合适的。结果还表明,CMOS器件的闭锁可通过将器件制作在p^-衬底的n^-外延层上而得以改进。

采用LDMOS的HVIC的研究

LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点。

IR推出新型坚固而可靠的500V和600V集成电路

国际整流器公司推出一系列新一代500v及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护，以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间，并可驱动高达2．5A的电流。

IR推出易用的μHVIC系列构建模块,有效简化设计

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出μHVIC系列通用高压及低压IC。新产品通过为常用电路组件提供易于使用的构建模块,简化功率系统开发流程。 全新的μHVIC系列组件系列包括IRSxx752L 100 V、200 V和600 V单通道高侧驱动器;IRS25751L高压启动IC;IRS44273L单通道低侧驱动器IC;IRS2505L功率因子校正（PFC）升压驱动器IC;以及IR25750L电流检测IC。

飞兆半导体推出业界首款用于驱动高效双相开关

磁阻电机的SPM产品 飞兆半导体公司日前宣布推出业界首款SRM-SPM模块，用于驱动真空吸尘器等小型电机应用中的双相开关磁阻电机。每个SRM-SPM模块（FCAS20DN60BB和FCAS30DN60BB）都在单个封装内集成两个HVIC、一个LVIC、四个NPTIGBT、四个快速恢复二极管（FRD）、

IR推出稳固型600V单通道IC

国际整流器公司（IR）推出一系列稳固的单通道高压集成电路（HVIC），可用于电机控制、照明、开关电源、开业和焊接，以及太阳能板电池充电器。

IR 500V和600V集成电路

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护，以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间，并可驱动高达2．5A的电流。据称新型IC采用一种G5 HVIC的先进高压IC工艺，以增加新的功能和提升性能；新一代高压之持终端技术，能够提供电力过应力（overstress）保护及更高的现场可靠性。新器件的表面贴装SO-8封装符合MSL2标准（二级潮湿敏感度标准），其余所有表面贴装封装则符合MSL3标准（三级潮湿敏感度标准）。

IR新一代的500V和600V集成高压电路具备多项最新功能

国际整流器公司（IR）推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括电机控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护，以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间，并可驱动高达2．5A的电流。

IR推出新型坚固而可靠的500V和600V集成电路

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier。简称IR）推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计。配有高端和低端驱动器。可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护，以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间，并可驱动高达2．5A的电流。

高效双相开关磁阻电机驱动模块

FCAS20DN60BB和FCAS30DN60BB都集成了两个HVIC、一个LVIC、四个NPTIGBT、四个快速恢复二极管（FRD）、两个Bootstrap二极管、一个热敏电阻和多项保护功能。

三菱电机开始发售变频器用1200V高压HVIC

产品介绍 三菱电机株式会社预定于2012年4月2日开始发售HVIC※1新产品”M81738FP”。该产品具有业界最高水平的1200V耐压及高可靠性，主要用于在AC400V级变频器中驱动功率半导体。

高压栅级驱动器

高压栅级驱动器FAN7387，针对镇流器、SMPS和半桥逆变器设计，是唯一带有用于死区时间控制外部引脚的高压栅极驱动器（HVIC）。这款HVIC采用创新的噪声消除技术，高边驱动器运作的负Vs摆幅高达-9．8V，这种特性可保护IC免受负噪声影响，且有更强的噪声免疫能力。

μHVIC系列通用高压及低压IC

全新的μHVIC系列组件系列包括IRSxx752L100V、200V和600V单通道高侧驱动器；IRS2575IL高压启动IC;IRS44273L单通道低侧驱动器IC；IRS2505L功率因子校正（PFC）升压驱动器IC；以及IR25750L电流检N,IIC。

IR扩大英国厂产能,新增高压IC生产

国际整流器公司(IR)行政总裁Alex Lidow联同英国威尔斯首长Rhodri Morgan,宣布计划在威尔斯(Wales)新港市(Newport)增聘专才及扩展当地厂房生产力达两倍。该项扩充计划将在IR的200毫米(8英寸)晶圆制造设施投产时,创造近120个高技术性的工程及生产职位。

高压P阱LDMOS的结构分析及其参数分析

衡量HVIC工艺的一个重要的标准是其内的主要单元LDMOS的参数是否合乎工艺设计的要求。本文简略分析了700V P阱HVIC工艺中的LDMOS结构,并对LDMOS的参数略加分析。

飞兆半导体Motion-SPM产品简化200W以下逆变器电机的驱动设计

飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）两款新型Motion-SPM器件能针对冰箱的应用节省电路板尺寸。每个FCBS0550（500V／5A）和FCBS0650（500V／6A）Motion-SPM均在单一紧凑的高热效模块中集成了6个MOSFET．3个HVIC和1个LVIC，并获得UL认证，满足漏电和空间距离的要求。