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a-Si/c-Si heterojunction solar cells on SiSiC ceramic substrates
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作者 LI Xudong XU Ying CHE Xiaoqi 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期186-189,共4页
Silicon thin-film solar cells are considered to be one of the most promising cells in the future for their potential advantages, such as low cost, high efficiency, great stability, simple processing, and none-pollutio... Silicon thin-film solar cells are considered to be one of the most promising cells in the future for their potential advantages, such as low cost, high efficiency, great stability, simple processing, and none-pollution. In this paper, latest progress on poly-crystalline silicon solar cells on ceramic substrates achieved by our group was reported. Rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) was used to deposited poly-crystalline silicon thin films, and the grains of as-grown film were enlarged by Zone-melting Recrystallization (ZMR). As a great change in cell′s structure, traditional diffused pn homojunction was replaced by a-Si/c-Si heterojunction, which lead is to distinct improvement in cell′s efficiency. A conversion efficiency of 3.42% has been achieved on 1 cm2 a-Si/c-Si heterojunction solar cell (Isc=16.93 mA, Voc=310.9 mV, FF=0.6493, AM=1.5 G, 24 ℃), while the cell with diffused homojunction only got an efficiency of 0.6%. It indicates that a-Si emitter formed at low temperature might be more suitable for thin film cell on ceramics. 展开更多
关键词 a-Si/c-Si heterojunction thin film solar cell ceramic substrate
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Interfacial Bonding Strength of TiN Film Coated on Si_3N_4 Ceramic Substrate
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作者 Dejun KONG Yongkang ZHANG +1 位作者 Zhigang CHEN Jinzhong LU 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期487-490,共4页
The fraction of TiN/Si3N4 in the cross section was observed with scanning electric microscope (SEM), and residual stresses of TiN coated on the surface of Si3N4 ceramic were measured with X-ray diffraction (XRD).T... The fraction of TiN/Si3N4 in the cross section was observed with scanning electric microscope (SEM), and residual stresses of TiN coated on the surface of Si3N4 ceramic were measured with X-ray diffraction (XRD).The hardness of TiN film was measured, and bonding strength of TiN film coated on Si3N4 substrate was measured by scratching method. The formed mechanism of residual stress and the failure mechanism of the bonding interface in the film were analyzed, and the adhesion mechanism of TiN film was investigated preliminarily. The results show that residual stresses of TiN film are all behaved as compressive stress, and TiN film is represented smoothly with brittle fracture, which is closely bonded with Si3N4 substrate. TiN film has high hardness and bonding strength of about 500 MPa, which could satisfy usage requests of the surface of cutting Si3N4 ceramic. 展开更多
关键词 TiN film Bonding strength X-ray diffraction (XRD) Residual stress ceramic substrate
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Corrosion Resistance of Ceramic Coating on Steel Substrate
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作者 XU Qiuhong WANG Zhi SUN Xiang SHI Guopu 《China's Refractories》 CAS 2007年第4期28-31,共4页
Fe/Al2O3 ceramic coating was made by spraying and sol-gel. The corrosion resistance between Fe/Al2O3 ceramic coating and steel 45# was studied. By microscope and X-ray diffraction, the binding and the composition of ... Fe/Al2O3 ceramic coating was made by spraying and sol-gel. The corrosion resistance between Fe/Al2O3 ceramic coating and steel 45# was studied. By microscope and X-ray diffraction, the binding and the composition of the interface were also analyzed. The results showed that Fe/Al2O3 ceramic coating had dense struc- ture, less porosity and better binding with the substrate which was effective to prevent erosive liquor immersing into the inside of ceramic coating. Some substances that distributed homogeneously in Fe/Al2O3 ceramic coating, such as α-Al2O3, FeAlO3 and Fe3Al, could improve the corrosion resistance of this material. 展开更多
关键词 Fe/Al2O3 ceramic coating Steel substrate Corrosion resistance
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Crystallization Kinetics of Nanophase Glass-Ceramics as Magnetic Disk Substrate
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作者 Shengyu JIANG Jiancheng ZHANG Feng GU Yue SHEN Hua WANG 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第2期211-214,共4页
Glass-ceramics containing β-quartz as a main crystal phase based on the system of SiO2-Al2O3-Li2O-K2O-MgO-ZnO were investigated for the application to magnetic storage substrate for higher storage capacity. Parent gl... Glass-ceramics containing β-quartz as a main crystal phase based on the system of SiO2-Al2O3-Li2O-K2O-MgO-ZnO were investigated for the application to magnetic storage substrate for higher storage capacity. Parent glasses were prepared, then nucleated and crystallized at certain temperatures for 3-4 h. The crystallization kinetics of glass-ceramics was also studied. The grain size was estimated by Scherrer formula and image treatment of transmission electron microscopy (TEM). The results showed that the Avrami exponent was determined to be 3.88, the activation energy 189.3+7 k J/tool and the grain size 30-60 nm. A detailed microstructure of the glass-ceramics, including grain distribution and the morphology of nano-crystalline was characterized by TEM, X-ray diffraction (XRD), differential scanning calorimeter (DSC), differential thermal analysis (DTA). The relationship between microstructure and mechanical properties was also discussed. 展开更多
关键词 GLASS-ceramicS KINETICS Disk substrate
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Failure Analysis of Ceramic Substrates Used in High Power IGBT Modules
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作者 Zenjebil Jouini Zarel Valdez-Nava David Malec 《Engineering(科研)》 2016年第9期561-571,共11页
High voltage power modules are used in numerous applications to build high power converters. Technically, these modules are made of different materials and among them, dielectric materials are organic and inorganic. O... High voltage power modules are used in numerous applications to build high power converters. Technically, these modules are made of different materials and among them, dielectric materials are organic and inorganic. Organic insulators (gels) are used to avoid corona discharges in the vicinity of connecting wires and high voltage dies (diodes and transistors) and to protect them from moisture and contaminants. Inorganic insulators (ceramic substrates) are used to insulate the high voltage which dies from the grounded elements and to transfer heat to the heat sink. Despite being used since the late 90s, there is a lack of fundamental knowledge about the electrical properties of these substrates. Consequently, manufacturers tend to assure the reliability by over sizing them. As there are no clear rules for how to do that, failures occur, leading to the converter shutdown. The aim of this study is to bring new information about the understanding of the dielectric strength of ceramic materials used in these modules. We have focused our work on the correlation between the mechanical and the dielectric properties of ceramics by using relevant experiments. We provide new information about the impact of existing cracks on the ceramic dielectric failure, according to the electromechanical breakdown model. Our conclusions bring crucial information about the precautions to be taken during manufacturing and implementation of these substrates in power modules to reduce the likelihood of the particular causes of failure. 展开更多
关键词 High Voltage Power Module ceramic substrate Dielectric Strength Electro-Mechanical Breakdown
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Investigation on plasma-sprayed ZrO_2 thermal barrier coating on nickel alloy substrate 被引量:2
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作者 卢安贤 常鹰 蔡小梅 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2002年第4期225-228,共4页
The thermal barrier coatings with NiCrAlY alloy bonding layer, NiCrAlY Y 2O 3 stabilized ZrO 2 transition layer and Y 2O 3 stabilized ZrO 2 ceramic layer are prepared on nickel alloy substrates using the plasma spray ... The thermal barrier coatings with NiCrAlY alloy bonding layer, NiCrAlY Y 2O 3 stabilized ZrO 2 transition layer and Y 2O 3 stabilized ZrO 2 ceramic layer are prepared on nickel alloy substrates using the plasma spray technique. The relationship among the composition, structure and property of the coatings are investiga ted by means of optical microscope, scanning electronic microscope and the experiments of thermal shock resistance cycling and high temperature oxidation resistance. The results show that the structure design of introdu cing a transition layer between Ni alloy substrate and ZrO 2 ceramic coating guarantees the high quality and properties of the coatings; ZrO 2 coatings doped with a little SiO 2 possesses better thermal shock resistance and more excellent hot corrosion resistance as compared with ZrO 2 coating materials without SiO 2 ;the improvement in performance of ZrO 2 coating doped with SiO 2 is due to forming more dense coating structure by self closing effects of the flaws and pores in the ZrO 2 coatings. 展开更多
关键词 plasma spray Ni alloy substrate transition layer ZrO2 ceramic layer thermal barrier coating
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孔金属化设计对高温共烧陶瓷基板热阻的影响
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作者 刘林杰 李杰 郝跃 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期867-872,共6页
高温共烧陶瓷(HTCC)基板广泛应用于电子封装领域,其热阻是一个重要指标。围绕Al_(2)O_(3)和AlN陶瓷基板,探究在不同金属化孔间距和布局下的热阻规律。建立了陶瓷基板热传递有限元模型,并对其热阻进行仿真。制备了两种陶瓷基板,测试了其... 高温共烧陶瓷(HTCC)基板广泛应用于电子封装领域,其热阻是一个重要指标。围绕Al_(2)O_(3)和AlN陶瓷基板,探究在不同金属化孔间距和布局下的热阻规律。建立了陶瓷基板热传递有限元模型,并对其热阻进行仿真。制备了两种陶瓷基板,测试了其在不同功率负载下的热阻。测试结果表明,相同规格的AlN陶瓷基板的热阻约为Al_(2)O_(3)的25%;Mo孔金属化对Al_(2)O_(3)陶瓷基板的散热能力有明显提升作用,孔密度越大,基板热阻越低;而不同W金属化孔密度下的AlN基板热阻没有显著差异。仿真结果与实测结果基本吻合,为陶瓷基板的热设计提供了参考。 展开更多
关键词 陶瓷基板 高温共烧陶瓷(HTCC) 热阻 热设计 孔金属化
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氮化硅陶瓷基板制备及其金属化研究 被引量:1
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作者 王铃沣 周泊岸 +2 位作者 段于森 张景贤 侯清健 《化工矿物与加工》 CAS 2024年第2期12-19,共8页
低成本制备Si_(3)N_(4)陶瓷基板及其金属化是Si_(3)N_(4)陶瓷在电子行业应用中面临的关键问题。对Si_(3)N_(4)陶瓷流延成型配方体系进行了研究,系统分析了分散剂、黏结剂、增塑剂与固含量等因素对流延膜性能的影响,提出了一种优化的固... 低成本制备Si_(3)N_(4)陶瓷基板及其金属化是Si_(3)N_(4)陶瓷在电子行业应用中面临的关键问题。对Si_(3)N_(4)陶瓷流延成型配方体系进行了研究,系统分析了分散剂、黏结剂、增塑剂与固含量等因素对流延膜性能的影响,提出了一种优化的固含量为42%的配方体系,其流延膜相对密度达79.3%。经硅粉氮化后烧结得到的Si_(3)N_(4)陶瓷相对密度≥95%,抗弯强度达(852.7±48.8)MPa,热导率达75.5 W/(m·K)。采用丝网印刷工艺印制钨金属化浆料,经热压叠层与共烧结,得到金属层与Si_(3)N_(4)基板均平直完整、无翘曲、无缺陷的Si_(3)N_(4)金属化陶瓷,经测量发现其结合强度为27.84 MPa,金属层方阻为104 mΩ/sq。研究结果表明,采用流延成型和丝网印刷工艺,经烧结工艺可以制备Si_(3)N_(4)高温多层共烧基板(HTCC)。 展开更多
关键词 Si_(3)N_(4)陶瓷基板 流延成型 金属化 氮化后烧结 共烧
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SiC功率模块用氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究进展
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作者 赵昱 刘林杰 +3 位作者 吴亚光 张义政 刘思雨 谢峥嵘 《微纳电子技术》 CAS 2024年第8期1-9,共9页
国内新能源汽车领域对SiC功率模块的高压、大功率和高可靠的要求,为氮化硅陶瓷活性金属焊接(AMB)覆铜基板的大规模应用提供了支撑。从氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备工艺流程入手,重点介绍国内氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究现状。综述了氮化... 国内新能源汽车领域对SiC功率模块的高压、大功率和高可靠的要求,为氮化硅陶瓷活性金属焊接(AMB)覆铜基板的大规模应用提供了支撑。从氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备工艺流程入手,重点介绍国内氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究现状。综述了氮化硅陶瓷基板的国内外研究进展,并总结了提升氮化硅陶瓷基板热导率和强度的主要方法。汇总了氮化硅陶瓷AMB覆铜用活性焊料的类型、作用机理和应用方法。阐述了获得低空洞率氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的钎焊方法。简述了氮化硅陶瓷AMB覆铜基板刻蚀的工艺流程。从镀液选择、镀覆时间、镀液温度等方面,详细论述了氮化硅陶瓷AMB覆铜基板在镀覆工艺中的注意事项。最后指出了国内氮化硅陶瓷AMB覆铜基板在材料性能和生产工艺上的不足,并展望了未来氮化硅陶瓷AMB覆铜基板的研究及发展方向。 展开更多
关键词 SiC功率模块 氮化硅陶瓷基板 活性焊料 钎焊 刻蚀 镀覆
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铝瓷基底厚度变化对In-Ceram全瓷修复体颜色的影响 被引量:2
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作者 吴江 赵雯 +2 位作者 赵湘辉 沈丽娟 高勃 《实用口腔医学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期325-327,共3页
目的:探讨玻璃渗透铝瓷基底厚度变化对In—Ceram全瓷修复体颜色影响规律,为临床选色、配色提供实验依据。方法:分别制作不同厚度的铝瓷基底,并在此基础上烧结In-Ceram全瓷试件,采用标准D65光源,使用DataColorSF300型分光光度仪,... 目的:探讨玻璃渗透铝瓷基底厚度变化对In—Ceram全瓷修复体颜色影响规律,为临床选色、配色提供实验依据。方法:分别制作不同厚度的铝瓷基底,并在此基础上烧结In-Ceram全瓷试件,采用标准D65光源,使用DataColorSF300型分光光度仪,观测玻璃渗透铝瓷基底厚度变化对In-Ceram全瓷修复体的明度、色相、彩度的影响。结果:当不透明牙本质瓷和牙本质瓷厚度固定时,玻璃渗透铝瓷基底厚度的改变能引起颜色的变化。当铝瓷基底厚度在0.5~0.7mm时,符合临床比色要求,能够较好的提高修复体的颜色复现率。结论:通过对铝瓷基底厚度的调节,可以使In—Ceram全瓷修复体获得较理想的色泽,取得较好的修复效果。 展开更多
关键词 玻璃渗透铝瓷基底 In—ceram全瓷 颜色
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高导热氮化硅陶瓷基板影响因素研究现状
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作者 朱允瑞 贺云鹏 +6 位作者 杨鑑 周国相 林坤鹏 张砚召 杨治华 贾德昌 周玉 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第7期2649-2660,共12页
电子电力技术的高度集成化对承载电子元器件的脆性陶瓷基板提出了更高的散热和强度要求。氮化硅陶瓷兼备优异的本征热导率和力学性能,在大功率半导体器件封装领域有广阔的发展前景。然而,目前商业及实验中可实现的氮化硅热导率远低于其... 电子电力技术的高度集成化对承载电子元器件的脆性陶瓷基板提出了更高的散热和强度要求。氮化硅陶瓷兼备优异的本征热导率和力学性能,在大功率半导体器件封装领域有广阔的发展前景。然而,目前商业及实验中可实现的氮化硅热导率远低于其本征热导率,如何在保证氮化硅优异力学性能的基础上提高热导率仍然是一个难题。本文概述了高热导氮化硅的发展近况,着重论述氮化硅实际热导率的影响因素和提高方法。同时对比了几种氮化硅烧结工艺的优劣情况,并简要介绍目前主流商业化的氮化硅陶瓷基板成型工艺,最后对氮化硅陶瓷基板发展方向作出展望。 展开更多
关键词 氮化硅 高导热 陶瓷基板 晶格氧 致密度 晶粒生长驱动力 晶粒生长形貌 烧结工艺
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SiC功率模块封装材料的研究进展
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作者 程书博 张金利 +2 位作者 张义政 吴亚光 王维 《科技创新与应用》 2024年第3期106-109,共4页
随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年... 随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年来陶瓷覆铜基板、散热底板、黏结材料、互连材料及灌封材料的研究进展,同时引出相关封装材料的研究重点,以满足SiC功率模块的应用需求。 展开更多
关键词 SiC功率模块 封装材料 陶瓷覆铜基板 散热底板 黏结材料 互连材料 灌封材料
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压延率对无氧铜板高温退火的组织及性能影响
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作者 晏小猛 王善林 +2 位作者 陈卫民 吴懿平 李欢欢 《电子工艺技术》 2024年第2期1-4,18,共5页
高导热AMB陶瓷基板的覆铜厚板性能直接影响基板的电性能和力学性能。通过对无氧铜原料板的加工、微观组织调整以及陶瓷与铜板的活性焊料复合,达到AMB陶瓷覆铜基板最优的组织状态和电学与力学性能。首先对无氧铜板原料进行450℃和650℃... 高导热AMB陶瓷基板的覆铜厚板性能直接影响基板的电性能和力学性能。通过对无氧铜原料板的加工、微观组织调整以及陶瓷与铜板的活性焊料复合,达到AMB陶瓷覆铜基板最优的组织状态和电学与力学性能。首先对无氧铜板原料进行450℃和650℃再结晶退火0.5 h处理,得到两种原始的铜板组织。其次,对原始铜板进行压延率为15%、30%、45%、60%、75%的压延和800℃/1 h的退火处理,研究了退火铜板的微观组织及力学性能和电学性能。结果表明:当压延率在15%~75%时,随着压延率增加,晶粒逐渐被拉长变成扁平状,再变成纤维状;硬度随着压延率增加逐渐增大,铜板的延伸率逐渐减小,抗拉强度在压延率为15%~60%时逐渐增大,压延率达到75%时出现了小幅度降低。当在800℃退火1 h后,铜板表面晶粒尺寸随着压延率的增加逐渐减小,晶粒分布更加均匀,其大小稳定在400~800μm之间。铜板在压延率为15%~60%时的抗拉强度基本保持不变;当压延率到达75%时,抗拉强度出现小幅度降低。铜板硬度随着压延率增加基本保持不变。当压延率从15%变为75%时,铜板的电阻率有小幅度上升。 展开更多
关键词 无氧铜 AMB陶瓷覆铜基板 压延率 晶粒尺寸 电阻率
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高精度薄厚膜异构HTCC基板制备工艺
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作者 张鹤 杨鑫 +2 位作者 谢岳 杨振涛 刘林杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期150-155,共6页
针对高温共烧陶瓷(HTCC)基板高平整度、高密度封装需求,提出了一种高精度薄厚膜异构HTCC基板的制备方法,并对其关键工艺进行研究。结合陶瓷基板精密研磨工艺与薄膜制备工艺,该方法在大幅降低原有HTCC基板的平面度、粗糙度的同时,实现HTC... 针对高温共烧陶瓷(HTCC)基板高平整度、高密度封装需求,提出了一种高精度薄厚膜异构HTCC基板的制备方法,并对其关键工艺进行研究。结合陶瓷基板精密研磨工艺与薄膜制备工艺,该方法在大幅降低原有HTCC基板的平面度、粗糙度的同时,实现HTCC表面精密布线。测量结果表明,薄厚膜HTCC基板的平面度低至15μm,表面布线最小线宽低至10μm,与传统陶瓷基板平面度(30μm)与最小线宽(50μm)相比均有较大改善。在此基础上,研究了不同种子层厚度对薄厚膜异构HTCC基板结合力的影响。结果表明当钛钨层厚度为150 nm时,薄膜层和陶瓷基板结合力高达9.27 gf(1 gf=0.0098 N)。 展开更多
关键词 多层共烧陶瓷 薄膜金属化 封装基板 异构集成 键合强度
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DBC陶瓷基板表面贴装工艺技术研究
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作者 王珂 朱景春 +2 位作者 周鹏伟 刘涛 刘聪 《环境技术》 2024年第3期173-178,共6页
高效散热对宇航控制单机的热设计尤为重要,本文选用氧化铝DBC替代FR4印制板,研究基于热风回流焊的陶瓷基板焊接方法,通过对陶瓷基板焊盘和锡膏印刷钢网进行合理优化设计,增加排气通道,有效降低了焊接整体空洞率;探讨了底板厚度对焊接后... 高效散热对宇航控制单机的热设计尤为重要,本文选用氧化铝DBC替代FR4印制板,研究基于热风回流焊的陶瓷基板焊接方法,通过对陶瓷基板焊盘和锡膏印刷钢网进行合理优化设计,增加排气通道,有效降低了焊接整体空洞率;探讨了底板厚度对焊接后平面的影响;最后通过环境试验考核对焊接可靠性进行了验证,为空间用电子单机的陶瓷组件焊接方法提供参考。 展开更多
关键词 陶瓷基板组件 热风回流焊 氧化铝DBC 散热
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一种基于倒装芯片的超宽带BGA封装差分传输结构
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作者 杨振涛 余希猛 +4 位作者 张俊 段强 杨德明 白宇鹏 刘林杰 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期91-96,共6页
随着高速数字电路和射频微波电路对时钟频率和带宽的要求越来越高,差分传输结构因其优良的噪声抑制和抗干扰性能而受到越来越多的重视。提出了一种基于倒装芯片的超宽带球栅阵列(BGA)封装差分传输结构。整体传输结构包括采用陶瓷材料制... 随着高速数字电路和射频微波电路对时钟频率和带宽的要求越来越高,差分传输结构因其优良的噪声抑制和抗干扰性能而受到越来越多的重视。提出了一种基于倒装芯片的超宽带球栅阵列(BGA)封装差分传输结构。整体传输结构包括采用陶瓷材料制作的倒装芯片用基板、BGA封装焊球和印制电路板(PCB)。主要分析了差分垂直传输结构的尺寸参数对阻抗和截止频率的影响,并利用阶梯过孔减小阻抗不连续性。整体结构的传输性能通过矢量网络分析仪测试的散射参数来表征。测试与仿真结果具有较好的一致性,在DC~60 GHz频段,差分传输结构的回波损耗≤-15 dB,插入损耗优于-1 dB,为超宽带倒装芯片的封装设计提供参考。 展开更多
关键词 陶瓷基板 倒装芯片 球栅阵列(BGA)封装差分传输结构 垂直互连 高次模 信号完整性
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陶瓷基微带带通滤波器的设计与制备 被引量:1
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作者 刘明辉 袁海 +3 位作者 吴思诚 王明琼 谭晓惠 王博哲 《电子工艺技术》 2024年第2期41-43,58,共4页
为满足滤波器微型化、轻量化的迫切需求,设计一种中心频率为8.95 GHz,通带范围为7.85~10.10 GHz的带通滤波器。谐振单元采用微带交指结构,基板采用99.6%含量的Al_(2)O_(3)陶瓷基板。基于激光打孔、双面溅射和光刻腐蚀工艺,实现滤波器制... 为满足滤波器微型化、轻量化的迫切需求,设计一种中心频率为8.95 GHz,通带范围为7.85~10.10 GHz的带通滤波器。谐振单元采用微带交指结构,基板采用99.6%含量的Al_(2)O_(3)陶瓷基板。基于激光打孔、双面溅射和光刻腐蚀工艺,实现滤波器制备。测试结果表明中心频率为8.64 GHz,波形偏移0.31 GHz。 展开更多
关键词 Al_(2)O_(3)陶瓷基板 滤波器 微型化 微带交指结构
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基于氮化铝HTCC的表面Cu互连制备技术
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作者 杨欢 张鹤 +1 位作者 杨振涛 刘林杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期156-161,共6页
针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫... 针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和剥离强度测试仪分析和研究了界面的微观结构和力学性能。研究结果表明:与氮化铝/钛钨(TiW)/Cu相比,氮化铝/钛(Ti)/Cu界面的缺陷更少,金属Ti的黏附性能更优,拉脱断裂面在陶瓷基板上。当采用厚度为400 nm的Ti作为黏附层时,表面金属化剥离强度高达592 MPa,实现了高界面结合力,保证了产品封装性能的稳定性。 展开更多
关键词 氮化铝 高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板 直接镀铜(DPC) 黏附层 钛(Ti) 剥离强度
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基于陶瓷基板一体化封装的高可靠性LC滤波器组装工艺研究
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作者 李亚飞 温桎茹 +4 位作者 蒲志勇 张钧翀 张伟 董姝 吴秦 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期42-47,共6页
针对陶瓷基板一体化封装结构的LC滤波器,采用回流焊方法进行装配,制作了具有高可靠性的LC滤波器。采用电阻点焊对绕线电感进行引脚固定,使用贴片红胶粘接固定片式电容,实现陶瓷一体化封装LC滤波器内部元件的预固定。通过点涂方式施加焊... 针对陶瓷基板一体化封装结构的LC滤波器,采用回流焊方法进行装配,制作了具有高可靠性的LC滤波器。采用电阻点焊对绕线电感进行引脚固定,使用贴片红胶粘接固定片式电容,实现陶瓷一体化封装LC滤波器内部元件的预固定。通过点涂方式施加焊膏,经回流焊接形成润湿良好的焊点,利用微压水柱清洗去除残留的助焊剂。经过调试和涂胶固定绕线电感后采用平行缝焊完成产品封装。对回流焊装配的LC滤波器进行过程检验、温度和机械试验。结果表明,由所研究的组装工艺制成的LC滤波器具有较好的工序直通率,满足高可靠环境应用要求,适合于批量化生产。 展开更多
关键词 陶瓷基板 一体化封装 LC滤波器 回流焊接 可靠性
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厚膜印刷陶瓷基板的版内电阻一致性改进
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作者 焦峰 邹欣 陈明祥 《电子与封装》 2024年第9期89-95,共7页
使用丝网印刷工艺生产厚膜印刷陶瓷基板时,经常会出现版内不同区域印刷电阻不一致的问题。通过对丝网印刷过程中的网版张力、回弹力以及刮刀下压力的综合分析,得出印刷在承印物上的浆料量与网版张力、回弹力及下压力的合力成正相关的关... 使用丝网印刷工艺生产厚膜印刷陶瓷基板时,经常会出现版内不同区域印刷电阻不一致的问题。通过对丝网印刷过程中的网版张力、回弹力以及刮刀下压力的综合分析,得出印刷在承印物上的浆料量与网版张力、回弹力及下压力的合力成正相关的关系,进而分析得到刮刀印刷方向对于线型电阻的印刷有较大影响。经实验验证,相较于传统的刮刀平行于线型电阻长度方向印刷,当刮刀垂直于线型电阻长度方向进行印刷时,版内电阻漂移率从11.24%缩窄至4.46%,产品印刷电阻一致性得到较大程度的改善,可满足产品公差上下限要求,避免了昂贵的激光修阻工艺,节约了成本。通过实验证明对于复杂图形,线条取向与刮刀印刷方向的相互关系对浆料分布的均匀性有明显影响,复杂图形也验证了该结论的普适性。 展开更多
关键词 丝网印刷 阻值一致性 厚膜印刷陶瓷基板 阻值漂移率
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