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n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究 被引量：2
1
作者 林鸿生 马雷 付竹西 《光电子技术》 CAS 2001年第1期36-38,共3页
本文首次报道 n-Zn O/p-Si异质结 J-V特性实验测量的初步结果——经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级 ,表明退火改善 Zn O/Si晶格界面结构 ,提高了 n-Zn
关键词 异质结 退火处理 氧化锌 J-V特性 硅 半导体材料
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