PIN限幅器高功率微波损伤效应及失效分析

以国产PIN限幅器为研究对象，分析了器件的工艺结构，开展了高功率微波注入效应研究，并对失效器件进行了失效分析。试验结果表明高功率微波注入会导致器件插入损耗超差而失效，限幅器输入端电容击穿短路丧失保护作用，PIN二极管结受损严重表现为低阻导通状态。借助多种失效分析手段获得了器件的烧毁形貌，认为器件发生烧毁的薄弱环节位于i层与n＋层的界面处，对潜在的失效机理进行了分析，并对工艺改进提出了相关建议。