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利用高沸物二硅烷中的甲基氯二硅烷制备无氯Si-C-N陶瓷 被引量:5
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作者 孟凡君 谭业邦 +3 位作者 刘宗林 茹淼焱 刘爱祥 孟霞 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期187-190,共4页
直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在110... 直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在1100℃高温裂解后,可得到无氯Si-C-N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si-C-N陶瓷的最经济的方法之一。 展开更多
关键词 Si-C-N陶瓷 高沸物二硅烷 甲基氯二硅烷 聚硅氮烷 流变特性 高温裂解
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