EXO3晶振与KSS晶振在高过载下的失效特性分析

为了研究芯片抗高过载能力,本实验选取两种典型晶振芯片:EXO3、KSS,利用Hopkinson杆对其进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度,并用运力学模型对其内部结构进行分析。结果表明:晶振的内部结构直接影响它的抗冲击性能;与应力波传播方向平行放置的晶振抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的晶振。

高g值加速度作用下晶振的失效机理分析

利用Hopkinson杆对弹载存储测试电路模块常用的两种晶振:EXO3,KSS晶振,在未用环氧树脂胶灌封和灌封状态下进行了不同冲击方向(沿平行和垂直方向)的抗高g值冲击性能研究,并对它们的失效机理进行了分析.结果表明:因为晶振内部有微梁,当晶振在高g值加速度冲击下时,微梁可能发生断裂,这将导致晶振的失效.另外,晶振抗冲击能力与冲击加速度方向有关,与冲击方向平行时晶振的抗冲击性能要明显高于与冲击方向垂直的情况;对同一个冲击方向而言,经过环氧树脂灌封的晶振抗冲击能力并没有明显高于未灌封的晶振,这可能是由于电路板上焊点、导线断开造成的.

晶振芯片在高g值冲击下的失效机理分析

芯片是弹载存储测试系统的最基本的单元,它的抗强冲击能力直接影响测试系统的可靠性。为了研究芯片抗高过载能力,本实验利用Hopkinson杆对最典型的晶振芯片进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度。对实验现象进行理论分析后得出:与应力波传播方向平行放置的芯片抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的芯片。