三烃基锡杂环羧酸酯的合成

合成了十种三烃基锡杂环羧酸酯R_3~1SnO_2C-R^2(R^1=n-C_4H_9,Ph-CH_2;R^2=呋喃,吡啶,吲哚烷基),利用IR,~1H NMR及元素分析确定了这些化合物的组成和结构。

芳杂环类多重氢键分子钳人工受体研究新进展

氢键是分子识别的重要推动力之一 .综述了芳杂环类多重氢键分子钳人工受体研究进展 .

含杂环羧酸基二苄基锡(Ⅳ)配合物的合成与表征

以二苄基二氯化锡和杂环羧酸钠为原料合成了十种新的有机锡配合物（ＰｈＣＨ２）２Ｓｎ（Ｏ２ＣＲ）ｎＣｌ２－ｎ（ｎ＝１或２，Ｒ＝杂环）。用元素分析、ＩＲ、１ＨＮＭＲ和ＴＧ表征了配合物的组成和结构。

新型含氟耐高温聚吡咙——合成与性能研究

通过改进的Chichibabin反应合成了主链含有吡啶单元的新型含氟四胺单体 ,2 ,6 双 (3′ ,4′ 二氨基苯基 ) 4 (3″ ,5″ 双三氟甲苯基 )吡啶 (6FPA) .利用 6FPA与芳香族二酐单体 3,3′ ,4 ,4′ 二苯醚四羧酸二酐 (ODPA)通过两步热环化工艺制备了新型聚吡咙 (Polypyrrolone ,PPy)化合物 .对其所进行的各种性能测试结果表明 ,这种主链含有刚性吡啶结构、侧链带有含氟取代基的芳杂环高分子材料不仅保持了其固有的耐热性能 ,而且具有优良的成膜性能与耐水解性能 .例如其起始热分解温度为 5 5 8℃ ,失重 10 %温度为 5 91℃ ,72 0℃时的残余重量百分数为 6 8% ,玻璃化转变温度为 318℃ .PPy薄膜在 10 %NaOH水溶液中水解 7天仍具有良好的耐热性能与柔韧性 .

芳香杂环化合物不对称催化氢化反应的研究进展

近年来,芳香杂环化合物的不对称催化氢化有了很大进展,引起了人们关注.对均相和非均相体系中芳香杂环化合物的不对称氢化反应进行了归纳总结.

新型手性不对称脲分子钳受体的设计合成

以芳杂环为隔离基,手性不对称脲为手臂设计合成了一类新型的分子钳,其结构经1HNMR,IR,MS和元素分析所确证,并且考察了其对卤素阴离子C1—,Br—,I—的识别性能.

芳杂环类多重氢键分子钳人工受体的设计合成

根据多点氢键识别原理 ,设计合成了 8个分子钳受体 1～ 8 其结构经MS ,1HNMR和IR谱确证 .

含氟芳杂环高分子及其在微电子工业中的研究进展

综述了近年来国内外在含氟芳杂环高分子方面的研究及应用进展情况。主要介绍了含氟聚苯并咪唑 (PBI)、聚苯并唑 (PBO)、聚芳醚 (PAE)及其衍生物等材料。从含氟单体的合成。

氮杂芳环N-氨化物及其含能衍生物研究进展?

氮杂芳环化合物因其具有氮含量高、正生成热大、爆轰性能优良等特点,在新型含能材料研究领域备受关注,综述了氮杂芳环N-氨化物及其含能衍生物,包括N-三硝基乙氨基衍生物、N-硝胺基衍生物和含N-N=N-N结构衍生物的合成及性能研究进展,并展望了未来研究及应用方向。

二{氧合-二[2-呋喃甲酸二苄基锡(IV)]}的合成、性质及晶体结构

以二苄基氧化锡和2呋喃基羧酸反应,合成了新的化合物二{氧合-二[2呋喃甲酸二苄基锡(IV)]}.生物活性测试结果表明,该配合物具有较强的体外抗癌活性.X射线单晶衍射测定表明,配合物是以Sn_(2)O_(2)四元环为中心的、中心对称的二聚体结构,内环锡为六配位的畸变八面体结构,外环锡为五配位的加帽畸变三角双锥结构.

芳杂环类多重氢键分子钳人工受体对中性分子的识别性能研究

根据多点氢键识别原理 ,设计合成了新的分子钳受体 1～ 6 .研究了其对巴比妥、尿素、二苯甲酮、戊二酰亚胺等中性分子的识别性能 .用差紫外光谱法测定了结合常数和自由能变化 (ΔG) .结果表明 ,所有分子钳受体与所考察的客体分子均形成 1∶1型超分子配合物 ,识别作用的推动力主要为多重氢键的协同作用 .讨论了主客体间尺寸 /形状、几何互补等因素对形成超分子配合物的影响 .并利用1HNMR。

硝基芳环和硝基杂芳环中氢的替代亲核取代

氢的替代亲核取代反应(VNS)是与硝基芳环的亲电反应、亲核反应不同的一种新反应.将VNS与硝基芳环的亲电反应、亲核反应做比较,阐述了VNS的定义;通过对竞比实验、速控步骤和动力学同位素效应的分析,解释了VNS的反应机理;分别从硝基芳环的结构、亲核试剂的类型和反应条件三方面讨论了影响VNS定位效应的因素;介绍了VNS反应的应用,尤其是VNS胺化反应在军事化学中的实际应用.

烹调食品中杂环胺检测的样品前处理方法研究

杂环胺作为一类在烹调过程中产生的强致癌,高突变活力的物质,越来越受到科研工作者的关注。本文主要对食品中杂环胺检测的前处理技术进行了综述,介绍了从不同样品基质中进行提取和预浓缩的分析策略,如常用的液液萃取,液固萃取,固相萃取,在线串联液液萃取和固相萃取等前处理方法,重点讨论了在样品处理过程中的吸附剂和溶剂选择的问题,讨论了分析技术所需要的条件和最能达到准确结果的方法。

有机锡化合物二{氧合-二[杂环羧酸二丁基锡(IV)]}的合成、表征和二{氧合-二[2-噻吩甲酸二丁基锡(IV)]}的晶体结构

利用二丁基氧化锡与杂环羧酸反应,合成8个有机锡化合物二{氧合-二[杂环羧酸二丁基锡(IV)]}.通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和锡谱对其结构进行了表征.用X射线单晶衍射测定了二{氧合-二[2噻吩甲酸二丁基锡(IV)]}的晶体结构,结果表明,该化合物是以Sn2 O2四面体为中心的,中心对称的二聚体结构,内、外环锡原子均为六配位的畸变八面体构型.该化合物晶体属单斜晶系,空间群P2(1)/n,a=1.3721(10)nm,b=1.7297(13)nm,c=1.3721(10)nm,β=93.709(8)°,Z=2,V=3.249(4)nm^(3),Dc=1.505g/cm^(3),μ=1.695mm^(-1),F(000)=1480,R=0.0480,wR=00978.

芳杂环推拉型大分子的多光子上转换荧光性质

用Wittig反应和Heck反应制备了2个新的芳杂环推-拉型荧光大分子聚[(2,5-二苯撑-1,3,4-噁二唑)-4,4′-乙烯撑-交替-N,N′-二(4-苯乙烯撑)]苯胺(P1)和聚[(2,5-二苯撑-1,3,4-噁二唑)-4,4′-乙烯撑-交替-N-乙基-3,6-咔唑乙烯撑](P2).P1和P2的分解温度分别为373和412℃,热稳定性良好.电化学性能用循环伏安法测定.P1和P2的最高占有分子轨道(HOMO)能级分别为-5.39和-5.81eV,最低未占有分子轨道(LUMO)能级分别为-2.81和-3.09eV.用飞秒Ti:Sapphire激光器测定了P1和P2的三光子和双光子上转换荧光光谱.在1250nm波长激发下,在四氢呋喃溶液中P1和P2的三光子荧光发射峰分别位于510和491nm.在800nm波长激发下,在四氢呋喃溶液中P1和P2的双光子荧光发射峰分别位于511和495nm.在四氢呋喃溶液中大分子P1和P2单光子荧光发射峰分别位于503和475nm,P1和P2的荧光量子产率分别为0.80和0.31.研究了多光子荧光发射过程的溶剂效应.结果表明,溶剂极性增大,P1和P2的多光子荧光发射波长明显红移.

多种类杂环化合物的药理和毒理活性系数构效关系（英文）

杂环类化合物在卫生保健和药物分子设计领域发挥关键作用,在西药中占有重要地位.本工作针对扩展距离矩阵提出了一组范数指数,基于扩展距离矩阵的范数指数构建了一个新的构效关系模型,并对杂环类化合物二苯并呋喃的芳烃受体亲和性(pEC50)以及芳香和杂环芳香胺的诱导有机体变异力(lnR)进行了计算预测.结果表明,基于扩展距离矩阵范数指数建立的构效关系模型可以很好地预测pEC50和lnR.其中,pEC50预测结果的平均绝对误差(AAD)为0.403,相关性系数r2=0.876,lnR预测结果的AAD为0.702,r2=0.779.与其他预测方法的对比结果表明,本工作不仅能够利用一个完全相同的数学表达模型同时对pEC50和lnR进行预测,而且预测结果在准确性和稳定性上都有显著改善.

新型手性芳杂环分子钳人工受体的微波干法合成

在微波无溶剂条件下,以对苯二甲酰氯为隔离基,胆甾为手臂,固体K2CO3为载体,设计并合成了4个新型的手性芳杂环分子钳(3a～3d),其结构经1HNMR,IR,MS和元素分析表征。考察了微波辐射条件对反应的影响,结果表明,以固体K2CO3为载体,于450 W辐射4 min,收率最高(90%)。用UV-Vis初步研究了3a～3d对客体氨基酸甲酯的识别性能。结果表明,它们均对氨基酸甲酯有良好的对映选择性识别作用。

三丁基锡氮杂环羧酸酯的合成及应用研究

以三丁基氯化锡和氮杂环羧酸盐为原料，合成了５种新型杀菌剂三丁基锡氮杂环羧酸酯（ｎＣ４Ｈ９）３ＳｎＯ２ＣＲ（Ｒ＝吡啶基，吲哚烷基），所有产品收率均大于８５％。实验确定了较佳反应条件：三丁基氯化锡和氮杂环羧酸盐的摩尔比为１１．２，反应时间为５ｈ，反应温度为回流温度。样品经元素分析、红外光谱和核磁共振氢谱检测与目标化合物一致。对化合物进行了应用试验，结果表明，在质量分数为０．００５％时，这些化合物的杀菌活性为８８％～１００％。

一种共轭有机杂环分子的双光子吸收与电化学性质

实验研究了一种新的共轭杂环化合物9-乙基-3-{5-(4-叔丁基苯基)-[1,3,4]-噁二唑-2-苯乙烯基}-咔唑(VBPOEC)的双光子吸收性质和电化学性质。双光子吸收截面采用非线性透过率法测定,双光子最大吸收波长位于800nm,吸收截面为1350GM。采用紫外光谱的边带吸收法得到带隙为2.77eV,用循环伏安法对其电化学性质进行了初步研究,氧化电位为1.059V,其HOMO能级为-5.80eV,其LUMO轨道能级为-3.03eV。研究了光学、电化学性质与分子电子结构的关系。

芳杂环导电高分子的研究进展

芳杂环导电高分子是一类新型功能性材料,具有独特的结构和优异的物理化学性能,掺杂后电导率可以达到半导体甚至导体水平,已成为高分子材料领域中的一个重要方面。综述了芳杂环高分子材料本征态和掺杂后的导电性机理、合成方法,及其在电池电极、金属腐蚀防护等方面的应用。主要介绍了聚吡咯、聚噻吩等芳杂环导电高分子的最新研究进展,指出了芳杂环导电高分子材料研究中存在的问题,并探讨了未来的研究方向。