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一种高频单片GaN DC-DC降压转换器设计
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作者 何凡 沈红伟 +1 位作者 来龙坤 罗卫军 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期417-423,共7页
基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降... 基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降压转换器可直接被0.7 V的高速脉冲信号控制,无需片外模块,其峰值功率级效率达到92.2%,峰值总效率达到84.24%,峰值功率为7.7 W。相较于前期工作,芯片工作范围从100 MHz提升至200 MHz,在保证芯片效率性能的情况下,实现了对工作频率的大幅提升。 展开更多
关键词 gan DC-DC降压转换器 单片电路 驱动电路 有源上拉结构
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增强型GaN功率管的可靠性分析
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作者 赵媛 王立新 +1 位作者 赵高峰 郭敏 《集成电路应用》 2024年第4期22-25,共4页
阐述氮化镓器件的结构和特性,描述其开关导通过程并搭建等效模型,从内部驱动电路和外界共模瞬态(CMT)事件的影响两方面进行分析,得出影响氮化镓功率器件可靠性的因素,基于此可靠性分析提出对于不同功率管误开启事件采用的不同解决方案,... 阐述氮化镓器件的结构和特性,描述其开关导通过程并搭建等效模型,从内部驱动电路和外界共模瞬态(CMT)事件的影响两方面进行分析,得出影响氮化镓功率器件可靠性的因素,基于此可靠性分析提出对于不同功率管误开启事件采用的不同解决方案,并通过Cadence仿真软件进行ADE仿真,印证其可靠性结果。 展开更多
关键词 增强型氮化镓器件 半桥驱动电路 欠阻尼关断 共模瞬态抗扰度
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GaN驱动芯片的增强型抗干扰欠压保护电路
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作者 杨潇雨 杨曼琳 +3 位作者 吴昊 王妍 汪紫薇 蒲阳 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期432-436,共5页
针对汽车电子高性能GaN驱动芯片需求,为解决GaN器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大... 针对汽车电子高性能GaN驱动芯片需求,为解决GaN器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大电路回差电压,极大提高了电路的抗干扰能力。电源上电至预设电压后,系统解除保护锁定,GaN器件通路开启,电源驱动后级GaN器件栅极,实现GaN器件欠压保护功能,提高稳定性。采用0.18μm BCD工艺进行设计。仿真结果表明,电源上电至8.5 V时,电路解除欠压保护功能,带隙基准电路输出1.5×10^(-5)/℃高精度5 V电压至GaN驱动电路栅端。电源下电至8 V时,电路启动欠压保护功能,芯片系统关断,实现GaN器件保护功能。回差电压为0.5 V,静态电流为60μA。该欠压保护电路满足低温度系数、低功耗、高回差电压等要求。 展开更多
关键词 gan驱动电路 欠压保护电路 低压误开 双重比较
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GaN HEMT及GaN栅驱动电路在DToF激光雷达中的应用 被引量:2
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作者 秦尧 明鑫 +2 位作者 叶自凯 庄春旺 张波 《电子与封装》 2023年第1期22-29,共8页
DToF(Direct Time-of-Flight)激光雷达通过直接测量激光的飞行时间完成距离测量和地图成像,应用于自动驾驶的DToF激光雷达需要具备更高的分辨率和更宽的检测范围。GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)相对于传统Si基功率MOSFET的优异特性使其... DToF(Direct Time-of-Flight)激光雷达通过直接测量激光的飞行时间完成距离测量和地图成像,应用于自动驾驶的DToF激光雷达需要具备更高的分辨率和更宽的检测范围。GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)相对于传统Si基功率MOSFET的优异特性使其非常适合应用于自动驾驶中的DToF激光雷达,而GaN HEMT性能的发挥依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅驱动电路。针对应用于自动驾驶的DToF激光雷达系统,从系统电路到核心元器件,分析了激光二极管驱动电路面临的设计挑战、GaN HEMT的优势以及GaN栅驱动电路面临的设计挑战,并介绍了适合该应用的GaN栅驱动电路。 展开更多
关键词 DToF激光雷达 激光二极管驱动电路 gan HEMT gan栅驱动电路
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Pedestrian detection in driver assistance using SSD and PS-GAN
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作者 Kun Zheng Mengfei Wei +2 位作者 Shenhui Li Dong Yang Xudong Liu 《Journal of Autonomous Intelligence》 2019年第3期9-19,共11页
Pedestrian detection is a critical challenge in the field of general object detection,the performance of object detection has advanced with the development of deep learning.However,considerable improvement is still re... Pedestrian detection is a critical challenge in the field of general object detection,the performance of object detection has advanced with the development of deep learning.However,considerable improvement is still required for pedestrian detection,considering the differences in pedestrian wears,action,and posture.In the driver assistance system,it is necessary to further improve the intelligent pedestrian detection ability.We present a method based on the combination of SSD and GAN to improve the performance of pedestrian detection.Firstly,we assess the impact of different kinds of methods which can detect pedestrians based on SSD and optimize the detection for pedestrian characteristics.Secondly,we propose a novel network architecture,namely data synthesis PS-GAN to generate diverse pedestrian data for verifying the effectiveness of massive training data to SSD detector.Experimental results show that the proposed manners can improve the performance of pedestrian detection to some extent.At last,we use the pedestrian detector to simulate a specific application of motor vehicle assisted driving which would make the detector focus on specific pedestrians according to the velocity of the vehicle.The results establish the validity of the approach. 展开更多
关键词 Pedestrian Detection driver Assistance gan SSD
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一种用于GaN HEMT栅驱动片内电源产生电路设计
6
作者 申福伟 孙付扬 +2 位作者 铁瑞芳 何宁业 许媛 《科学技术创新》 2023年第16期57-60,共4页
GaN HEMT功率器件通常用于高频开关频率下(MHZ以上),尤其开关频率达到10 MHZ以上之后,对栅驱动芯片的内部的电源电路设计要求更加苛刻[1]。本文设计了一种带欠压保护功能的LDO电源产生电路,能实时检测电源电压是否处于欠压状态,进而通... GaN HEMT功率器件通常用于高频开关频率下(MHZ以上),尤其开关频率达到10 MHZ以上之后,对栅驱动芯片的内部的电源电路设计要求更加苛刻[1]。本文设计了一种带欠压保护功能的LDO电源产生电路,能实时检测电源电压是否处于欠压状态,进而通过关闭电源对芯片进行保护,避免欠压状态对芯片内部电路造成的损害。采用华润微电子0.18 um BCD工艺,完成了电路的仿真设计验证,LDO的输入电压为5 V、输出电压为1.8 V,负载电流在0 mA到20 mA,1 MHz频率跳变时测得下冲电压为500 mV左右,其负载瞬态响应的时间420 ns左右。输入电源电压从欠压到正常跳变,以及正常状态到欠压跳变过程中,欠压保护电路均能很好实现控制信号输出。 展开更多
关键词 gan HEMT 栅驱动电路 低压差线性稳压器 欠压保护电路
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用于GaN驱动芯片的低功耗高可靠高侧供电电路
7
作者 胡一凡 王勇 +3 位作者 孔瀛 王瑛 彭领 李易昂 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期389-396,402,共9页
高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对... 高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护,此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号,具有良好的性能。 展开更多
关键词 gan 栅极驱动器 高侧供电电路 电压转换速率 电平位移电路
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高效率GaN MMIC优化技术的研究 被引量:1
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作者 张志国 秘瑕 +6 位作者 王民娟 李静强 宋建博 崔玉兴 冯志红 付兴昌 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1024-1027,共4页
使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响。仿真结果表明,驱动比由2(电路1)增加到3(电路2),效率提高10%。工艺上分别实... 使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响。仿真结果表明,驱动比由2(电路1)增加到3(电路2),效率提高10%。工艺上分别实现了两种电路,测试表明,效率由25%(电路1)提高到30%(电路2),验证了仿真结果。电路2在测试频率为8~10 GHz时,脉冲输出功率大于21 W,增益大于15 dB,效率大于35%;频率为8 GHz时,输出功率最大值为25 W,效率最大值为45%,具有较好的性能。 展开更多
关键词 氮化镓 微波单片集成电路 驱动比 高功率
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一种纳秒级半导体激光器集成微模块
9
作者 李军建 赵永瑞 +4 位作者 师翔 贾东东 高业腾 赵光璞 贾凯烨 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期635-641,共7页
为提升半导体激光器在高重频下工作的稳定性,并满足模块高集成度的需求,研制了一款纳秒级半导体激光器集成微模块。该微模块包括半导体激光器芯片、装载激光器芯片的基板以及驱动电路。在基板侧面设计金属化过孔,将半导体激光器芯片的... 为提升半导体激光器在高重频下工作的稳定性,并满足模块高集成度的需求,研制了一款纳秒级半导体激光器集成微模块。该微模块包括半导体激光器芯片、装载激光器芯片的基板以及驱动电路。在基板侧面设计金属化过孔,将半导体激光器芯片的电极从基板侧面引出,实现了激光的垂直发射;采用球栅阵列(BGA)封装GaN HEMT和GaN驱动器,优化电路布局和半导体激光器的回流路径,减小寄生电感,实现了1 ns的发光脉冲宽度,工作重频达到了1 MHz;同时,发光脉冲信号的前沿抖动度小于60 ps,脉冲宽度抖动度小于200 ps,表明其具有较高的稳定性。最后,采用高透明、耐高温的灌封胶对该微模块实现集成化封装,整体尺寸仅为6mm×5mm×2.6mm。 展开更多
关键词 半导体激光器 集成封装 垂直发射 gan驱动器 窄脉冲
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GaN MOSFET高效谐振驱动电路设计及损耗分析 被引量:2
10
作者 高圣伟 苏佳 +1 位作者 刘晓明 李龙女 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2018年第5期64-69,共6页
为了解决GaN MOSFET门极驱动的高损耗问题,对比分析了传统驱动和谐振门极驱动电路,提出一种新型谐振门极驱动电路,通过建立数学模型、LTspice仿真分析以及实验验证所提出门极驱动电路的正确性.其基本原理为利用谐振原理在开关管关断过... 为了解决GaN MOSFET门极驱动的高损耗问题,对比分析了传统驱动和谐振门极驱动电路,提出一种新型谐振门极驱动电路,通过建立数学模型、LTspice仿真分析以及实验验证所提出门极驱动电路的正确性.其基本原理为利用谐振原理在开关管关断过程中通过L将存储在C中的能量反馈到电源中,使能量得到有效利用,从而减小功率损耗.结果表明:GaN MOSFET开通和关断的时间分别为12 ns和16 ns,能够实现开关管的快速开断;新型谐振驱动电路的门极损耗比传统GaN MOSFET驱动电路的损耗减小了55.56%,比普通谐振驱动电路的门极损耗减小了35.66%. 展开更多
关键词 ganMOSFET 高频 门极驱动 谐振 驱动电路 门极损耗
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一种适用于GaN器件的谐振驱动电路 被引量:4
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作者 赵清林 陈磊 +1 位作者 袁精 王玉洁 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期114-118,共5页
针对氮化镓(GaN)器件,传统的驱动电路是电压源型驱动,在高频下充放电回路中的寄生电感会引起栅源电压振荡,超过GaN器件的栅源耐压值,损坏GaN器件。采用谐振驱动(RGD)电路是解决上述传统驱动存在的问题的有效途径之一,利用LC谐振,在GaN... 针对氮化镓(GaN)器件,传统的驱动电路是电压源型驱动,在高频下充放电回路中的寄生电感会引起栅源电压振荡,超过GaN器件的栅源耐压值,损坏GaN器件。采用谐振驱动(RGD)电路是解决上述传统驱动存在的问题的有效途径之一,利用LC谐振,在GaN器件开通和关断时提供一条低阻抗箝位路径,减小栅源电压的振荡,提供一个稳定的栅源电压。详细分析了RGD电路的工作原理,同时设计制作了1 MHz的Boost变换器原理样机,并给出了实验结果。 展开更多
关键词 gan器件 谐振门极驱动 高频变换器 栅极驱动
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用于36V、500W GaN功率放大器的电源调制器 被引量:3
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作者 倪涛 赵永瑞 +3 位作者 高业腾 赵光璞 谭小燕 师翔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期504-507,共4页
随着GaN功率放大器的发展,其工作电压和输出功率越来越大,对电源调制器的要求也越来越高。介绍了一种用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器模块。该模块基于自主研发的芯片组合设计而成,使用了一款50 V调制驱动器作为核心控制芯片... 随着GaN功率放大器的发展,其工作电压和输出功率越来越大,对电源调制器的要求也越来越高。介绍了一种用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器模块。该模块基于自主研发的芯片组合设计而成,使用了一款50 V调制驱动器作为核心控制芯片,一款60 V高压PMOSFET作为调制开关,一款固定输出电压的线性稳压器,一款负压线性稳压器为功率放大器提供栅极偏置电压。经实验验证,该模块电路可以为36 V、500 W的GaN功率放大器提供稳定可靠的漏极控制电压及栅极偏置电压。此外,栅、漏电压上电时序受控,输出信号的上升、下降时间分别为16.3 ns和79.4 ns,能够很好地满足应用要求。 展开更多
关键词 电源调制器 gan功率放大器 调制驱动器 线性稳压器 负压线性稳压器
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用于GaN半桥驱动器的高速电平移位电路 被引量:2
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作者 李亮 周德金 +1 位作者 黄伟 陈珍海 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期873-878,890,共7页
设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪... 设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪声,以保证输出信号稳定。抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路,使充电时间避开负压时间。在0.18μm 85 V BCD工艺下完成设计,工作频率达到5 MHz,上升时间为4.1 ns,下降时间为3.8 ns,满足高频GaN栅驱动应用需求。 展开更多
关键词 gan 半桥驱动器 电平移位 瞬态噪声抑制 正反馈互锁
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Switching Behavior of Cascode GaN Under Influence of Gate Driver
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作者 Bin Luo Guangzhao Luo Sihai Li 《CSEE Journal of Power and Energy Systems》 SCIE EI CSCD 2024年第4期1816-1833,共18页
With high-frequency,low power dissipation and high-efficiency characteristics,Gallium nitride(GaN)power devices are of significant benefit in designing high-speed motor drives,as they improve performance and reduce we... With high-frequency,low power dissipation and high-efficiency characteristics,Gallium nitride(GaN)power devices are of significant benefit in designing high-speed motor drives,as they improve performance and reduce weight.However,due to the cascode structure,coupling with the parasitics in gate driver and power circuits,power converters based on cascode GaN are prone to overshoot and oscillate on switching waveforms,which may lead to serious EMC problems,or even device breakdown.The complicated structure of cascode GaN device makes the gate driver design comparatively complex.An analytical model of the switching process considering gate driver parameters is proposed in this article.The influence of gate driver parameters on switching behavior is investigated from the perspective of switching speed,waveform overshoot,and power loss.Trade-offs among overshoot,switching speed,and power loss are discussed;guidelines to design gate driver parameters are given. 展开更多
关键词 Gallium nitride(gan) gate driver oscillation and overshoot switching characteristics
原文传递
600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计 被引量:5
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作者 潘溯 胡黎 +3 位作者 冯旭东 张春奇 明鑫 张波 《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期57-63,共7页
介绍了一种适用于600V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,... 介绍了一种适用于600V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,保证功率管的开启速度。基于0.35μm BCD工艺对电路进行仿真验证,结果表明:在600V输入电压的半桥驱动应用下,驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700mA驱动电流,达到阈值电压后提供190mA稳定驱动电流,开关节点的dv/dt为150V/ns,传输延迟加开启延迟为20ns。 展开更多
关键词 耗尽型gan器件 600V高压 栅极驱动
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用于GaN功率开关的低损耗高频全GaN栅极驱动器 被引量:1
16
作者 赵永瑞 贾东东 +4 位作者 史亚盼 吴志国 李俊敏 赵光璞 师翔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期863-866,共4页
介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路。该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻。根据该拓扑结构的门限效应,提出了集成脉冲宽度调制功能的全GaN栅极驱动器。使用两个6 W的GaN HEMT搭建该驱动器,并将其输... 介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路。该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻。根据该拓扑结构的门限效应,提出了集成脉冲宽度调制功能的全GaN栅极驱动器。使用两个6 W的GaN HEMT搭建该驱动器,并将其输出连接到一个45 W GaN功率开关的栅极,形成一个DC/DC升压转换器的低侧开关,并进行实验验证。实验结果表明,在20%~80%占空比下,电路具有低损耗(约1 W)和高达60 MHz的开关工作频率,测得的方波开关时间达到了纳秒级。该研究结果为GaN功率开关及驱动器进一步使用微波单片集成电路(MMIC)工艺进行全集成提供了理论依据和实测数据。 展开更多
关键词 gan栅极驱动器 gan HEMT 脉冲宽度调制 DC/DC升压转换器 高工作频率
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基于GaN功率器件伺服驱动系统的设计与研究 被引量:3
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作者 王品贺 杨明 +2 位作者 商书宇 吕泽楷 徐殿国 《电气传动》 北大核心 2019年第10期65-69,共5页
GaN等高频功率器件应用于电机驱动领域,高频化后的驱动系统能够显著减小系统的体积、重量和成本,但也会带来du/dt和di/dt过大的问题。首先设计了基于GaN功率器件伺服驱动器的硬件电路,对GaN驱动电路中PCB设计存在的问题进行了详细的分析... GaN等高频功率器件应用于电机驱动领域,高频化后的驱动系统能够显著减小系统的体积、重量和成本,但也会带来du/dt和di/dt过大的问题。首先设计了基于GaN功率器件伺服驱动器的硬件电路,对GaN驱动电路中PCB设计存在的问题进行了详细的分析,并给出了PCB寄生参数的优先级顺序,同时用FPGA控制器实现了电机的双闭环控制算法,最后通过仿真和实验,实现了电机的转速控制,这对于GaN功率器件在电机驱动领域的推广和应用具有实际意义。 展开更多
关键词 伺服系统 gan驱动电路设计 正弦波滤波器 硬件电流环
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一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现 被引量:2
18
作者 王子青 廖斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期674-678,共5页
设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时... 设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时提高了输入噪声容限,电平转换级、输出级对传统电路结构做了改进,转换速度更快,功耗更低。该电路采用标准硅基高压CMOS工艺制造流片,芯片测试结果表明,负电源工作电压为-5^-40 V,静态电流小于10μA,动态电流为5 m A@10 MHz,传输延时小于20 ns。芯片尺寸为1.42 mm×1.83 mm。该电路具有响应速度快、功耗低以及抗噪声能力强等特点,可广泛应用于微波通信系统中。 展开更多
关键词 Ga N场效应晶体管(FET)开关 高压驱动器 施密特电路 电平转换 死区时间
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一种GaN FET的窄脉冲激光器驱动电源系统设计 被引量:2
19
作者 许源 王武 +3 位作者 倪小龙 闫钰锋 于信 白素平 《计算机测量与控制》 2022年第9期272-279,共8页
针对半导体激光器驱动电路在低纳秒级对激光光脉冲调节困难的问题,研究了一种基于GaN高速半导体器件的半导体激光器的驱动方案,可实现激光光脉冲的宽度、高重复频率的高精度调节;在设计上,利用FPGA门电路现场可编辑、低功耗等特点,基于X... 针对半导体激光器驱动电路在低纳秒级对激光光脉冲调节困难的问题,研究了一种基于GaN高速半导体器件的半导体激光器的驱动方案,可实现激光光脉冲的宽度、高重复频率的高精度调节;在设计上,利用FPGA门电路现场可编辑、低功耗等特点,基于Xilinx Zynq平台搭建前置时序产生电路,输出时序信号;设计储能电路,通过驱动氮化镓场效应晶体管(GaN FET)作为开关控制储能回路,最终实现激光光脉冲低纳秒级的精密调节;经过实验验证和分析,该驱动电路能稳定输出脉冲宽度3~200 ns可调、重复频率0~1 MHz可调、峰值功率超过70 W、上升沿时间小于5 ns的激光光脉冲信号。 展开更多
关键词 半导体激光器驱动电路 激光光脉冲调节 FPGA 氮化镓场效应晶体管 低纳秒级精密调节
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GaN HEMT栅驱动技术研究进展 被引量:8
20
作者 周德金 何宁业 +5 位作者 宁仁霞 许媛 徐宏 陈珍海 黄伟 卢红亮 《电子与封装》 2021年第2期35-46,I0002,共13页
GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片... GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述。同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发展状况,对栅驱动芯片的实现技术进行了总结。 展开更多
关键词 gan HEMT 栅驱动电路 电平移位 绝缘隔离 半桥
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