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Uniformity of TiN Films Fabricated by Hollow Cathode Discharge 被引量:2
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作者 姜海富 巩春志 +3 位作者 田修波 杨士勤 R.K.Y.FU P.K.CHU 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第2期212-217,共6页
Titanium nitride (TIN) films were deposited on AISI 304 stainless steel substrates using hollow cathode plasma physical vapor deposition (HC-PVD). Titanium was introduced by eroding the Ti cathode nozzle and TiN w... Titanium nitride (TIN) films were deposited on AISI 304 stainless steel substrates using hollow cathode plasma physical vapor deposition (HC-PVD). Titanium was introduced by eroding the Ti cathode nozzle and TiN was formed in the presence of a nitrogen plasma excited by radio frequency (RF). The substrate bias voltage was varied from 0 to -300 V and the uniformity in film thickness, surface roughness, crystal size, microhardness and wear resistance for the film with a diameter of 20 mm was evaluated. Although the central zone of the plasma had the highest ion density, the film thickness did not vary appreciably across the sample. The results from atomic force microscopy (AFM) revealed a low surface roughness dominated by an island-like morphology with a similar crystal size on the entire surface. Higher microhardness was measured at the central zone of the sample. The sample treated at -200 V had excellent tribological properties and uniformity. 展开更多
关键词 hollow cathode tin film uniformity
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环形磁控溅射成膜生长速率及厚度均匀性研究 被引量:5
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作者 孟宪权 任大志 +1 位作者 郭怀喜 范湘军 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1995年第3期351-356,共6页
对目前广泛用于制备高Tc(转变温度)超导薄膜的环形磁控溅射成膜提出了一种新的理论模型,采用泰勒展开计算出了三阶近似的解析结果.通过计算机作出了薄膜生长速率及厚度均匀性随薄膜位置变化关系的三维曲线,得到了生长大面积均匀... 对目前广泛用于制备高Tc(转变温度)超导薄膜的环形磁控溅射成膜提出了一种新的理论模型,采用泰勒展开计算出了三阶近似的解析结果.通过计算机作出了薄膜生长速率及厚度均匀性随薄膜位置变化关系的三维曲线,得到了生长大面积均匀薄膜、快速生长薄膜的最佳位置,并同使用较广泛的平面磁控溅射的一些计算结果进行了比较. 展开更多
关键词 环形磁控制射 生长速率 厚度 薄膜 超导体
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新型MPCVD沉积模式制备高均匀性的D100mm金刚石薄膜 被引量:2
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作者 张帅 安康 +6 位作者 杨志亮 邵思武 陈良贤 魏俊俊 刘金龙 郑宇亭 李成明 《真空与低温》 2022年第5期549-555,共7页
频率为2.45 GHz的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置能够沉积直径超过60 mm的金刚石薄膜,但由于MPCVD技术中等离子体的半球形分布特点,很难保证沉积出均匀性好的大尺寸薄膜,调整等离子体分布可以在一定程度上解决这一问题。基于数值... 频率为2.45 GHz的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置能够沉积直径超过60 mm的金刚石薄膜,但由于MPCVD技术中等离子体的半球形分布特点,很难保证沉积出均匀性好的大尺寸薄膜,调整等离子体分布可以在一定程度上解决这一问题。基于数值模拟的研究发现,衬底边缘悬空产生的间隙能够形成空心阴极放电,提高边缘薄膜的沉积率,优化均匀性。检测结果表明,D100 mm金刚石薄膜上80个点的厚度方差值从4.5×10^(-4)降低到5.0×10^(-5),证明薄膜的均匀性得到提高。金刚石薄膜表面热应力分布更均匀,厚度极值差从70μm降低到30μm,从而降低了薄膜在研磨抛光中产生裂纹的可能性。在较低的沉积压力下,薄膜生长的均匀性和质量均有提升,极值差只有10μm。 展开更多
关键词 数值模拟 MPCVD 均匀性 边缘弱空心阴极效应 金刚石膜
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