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异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究
被引量:
1
1
作者
王斌
张鹤鸣
+4 位作者
胡辉勇
张玉明
宋建军
周春宇
李妤晨
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第21期452-459,共8页
结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了...
结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了强反型时的准二维表面势模型,并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型.应用MATLAB对该器件模型进行了分析,讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响,获得了最优化的异质栅结构.模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致,证明了该模型的正确性.该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考.
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关键词
异质多晶
sige
栅
应变
si
nmosfet
表面势
沟道电流
原文传递
题名
异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究
被引量:
1
1
作者
王斌
张鹤鸣
胡辉勇
张玉明
宋建军
周春宇
李妤晨
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第21期452-459,共8页
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904)
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)
+1 种基金
中央高校基本业务费(批准号:K5051225014
K5051225004)资助的课题~~
文摘
结合了"栅极工程"和"应变工程"二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能.本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了强反型时的准二维表面势模型,并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型.应用MATLAB对该器件模型进行了分析,讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响,获得了最优化的异质栅结构.模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致,证明了该模型的正确性.该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考.
关键词
异质多晶
sige
栅
应变
si
nmosfet
表面势
沟道电流
Keywords
hetero-polycrystalline sige gate
,
strained si nmosfet
,
surface potential
,
channel current
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究
王斌
张鹤鸣
胡辉勇
张玉明
宋建军
周春宇
李妤晨
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
原文传递
已选择
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