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Design of high-speed signal acquisition system and analysis of signal integrity 被引量:1
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作者 姚琴琴 谢锐 +1 位作者 白茹 申玉玲 《Journal of Measurement Science and Instrumentation》 CAS CSCD 2015年第1期63-67,共5页
The device is used for the test on the fuze detonating time according to the initial velocity of the projectile and the altitude and speed of enemy aircraft flight. For the special requirements of the high-speed signa... The device is used for the test on the fuze detonating time according to the initial velocity of the projectile and the altitude and speed of enemy aircraft flight. For the special requirements of the high-speed signal acquisition in the process, the characteristics of the measured signal are analyzed. The system is investigated in chip selection, signal transmission, signal processing, signal storage, post-production PCB design, etc. The appropriate measures and solutions which affect the integrity and accuracy of the signal in each process are proposed. The rules for the layout of the device and wiring are made. The result show that the measurement values are accurate without loss of data. 展开更多
关键词 high-speed PCB simulation data acquisition signal integrity static storage
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Recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide semiconductor static random access memory cells 被引量:4
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作者 Qin Jun-Rui Chen Shu-Ming +1 位作者 Liang Bin Liu Bi-Wei 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第2期624-628,共5页
Using computer-aided design three-dimensional (3D) simulation technology, the recovery mechanism of single event upset and the effects of spacing and hit angle on the recovery are studied. It is found that the multi... Using computer-aided design three-dimensional (3D) simulation technology, the recovery mechanism of single event upset and the effects of spacing and hit angle on the recovery are studied. It is found that the multi-node charge collection plays a key role in recovery and shielding the charge sharing by adding guard rings. It cannot exhibit the recovery effect. It is also indicated that the upset linear energy transfer (LET) threshold is kept constant while the recovery LET threshold increases as the spacing increases. Additionally, the effect of incident angle on recovery is analysed and it is shown that a larger angle can bring about a stronger charge sharing effect, thus strengthening the recovery ability. 展开更多
关键词 single event upset multi-node charge collection static random access memory angulardependence
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Characteristics of magnetic memory signals for medium carbon steel under static tensile conditions
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作者 尹大伟 徐滨士 +2 位作者 董世运 杨尚林 董丽虹 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2005年第S2期107-111,共5页
To test the magnetic signals leaked from the surface of specimens during loading, the experiments of the static tensile of medium carbon 45# steel were carried out. The results show that the magnetic field strength va... To test the magnetic signals leaked from the surface of specimens during loading, the experiments of the static tensile of medium carbon 45# steel were carried out. The results show that the magnetic field strength values rapidly vary when the load began, and the curves of the magnetic field strength change from irregularity to regularity with the increase of the load. Furthermore, by comparing with the state of on-line testing, it is found that the magnetic signals of out-of-line testing has more practicability. In the course of loading, though the dots of passing zero of the magnetic field strength continually changed their positions and quantities, the last rupture places were always approached by the dots of passing zero since the elastic loading phase. Some certain relations should exist between external stress and changing of magnetic signals inside the material, and correlative explanation is made based on dislocation theory and the mechanism of magnetic domain action, which provides the basis for further research of magnetic memory. 展开更多
关键词 MAGNETIC memory static TENSILE MAGNETIC field STRENGTH MAGNETIC DOMAIN
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Synergistic effects of total ionizing dose on single event upset sensitivity in static random access memory under proton irradiation
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作者 肖尧 郭红霞 +7 位作者 张凤祁 赵雯 王燕萍 张科营 丁李利 范雪 罗尹虹 王园明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第11期612-615,共4页
Synergistic effects of the total ionizing dose (TID) on the single event upset (SEU) sensitivity in static random access memories (SRAMs) were studied by using protons. The total dose was cumulated with high flu... Synergistic effects of the total ionizing dose (TID) on the single event upset (SEU) sensitivity in static random access memories (SRAMs) were studied by using protons. The total dose was cumulated with high flux protons during the TID exposure, and the SEU cross section was tested with low flux protons at several cumulated dose steps. Because of the radiation-induced off-state leakage current increase of the CMOS transistors, the noise margin became asymmetric and the memory imprint effect was observed. 展开更多
关键词 single event upset total dose static random access memory imprint effect
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Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation
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作者 郑齐文 余学峰 +4 位作者 崔江维 郭旗 任迪远 丛忠超 周航 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第10期362-368,共7页
Pattem imprinting in deep sub-micron static random access memories (SRAMs) during total dose irradiation is inves- tigated in detail. As the dose accumulates, the data pattern of memory cells loading during irradiat... Pattem imprinting in deep sub-micron static random access memories (SRAMs) during total dose irradiation is inves- tigated in detail. As the dose accumulates, the data pattern of memory cells loading during irradiation is gradually imprinted on their background data pattern. We build a relationship between the memory cell's static noise margin (SNM) and the background data, and study the influence of irradiation on the probability density function of ASNM, which is the difference between two data sides' SNMs, to discuss the reason for pattern imprinting. Finally, we demonstrate that, for micron and deep sub-micron devices, the mechanism of pattern imprinting is the bias-dependent threshold shift of the transistor, but for a deep sub-micron device the shift results from charge trapping in the shallow trench isolation (STI) oxide rather than from the gate oxide of the micron-device. 展开更多
关键词 total dose irradiation static random access memory pattern imprinting deep sub-micron
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深度学习程序内存预测方法
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作者 刘晨 陆杰 李炼 《高技术通讯》 CAS 北大核心 2024年第10期1036-1045,共10页
深度学习程序在广泛领域取得了巨大成功,然而其内部错误可能导致严重的资源浪费,甚至引发灾难性故障。本文分析了导致程序在实际运行中出现任务执行失败的典型缺陷及其关键影响因素,提出基于静态分析与自注意力机制网络的深度学习程序... 深度学习程序在广泛领域取得了巨大成功,然而其内部错误可能导致严重的资源浪费,甚至引发灾难性故障。本文分析了导致程序在实际运行中出现任务执行失败的典型缺陷及其关键影响因素,提出基于静态分析与自注意力机制网络的深度学习程序内存预测方法,在程序内存估计任务上达到平均8.38%的相对预测误差,可以有效预防内存溢出问题、协助合理优化硬件资源配置。 展开更多
关键词 深度学习 静态分析 内存预测
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存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法
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作者 刘必慰 熊琪 +1 位作者 杨茗 宋雨露 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期198-203,共6页
为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷... 为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷举组合进行存储体编译,根据时序余量选择最优的静态随机存取存储器存储体编译配置。将该方法与现有的物理设计步骤集成为一个完整的设计流程。实验结果表明,该方法能够降低约9.9%的功耗,同时缩短7.5%的关键路径延时。 展开更多
关键词 片上缓存 静态随机存取存储器 协同设计 低功耗
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数控机床旋转轴多自由度静/热误差同步测量与建模
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作者 李国龙 肖扬 +2 位作者 李喆裕 徐凯 张薇 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1426-1434,共9页
针对现有的数控机床旋转轴误差测量与建模方法仅考虑多自由度静态几何误差或单自由度热误差单独作用的影响,未考虑几何误差和热误差耦合影响的问题,提出了一种基于球杆仪的数控机床旋转轴多自由度静/热误差同步测量与建模方法。首先基... 针对现有的数控机床旋转轴误差测量与建模方法仅考虑多自由度静态几何误差或单自由度热误差单独作用的影响,未考虑几何误差和热误差耦合影响的问题,提出了一种基于球杆仪的数控机床旋转轴多自由度静/热误差同步测量与建模方法。首先基于齐次坐标变换建立球杆仪杆长变化模型,再基于该模型使用非齐次线性方程组建立静/热误差辨识模型;其次设计了适应多自由度静/热误差同步测量的球杆仪安装模式以缩短测量时间,减少热逸散对测量结果的影响;再次基于卷积长短期记忆神经网络(CNN-LSTM)建立旋转轴多自由度静/热误差预测模型;最后在数控蜗杆砂轮磨齿机的C轴上进行误差测量实验,对多种转速下的旋转轴多自由度误差进行快速辨识,并通过CNN-LSTM静/热误差预测模型对多自由度误差和球杆仪杆长变化进行预测,以验证所建模型的准确性。 展开更多
关键词 静/热误差 误差测量 卷积长短期记忆神经网络 旋转轴 球杆仪
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NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究
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作者 高珊 李洋 +4 位作者 郝礼才 赵强 彭春雨 蔺智挺 吴秀龙 《中国集成电路》 2024年第6期48-55,共8页
基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P... 基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P+深阱掺杂浓度、P阱接触距离)对线性能量传输翻转恢复阈值(LETrec)以及单粒子翻转脉冲宽度(PWrec)的影响。研究发现:PWrec随着电源电压的增大而增大;PWrec和LETrec随着P阱偏置电压的增大而减小;LETrec随着P+深阱掺杂浓度的增大而增大;PWrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离的增大而增大,而LETrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离增大而减小。本文研究结论有助于优化SRAM单元抗单粒子效应设计,尤其是基于SEUR效应的SRAM单元的抗辐照加固设计提供了理论指导。 展开更多
关键词 单粒子翻转恢复效应 SRAM 电荷共享 工艺参数
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基于原补码实现的位串行SRAM存内计算
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作者 徐伟栋 娄冕 +2 位作者 李立 张凯 龚龙庆 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1095-1104,共10页
针对目前大多数存内计算无法独立处理非卷积计算的问题,提出了一种将转置8T单元与基于向量的位串行存内运算相结合的通用混合型存内计算.采用原码一位乘、补码加法和溢出激活处理,可支持任意位宽的整数/小数及正/负数的乘累加操作,也可... 针对目前大多数存内计算无法独立处理非卷积计算的问题,提出了一种将转置8T单元与基于向量的位串行存内运算相结合的通用混合型存内计算.采用原码一位乘、补码加法和溢出激活处理,可支持任意位宽的整数/小数及正/负数的乘累加操作,也可单独完成池化和激活操作,为从神经网络到信号处理等软件算法的发展提供了必要的灵活性和可编程性,减少了数据在总线上的传输.提出的存内计算在1.2V和500MHz条件下对8位运算的吞吐量为71.3GOPs,能效为20.63TOPS/W,支持灵活位宽的卷积操作,同时减少了数据移动,提高了能效和整体性能. 展开更多
关键词 存内计算 深度神经网络 静态随机存取存储器 能效
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130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究
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作者 肖舒颜 郭刚 +7 位作者 王林飞 张峥 陈启明 高林春 王春林 张付强 赵树勇 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期506-512,共7页
为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律... 为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。 展开更多
关键词 总剂量效应 单粒子效应 协和效应 单粒子翻转 静态随机存储器
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可兼容四种March系列算法的PMBIST电路设计
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作者 杨鹏 曹贝 +1 位作者 付方发 王海新 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2024年第2期242-252,共11页
存储器是系统级芯片(System on chip,SoC)中最重要的组成部分之一,也是最容易出现故障的部件。存储器故障可能会导致整个SoC失效,对存储器进行充分的测试和验证是至关重要的。目前,主流的存储器测试方法是采用存储器内建自测试(Memory b... 存储器是系统级芯片(System on chip,SoC)中最重要的组成部分之一,也是最容易出现故障的部件。存储器故障可能会导致整个SoC失效,对存储器进行充分的测试和验证是至关重要的。目前,主流的存储器测试方法是采用存储器内建自测试(Memory build-in-self test,MBIST)技术,传统的可测性技术采用单一的测试算法进行测试,为了满足不同类型存储器的测试需求以及不同工艺制造阶段的测试强度,需要使用不同类型的测试算法进行测试。结合存储器常见的故障模型以及多种测试算法,设计了具有较高灵活性和可扩展性的可编程存储器内建自测试(Programmable memory built-in-self test,PMBIST)电路,可兼容四种不同的March系列算法进行存储器内建自测试,采用寄存器传输语言(Reigster transfer language,RTL)级代码的编写方式,针对静态随机存储器(Static random-access memory,SRAM)采用不同March系列测试算法进行仿真,并以常用的March C+算法为例进行说明。仿真结果表明,所设计的PMBIST电路可对四种不同的March算法进行测试,满足不同类型存储器的内建自测试需求。 展开更多
关键词 静态随机存储器 故障模型 March系列+算法 存储器内建自测试
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基于静态和动态混合分析的内存拷贝类函数识别
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作者 尹小康 蔡瑞杰 +1 位作者 杨启超 刘胜利 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期3291-3313,共23页
缓冲区溢出等内存错误漏洞的产生往往来自对内存拷贝类函数的不当使用.对二进制程序中的内存拷贝类函数进行识别有利于发现内存错误漏洞.目前针对二进制程序中内存拷贝类函数的识别方法主要借助静态分析来提取函数的特征、控制流、数据... 缓冲区溢出等内存错误漏洞的产生往往来自对内存拷贝类函数的不当使用.对二进制程序中的内存拷贝类函数进行识别有利于发现内存错误漏洞.目前针对二进制程序中内存拷贝类函数的识别方法主要借助静态分析来提取函数的特征、控制流、数据流等信息进行识别,具有较高的误报率和漏报率.为了提高对内存拷贝类函数识别的效果,提出一种基于静态和动态混合分析的技术CPSeeker.所提方法结合静态分析和动态分析各自的优势,分阶段对函数的全局静态信息和局部执行信息进行搜集,对提取到的信息进行融合分析,进而识别二进制程序中的内存拷贝类函数.实验结果表明,尽管CPSeeker在运行时间上有所增加,但在内存拷贝类函数识别的效果上,其F1值达到了0.96,远优于最新的工作BootStomp、SaTC、CPYFinder以及Gemini,并且不受编译环境(编译器版本、编译器种类、编译器优化等级)的影响.此外,CPSeeker在真实的固件测试中也有更好的表现. 展开更多
关键词 静态分析 动态分析 仿真执行 内存拷贝类函数 函数识别
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一种基于数据依赖关系的内存安全性检测方法
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作者 蒙世满 符祥 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第3期402-410,共9页
内存安全问题已成为影响C/C++程序正确性和可靠性的主要因素。一些现有的静态代码检测工具无法识别全局变量+跨函数内存管理的内存泄露和未定义越界访问这两种缺陷,且其他动态代码检测工具,因需要在运行时进行插桩等操作,会增加额外的... 内存安全问题已成为影响C/C++程序正确性和可靠性的主要因素。一些现有的静态代码检测工具无法识别全局变量+跨函数内存管理的内存泄露和未定义越界访问这两种缺陷,且其他动态代码检测工具,因需要在运行时进行插桩等操作,会增加额外的开销导致检测效率慢。为解决这些问题,采用LLVM 15提出一种基于中间语言数据依赖关系的内存安全性检测方法,该方法通过获取并分析LLVM中间语言中指令之间的数据依赖,从而进行判断得出结果。在软件保障参考数据集SARD上的相关测试用例集验证了该方法的有效性,相比现有方法,该方法可以检测这两种内存安全性缺陷。 展开更多
关键词 内存安全 静态检测 LLVM 中间语言 数据依赖
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便笺式存储器中一种新颖的交错映射数据布局
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作者 曾灵灵 张敦博 +1 位作者 沈立 窦强 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期33-40,共8页
现代计算机一直沿用传统的线性数据布局模式,该模式允许对使用行主序模式存储的二维矩阵进行高效的行优先数据访问,但是增加了高效执行列优先数据访问的复杂性,造成列优先访问的空间局部性较差。改善列优先数据访存效率的常见解决方案... 现代计算机一直沿用传统的线性数据布局模式,该模式允许对使用行主序模式存储的二维矩阵进行高效的行优先数据访问,但是增加了高效执行列优先数据访问的复杂性,造成列优先访问的空间局部性较差。改善列优先数据访存效率的常见解决方案是对原始矩阵进行预先转置操作,将列优先访问的复杂性集中在一次矩阵转置运算中,然而矩阵转置不仅会引入额外的数据传输操作,而且会消耗额外的存储空间用于存储转置后的矩阵。为了在不引入额外开销的情况下使行优先与列优先数据访问具有同样高效的访存效率,提出一种新颖的交错映射(IM)数据布局,同时在不改变便笺式存储器(SPM)内部结构的基础上,在SPM的输入和输出(I/O)接口处添加循环移位单元和译码单元2个新组件,实现交错映射数据布局并定制访存指令,使程序员可通过定制的访存指令充分利用该数据布局。实验结果表明,应用交错映射数据布局的SPM在仅额外增加了1.73%面积开销的情况下获得了1.4倍的加速。 展开更多
关键词 矩阵转置 单指令多数据 便笺式存储器 数据布局 静态随机存储器
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双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究
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作者 王春林 高见头 +5 位作者 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 《现代应用物理》 2024年第4期40-46,58,共8页
随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir... 随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space environment simulation and research infrastructure,SESRI)产生的铀离子对中国科学院微电子研究所研制的DSOI静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)开展了SEU效应研究。铀离子是目前可获得的线性能量传递(linear energy transfer,LET)最高的重离子。2种不同SEU加固能力的DSOI 4 kbit SRAM试验结果显示,通过对NMOS和PMOS的背栅实施独立偏压控制,可实现DSOI SRAM电路抗SEU能力的宽范围调制。最优条件下,使用LET为118 MeV·cm ^(2)·mg^(-1)的铀离子,累积注量为1×10^(7) cm^(-2)时,被测器件无SEU发生。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转
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两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
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作者 闫爱斌 李坤 +2 位作者 黄正峰 倪天明 徐辉 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期4072-4080,共9页
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单... CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单元可以通过其内部节点之间的反馈机制稳定地保持存储的值。由于仅使用少量晶体管,因此其在面积和功耗方面开销也较低。基于10T单元,提出了使用4个并行存取访问管的12T单元。与10T单元相比,12T单元的读/写访问时间更短,且具有相同的容错能力。仿真结果表明,所提单元可以从任意SNU和部分DNU中恢复。此外,与先进的加固SRAM单元相比,所提RHBD 12T单元平均可以节省16.8%的写访问时间、56.4%的读访问时间和10.2%的功耗,而平均牺牲了5.32%的硅面积。 展开更多
关键词 CMOS 静态随机存储器单元 抗辐射加固 单节点翻转 双节点翻转
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Heavy ion energy influence on multiple-cell upsets in small sensitive volumes:from standard to high energies
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作者 Yang Jiao Li-Hua Mo +10 位作者 Jin-Hu Yang Yu-Zhu Liu Ya-Nan Yin Liang Wang Qi-Yu Chen Xiao-Yu Yan Shi-Wei Zhao Bo Li You-Mei Sun Pei-Xiong Zhao Jie Liu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期109-121,共13页
The 28 nm process has a high cost-performance ratio and has gradually become the standard for the field of radiation-hardened devices.However,owing to the minimum physical gate length of only 35 nm,the physical area o... The 28 nm process has a high cost-performance ratio and has gradually become the standard for the field of radiation-hardened devices.However,owing to the minimum physical gate length of only 35 nm,the physical area of a standard 6T SRAM unit is approximately 0.16μm^(2),resulting in a significant enhancement of multi-cell charge-sharing effects.Multiple-cell upsets(MCUs)have become the primary physical mechanism behind single-event upsets(SEUs)in advanced nanometer node devices.The range of ionization track effects increases with higher ion energies,and spacecraft in orbit primarily experience SEUs caused by high-energy ions.However,ground accelerator experiments have mainly obtained low-energy ion irradiation data.Therefore,the impact of ion energy on the SEU cross section,charge collection mechanisms,and MCU patterns and quantities in advanced nanometer devices remains unclear.In this study,based on the experimental platform of the Heavy Ion Research Facility in Lanzhou,low-and high-energy heavy-ion beams were used to study the SEUs of 28 nm SRAM devices.The influence of ion energy on the charge collection processes of small-sensitive-volume devices,MCU patterns,and upset cross sections was obtained,and the applicable range of the inverse cosine law was clarified.The findings of this study are an important guide for the accurate evaluation of SEUs in advanced nanometer devices and for the development of radiation-hardening techniques. 展开更多
关键词 28 nm static random access memory(SRAM) Energy effects Heavy ion Multiple-cell upset(MCU) Charge collection Inverse cosine law
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基于TLSF算法的高效内存分配算法的设计与实现
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作者 陈朝辉 段雄 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2024年第11期1916-1923,共8页
在嵌入式系统中,由于内存资源的有限性,内存分配器的性能和碎片率成为其重要考量因素。目前主要采用的内存分配算法是TLSF,然而该算法在嵌入式系统中存在一些问题,例如小内存申请导致外部碎片和大内存申请导致内部碎片。为了解决这些问... 在嵌入式系统中,由于内存资源的有限性,内存分配器的性能和碎片率成为其重要考量因素。目前主要采用的内存分配算法是TLSF,然而该算法在嵌入式系统中存在一些问题,例如小内存申请导致外部碎片和大内存申请导致内部碎片。为了解决这些问题,对TLSF算法进行了优化:(1)针对小内存申请,引入了静态内存池(POOL)算法,以解决TLSF算法中大量小内存分配带来的外部碎片问题;(2)针对大内存申请,提出了按级划分的DBL内存分配策略,解决了大内存分配中的内部碎片问题。实验结果表明,通过使用优化后的TLSF算法(DBL+POOL)进行内存管理,可以更好地利用内存资源,提高嵌入式系统的性能和可靠性。 展开更多
关键词 内存分配器 TLSF算法 静态内存池算法 内存碎片 嵌入式操作系统
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基于RS和BCH码的SRAM-PUF密钥提取方法及性能分析
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作者 周昱 于宗光 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期187-193,共7页
物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储... 物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储器(SRAM)-PUF芯片中加入里德-所罗门(RS)硬解码,在认证系统中加入BCH软解码模块,纠正PUF在一定范围内变化来确保通过认证,并对SRAM-PUF电路在三温下进行实验分析。实验结果表明,SRAM-PUF电路的PUF点分布有较好的均衡性,在常温时可靠性接近100%,在低温条件下可靠性范围为98.84%~100%,在高温条件下,可靠性范围为97.77%~99%,当RS码和BCH码设计的纠错能力大于PUF可靠性时能够通过认证。 展开更多
关键词 物理不可克隆函数 静态随机存取存储器 模糊提取器 里德-所罗门码 BCH码
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