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UV-ozone-treated MoO_3 as the hole-collecting buffer layer for high-efficiency solution-processed SQ:PC_(71) BM photovoltaic devices 被引量:1
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作者 杨倩倩 杨道宾 +7 位作者 赵谡玲 黄艳 徐征 龚伟 樊星 刘志方 黄清雨 徐叙瑢 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期608-612,共5页
The enhanced performance of a squaraine compound, with 2,4-bis[4-(N,N-diisobutylamino)-2,6-dihydroxyphenyl] squaraine as the donor and [6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ester (PC71BM) as the acceptor, in soluti... The enhanced performance of a squaraine compound, with 2,4-bis[4-(N,N-diisobutylamino)-2,6-dihydroxyphenyl] squaraine as the donor and [6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ester (PC71BM) as the acceptor, in solution-processed or- ganic photovoltaic devices is obtained by using UV-ozone-treated MoO3 as the hole-collecting buffer layer. The optimized thickness of the MoO3 layer is 8 nm, at which the device shows the best power conversion efficiency (PCE) among all devices, resulting from a balance of optical absorption and charge transport. After being treated by UV-ozone for 10 min, the transmittance of the MoO3 film is almost unchanged. Atomic force microscopy results show that the treated surface morphology is improved. A high PCE of 3.99% under AM 1.5 G illumination (100 mW/cm2) is obtained. 展开更多
关键词 organic photovoltaic devices hole-collecting buffer layer MOO3 UV-ozone
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ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管 被引量:9
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作者 仲飞 叶勤 +3 位作者 刘彭义 翟琳 吴敬 张靖垒 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期877-881,共5页
采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度... 采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。 展开更多
关键词 有机发光二极管 ZnS超薄膜 空穴缓冲层 电流效率
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空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响 被引量:10
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作者 郑代顺 张旭 钱可元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期78-83,共6页
采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的... 采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK :TPD/Alq3 /Al和ITO/PVK :TPD/LiBq4/Alq3 /Al的绿色和蓝色有机电致发光器件 (OLED) ,并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响 .结果发现 :对于绿色OLED ,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度 ,改善了器件的性能 ;而对于蓝色OLED ,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入 ,导致器件性能恶化 .这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响 。 展开更多
关键词 空穴缓冲层 CUPC 绿色和蓝色OLED 注入势垒 空间电荷
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空穴缓冲层2T-NATA厚度对OLED器件性能的影响 被引量:5
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作者 牟强 王秀峰 张麦丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期680-683,共4页
在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发... 在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发光特性大幅提高。 展开更多
关键词 空穴缓冲层 2T-NATA 发光效率
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阳极/有机层界面LiF层在OLED中的空穴缓冲作用 被引量:5
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作者 武春红 张靖磊 +1 位作者 刘彭义 侯林涛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期55-58,共4页
使用真空热蒸发镀膜法,在OLED层状结构中引入不同厚度的LiF作阳极修饰层,制备了结构为ITO/LiF/TPD/Alq3/Al的器件。LiF超薄层的引入较好地修饰了ITO表面,减少了阳极和有机层界面缺陷态的形成,增强了器件的稳定性。实验结果表明:LiF层有... 使用真空热蒸发镀膜法,在OLED层状结构中引入不同厚度的LiF作阳极修饰层,制备了结构为ITO/LiF/TPD/Alq3/Al的器件。LiF超薄层的引入较好地修饰了ITO表面,减少了阳极和有机层界面缺陷态的形成,增强了器件的稳定性。实验结果表明:LiF层有效地阻挡空穴注入,增强载流子注入平衡,提高了器件的亮度和效率,含有1nm厚LiF空穴缓冲层器件的性能最好,效率较不含缓冲层器件提高了近1.5倍。 展开更多
关键词 有机发光二极管 LiF修饰层 空穴缓冲
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掺杂不同一维纳米材料的空穴缓冲层对有机电致发光器件性能的影响 被引量:2
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作者 钱磊 滕枫 +5 位作者 徐征 权善玉 刘德昂 王元敏 王永生 徐叙 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期601-604,共4页
对一维纳米材料在空穴缓冲层PEDOT中的作用进行了研究。光致发光表明在PEDOT中掺杂一维纳米材料(二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒)可以提高双层样品PEDOT/MEH-PPV的发光效率。拉曼光谱的结果说明正是由于一维纳米材料与PEDOT之间存在的强... 对一维纳米材料在空穴缓冲层PEDOT中的作用进行了研究。光致发光表明在PEDOT中掺杂一维纳米材料(二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒)可以提高双层样品PEDOT/MEH-PPV的发光效率。拉曼光谱的结果说明正是由于一维纳米材料与PEDOT之间存在的强相互作用,才减少了PEDOT/MEH-PPV界面上猝灭发光的缺陷态的产生。在以MEH-PPV作为发光层的聚合物电致发光器件中,在PEDOT中掺杂二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒后,器件的最大效率分别提高了2倍和2.5倍。 展开更多
关键词 一维纳米材料 空穴缓冲层 掺杂
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用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文) 被引量:1
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作者 张靖磊 仲飞 刘彭义 《电子器件》 CAS 2008年第1期40-43,共4页
用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓... 用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时,器件的发光电流效率增加40%。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性。 展开更多
关键词 有机发光二极管 ZNS薄膜 空穴缓冲层 电流效率
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基于P3HT空穴传输层的钙钛矿太阳能电池性能仿真研究 被引量:2
8
作者 王传坤 张星 +1 位作者 唐颖 马恒 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第4期646-651,共6页
利用AMPS-1D软件对钙钛矿太阳能电池性能进行仿真。研究发现,当P3HT厚度500 nm时,钙钛矿太阳能电池的短路电流密度J_(sc)=18. 995 m A/cm^2,光电转换效率E_(ff)=17. 425%,填充因数FF=0. 824,开路电压V_(oc)=1. 113 V。钙钛矿太阳能电池... 利用AMPS-1D软件对钙钛矿太阳能电池性能进行仿真。研究发现,当P3HT厚度500 nm时,钙钛矿太阳能电池的短路电流密度J_(sc)=18. 995 m A/cm^2,光电转换效率E_(ff)=17. 425%,填充因数FF=0. 824,开路电压V_(oc)=1. 113 V。钙钛矿太阳能电池的光吸收层厚度为400 nm时,钙钛矿太阳能的光电转化效率最大。钙钛矿太阳能电池开路电压、短路电流密度、填充因数和光电转化效率等性能随着阴极材料功函数的增大而减。通过理论计算对制备高性能的太阳能电池具有指导性作用。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳能电池 缓冲层 空穴传输 仿真
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V_2O_5空穴缓冲层对绿色磷光OLED性能的影响
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作者 杜帅 张方辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期684-689,共6页
采用真空热蒸发的方法制备了V_2O_5薄膜,将其引入有机发光二极管(OLED)器件中用作空穴缓冲层,制备了以4,4'-N,N'-二咔唑基联苯(CBP)为主体材料,Ir(ppy)2acac为绿光磷光掺杂染料的OLED器件,结构为ITO/V_2O_5/NPB/TCTA/CBP∶Ir(pp... 采用真空热蒸发的方法制备了V_2O_5薄膜,将其引入有机发光二极管(OLED)器件中用作空穴缓冲层,制备了以4,4'-N,N'-二咔唑基联苯(CBP)为主体材料,Ir(ppy)2acac为绿光磷光掺杂染料的OLED器件,结构为ITO/V_2O_5/NPB/TCTA/CBP∶Ir(ppy)2acac/BCP/Alq3/Li F/Al。研究了不同厚度的V_2O_5作为空穴缓冲层对绿色磷光OLED器件发光性能的影响。结果表明,当V_2O_5薄膜的厚度为30 nm时,器件的性能最佳,其最大电流效率和最大功率效率分别为54.36 cd/A和48.77 lm/W,比未加入缓冲层的常规器件均提高了34%。在驱动电压为11 V时,亮度可达到28 990 cd/m2,且在电压从5 V上升至10 V的过程中,对应的色坐标仅从(0.36,0.60)变化为(0.36,0.61),具有很高的稳定性。分析认为适当厚度的V_2O_5薄膜降低了发光层中空穴的浓度,提高了空穴和电子载流子的复合效率。 展开更多
关键词 空穴缓冲层 V2O5 绿色磷光 有机发光二极管(OLED) 性能
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基于MoO_x材料在有机太阳能电池中的研究进展
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作者 王传坤 张琼 张星 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第10期14-16,共3页
有机太阳能电池具有材料来源广泛、柔性和能够大面积成膜等优点,成为光伏领域研究的热点问题。缓冲层材料的选取能有效提高有机太阳能电池的性能。氧化钼薄膜材料具有高透性、无毒等特点被应用到有机太阳能电池中。对氧化钼薄膜材料不... 有机太阳能电池具有材料来源广泛、柔性和能够大面积成膜等优点,成为光伏领域研究的热点问题。缓冲层材料的选取能有效提高有机太阳能电池的性能。氧化钼薄膜材料具有高透性、无毒等特点被应用到有机太阳能电池中。对氧化钼薄膜材料不同的制备方法进行综述,探讨氧化钼薄膜材料在有机太阳能电池中的应用。 展开更多
关键词 有机太阳能电池 空穴缓冲层 氧化钼 柔性
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MoO_3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响
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作者 徐洁 李青 +1 位作者 林慧 王洪 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期941-943,共3页
以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V... 以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 A,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。 展开更多
关键词 空穴迁移率 MoO3缓冲层 有机薄膜晶体管 阈值电压
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针对高压IGBT的改进瞬态模型 被引量:14
12
作者 普靖 罗毅飞 +1 位作者 肖飞 刘宾礼 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期448-455,共8页
为准确表征绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的物理特性,在典型IGBT开关瞬态模型的基础上提出一种改进的高压IGBT瞬态模型。首先基于半导体物理理论,对典型IGBT开关瞬态的建模过程进行了简要分析和推导,并在此基础上针对高压IGBT的宽基区结... 为准确表征绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的物理特性,在典型IGBT开关瞬态模型的基础上提出一种改进的高压IGBT瞬态模型。首先基于半导体物理理论,对典型IGBT开关瞬态的建模过程进行了简要分析和推导,并在此基础上针对高压IGBT的宽基区结构特点,考虑基区载流子复合过程对IGBT开关瞬态的影响,建立了一种改进的高压IGBT瞬态模型。最后将建立的模型在Saber仿真软件中实现,并在25℃和125℃工况下进行了双脉冲仿真,以一种3 300 V/1 200 A IGBT模块为例搭建测试电路,对改进的瞬态模型进行实验验证。实验结果表明:提出的改进模型将25℃下IGBT关断时间的误差由26.5%降低至1.5%,关断损耗的误差由60.93%降低至8.92%;该模型将125℃下IGBT关断时间的误差由14.5%降低到4%,关断损耗的误差由61.68%降低到11.35%。研究结果为IGBT的应用设计提供了更为准确的仿真模型。 展开更多
关键词 典型IGBT瞬态模型 高压IGBT瞬态模型 过剩载流子浓度 空穴电流 基区 buffer
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缓冲层在有机太阳能电池中的作用研究
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作者 陈舒康 陈明阳 +3 位作者 刘洋 王劲博 黄逸飞 花子栋 《广东化工》 CAS 2016年第7期86-88,共3页
近年来具备成本低、来源广、可弯曲、质轻等优势的有机太阳能电池引起了学者们的广泛重视,为了提高器件的光电性能和稳定性,缓冲层在有机太阳能器件优化过程中扮演的非常重要的角色。本篇文章主要介绍目前比较常用五种缓冲层的结构和特... 近年来具备成本低、来源广、可弯曲、质轻等优势的有机太阳能电池引起了学者们的广泛重视,为了提高器件的光电性能和稳定性,缓冲层在有机太阳能器件优化过程中扮演的非常重要的角色。本篇文章主要介绍目前比较常用五种缓冲层的结构和特点及其光学器件的性能,为器件研究和改良提供参考。 展开更多
关键词 有机太阳能电池 缓冲层 空穴传输
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基于Cu_xO材料在太阳能电池中应用研究进展
14
作者 唐颖 王传坤 《兴义民族师范学院学报》 2018年第3期102-106,共5页
环境污染与能源的短缺是制约当今社会发展的重要因素之一。太阳能是一种可持续利用的资源,受到当今社会的重视。太阳能电池是利用光伏效应的一种器件,是未来解决能源短缺和环境污染的有效途径。太阳能电池可以分为无机太阳能电池、有机... 环境污染与能源的短缺是制约当今社会发展的重要因素之一。太阳能是一种可持续利用的资源,受到当今社会的重视。太阳能电池是利用光伏效应的一种器件,是未来解决能源短缺和环境污染的有效途径。太阳能电池可以分为无机太阳能电池、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池。Cu_xO材料具有资源广泛、带隙接近太阳光谱等特点,适合作为太阳能电池材料。因此,很有必要探讨Cu_xO材料在太阳能电池中的应用及发展趋势。 展开更多
关键词 太阳能电池 电子缓冲层 空穴缓冲层 能源
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ZnO空穴缓冲层对OLED性能的影响 被引量:4
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作者 贾许望 关云霞 +3 位作者 牛连斌 黄琳琳 刘德江 傅小强 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第2期72-76,共5页
本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,... 本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,最大亮度为3 449 cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/m2,最大电流效率为0.46 cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 修饰层 ZNO
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磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件 被引量:5
16
作者 仲飞 刘彭义 任思雨 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期461-465,共5页
采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密... 采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs(ITO/TiO2/TPD/A lq3/A l)的发光性能得到很大改善。研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍。这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡。 展开更多
关键词 TiO2超薄膜 磁控溅射 有机发光二极管 空穴缓冲层
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空穴缓冲层的厚度对有机电致发光器件性能的影响 被引量:1
17
作者 王洪梅 姜文龙 +4 位作者 王静 韩强 丁桂英 王立忠 赵晓红 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2007年第2期16-18,共3页
本文利用有机发光材料4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)作为空穴缓冲层,制备了结构为:ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件.在器件的制备过程中通过改变空穴缓冲层2T-NATA的厚度使... 本文利用有机发光材料4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)作为空穴缓冲层,制备了结构为:ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件.在器件的制备过程中通过改变空穴缓冲层2T-NATA的厚度使器件的亮度和效率得到了改善.当2T-NATA的厚度为15 nm时,器件的性能最好.在电流密度为623mA/cm2时最大亮度达到16530cd/m2,对应的电流效率为2.65cd/A,器件的色坐标为(0.23,0.36),属于蓝绿光发射. 展开更多
关键词 空穴缓冲层 有机电致蓝光器件 性能
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