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直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al 2 O 3颗粒中16种杂质元素 被引量:2
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作者 谭秀珍 李江霖 +2 位作者 李瑶 邓育宁 朱刘 《中国无机分析化学》 CAS 北大核心 2023年第7期755-760,共6页
采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2... 采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2 mm左右大小的α-Al_(2)O_(3)颗粒用Ga包裹,在1.6 mA/950 V的放电参数下,基体27 Al信号稳定,强度为3.2×10^(8) cps,Al、Ga的信号比约为1∶270。采用实验方法对α-Al_(2)O_(3)颗粒独立测定5次,相对标准偏差均在30%以内。为了验证Ga对α-Al_(2)O_(3)颗粒测定结果的影响,分别采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)和dc-GDMS法对易于消解的γ-Al_(2)O_(3)粉进行测定。对于dc-GDMS法,选择压在Ga上的γ-Al_(2)O_(3)粉直径约为4~5 mm,在同样的放电参数下,27 Al的信号强度为3.0×10^(9) cps,Al、Ga的信号比约为1∶29。γ-Al_(2)O_(3)粉的GDMS测定结果和ICP-OES基本一致。采用Ga作辅助电极测定α-Al_(2)O_(3)颗粒和γ-Al_(2)O_(3)粉的检出限均可达ng/g。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱仪(dc-GDMS) 高纯Ga 高纯α-al 2 o 3颗粒 杂质元素
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Interface characteristics of Al_2O_3-13%TiO_2 ceramic coatings prepared by laser cladding 被引量:3
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作者 高雪松 田宗军 +1 位作者 刘志东 沈理达 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第10期2498-2503,共6页
Al2O3-13%TiO2 (mass fraction) coatings, prepared by laser cladding on nickel-based alloy, were heated using high frequency induction sources. The coating microstructure and the interface between bond coating and cer... Al2O3-13%TiO2 (mass fraction) coatings, prepared by laser cladding on nickel-based alloy, were heated using high frequency induction sources. The coating microstructure and the interface between bond coating and ceramic coating were characterized by SEM, XRD and EDS. The results show that two-layer substructure exists in the ceramic coating: one layer evolving from fully melted region where the sintered grains grow fully; another layer resembling the liquid-phase-sintered structure consisting of three-dimensional net where the melted Al2O3 particles are embedded in the TiO2-rich matrix. The mechanism of the two-layer substructure formation is also explained in terms of the melting and flattening behavior of the powders during laser cladding processing. The spinel compounds NiAl2O4 and acicular compounds Cr2O3 are discovered in the interface between bond coating and ceramic coating. It proves that the chemical reactions in the laser cladding process will significantly enhance the coating adhesion. 展开更多
关键词 ceramic coating nickel alloy laser cladding al2o3-Tio2 high frequency induction
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双离子束溅射Al_(2)O_(3)高温绝缘薄膜的氧分压研究
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作者 闫博 黄漫国 +2 位作者 郭林琪 梁晓波 张丛春 《测控技术》 2022年第12期8-12,35,共6页
采用双离子束溅射沉积法(DIBSD)制备了用作高温绝缘层的Al_(2)O_(3)薄膜,分析了所制备Al_(2)O_(3)薄膜的表面和截面形貌,研究了溅射氧分压对薄膜氧铝元素比的影响,并进一步探讨了氧铝元素比对Al_(2)O_(3)薄膜高温绝缘性能的影响。研究... 采用双离子束溅射沉积法(DIBSD)制备了用作高温绝缘层的Al_(2)O_(3)薄膜,分析了所制备Al_(2)O_(3)薄膜的表面和截面形貌,研究了溅射氧分压对薄膜氧铝元素比的影响,并进一步探讨了氧铝元素比对Al_(2)O_(3)薄膜高温绝缘性能的影响。研究结果表明:双离子束溅射沉积法制备的Al_(2)O_(3)薄膜表面平整度高,粗糙度约为2.86 nm,截面形貌致密,没有微裂纹、空隙等缺陷;溅射氧分压的提高可以增加所制备Al_(2)O_(3)薄膜的氧铝元素比例,18%溅射氧分压下制备的Al_(2)O_(3)薄膜O∶Al约为1.44,接近Al_(2)O_(3)化合物的元素比;18%氧分压溅射的Al_(2)O_(3)薄膜,在1000℃具有6.5 MΩ的绝缘电阻值,高温绝缘性能良好。 展开更多
关键词 双离子束溅射沉积法 al_(2)o_(3)薄膜 高温绝缘 溅射氧分压 氧铝元素比
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