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高纯锗中浅受主的光热电离光谱
1
作者
余晨辉
张波
+3 位作者
余丽波
李亚军
陆卫
沈学础
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期1097-1101,共5页
在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样...
在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论.
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关键词
高纯锗
光热电离光谱
元素半导体中的杂质和缺陷能级
原文传递
高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
2
作者
余晨辉
张波
+3 位作者
余丽波
李亚军
陆卫
沈学础
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期1102-1108,共7页
首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿...
首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号.随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变.通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模型能正确解释外加磁场作用后产生的现象,得到了实验的支持.
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关键词
高纯硅
光热电离光谱
元素半导体中的杂质和缺陷能级
少数载流子快速复合
原文传递
题名
高纯锗中浅受主的光热电离光谱
1
作者
余晨辉
张波
余丽波
李亚军
陆卫
沈学础
机构
中国科学院上海技术物理研究所
西南技术物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期1097-1101,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:10474107)
上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题.~~
文摘
在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论.
关键词
高纯锗
光热电离光谱
元素半导体中的杂质和缺陷能级
Keywords
high purity germanium
,
photo-thermal ionization spectroscopy
,
impurity and defect levels in elemental semiconductors
分类号
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
2
作者
余晨辉
张波
余丽波
李亚军
陆卫
沈学础
机构
中国科学院上海技术物理研究所
西南技术物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期1102-1108,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:10474107)
上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题.~~
文摘
首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号.随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变.通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模型能正确解释外加磁场作用后产生的现象,得到了实验的支持.
关键词
高纯硅
光热电离光谱
元素半导体中的杂质和缺陷能级
少数载流子快速复合
Keywords
high
purity
silicon,
photo-thermal ionization spectroscopy
,
impurity and defect levels in elemental semiconductors
, rapid recombination of minority carriers
分类号
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
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1
高纯锗中浅受主的光热电离光谱
余晨辉
张波
余丽波
李亚军
陆卫
沈学础
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
原文传递
2
高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
余晨辉
张波
余丽波
李亚军
陆卫
沈学础
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
原文传递
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